--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 標(biāo)配 激光干涉樣品臺
- 樣品臺行程 ≤105 mm
- 圖像分辨率 ≤1nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1kV
- 注釋 詳情咨詢澤攸科技
--- 產(chǎn)品詳情 ---
澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(EBL)是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備,專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計。該系統(tǒng)采用先進的場發(fā)射電子槍,結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng),確保光刻質(zhì)量優(yōu)異且效率卓越。標(biāo)配的高精度激光干涉樣品臺能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求,為復(fù)雜實驗和生產(chǎn)任務(wù)提供可靠支持。其核心優(yōu)勢在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式,可實現(xiàn)多種矢量掃描方式,包括順序掃描、循環(huán)掃描和螺旋型掃描,同時支持多圖層自動曝光與場校準(zhǔn)功能,滿足多樣化的工藝要求。此外,設(shè)備兼容多種圖形文件格式,并可通過選配附件(如UPS不間斷電源和主動減震臺)進一步提升運行穩(wěn)定性。無論是新材料研究、前沿物理探索,還是半導(dǎo)體、微電子、光子學(xué)及量子技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,ZEL304G均表現(xiàn)出色,是科研與工程領(lǐng)域的理想選擇。
? 產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺:先進的激光干涉樣品臺,滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場發(fā)射電子槍:高分辨場發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器:在保證超高速掃描的同時實現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
? 樣品臺指標(biāo)
樣品臺指標(biāo) | |||
標(biāo)配 | 激光干涉樣品臺 | ||
樣品臺行程 | ≤105 mm | ||
電子槍及成像指標(biāo) | |||
肖特基場發(fā)射電子槍 | 加速電壓20V~30kV;旁側(cè)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)電子探測器 | ||
圖像分辨率 | ≤1nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1kV | ||
束流密度 | > 5300A/cm2 | ||
最小束斑尺寸 | ≤2nm | ||
光刻指標(biāo) | |||
電子束閘 | 上升沿<100ns | ||
寫視場 | ≤500×500um | ||
最小單次曝光線寬 | 10 ±2nm | ||
掃描速度 | 25 MHz / 50 MHz | ||
圖形發(fā)生器參數(shù) | |||
控制核心 | 高性能FPGA | 停留時間最小增量 | 10ns |
最大掃描速度 | 50MHz | 圖形文件格式 | GDSII、DXF、BMP等 |
D/A分辨率 | 20位 | 法拉第杯束流測量 | 包含 |
支持的寫場大小 | 10um~500um | 臨近效應(yīng)校正 | 可選項 |
束閘支持 | 5V TTL | 激光干涉位移臺 | 可選項 |
掃描方式 | 順序掃描(Z型)、循環(huán)掃描(S型)、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式 | ||
曝光模式 | 支持場校準(zhǔn)、場拼接,支持套刻,支持多圖層自動曝光 | ||
外接通道支持 | 支持電子束掃描、工件臺移動、束閘通斷、二次電子檢測 | ||
? 應(yīng)用案例

▲均勻性測試

▲場拼接(游標(biāo)卡尺測量)和最小線寬測試

▲HSQ膠

▲PMMA膠

▲厚膠測試

▲長光柵無縫拼接

▲電子束鄰近效應(yīng)校正功能 · 劑量校正效果

▲劑量校正前后對比
懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯(lián)系澤攸科技咨詢。
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