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澤攸科技

澤攸科技專注于掃描電鏡、原位測量系統(tǒng)、臺階儀、探針臺、電子束光刻機等精密設(shè)備的研究,填補了國家在科學(xué)精密儀器領(lǐng)域的諸多空白。

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電子束光刻機

型號: ZEL304G
品牌: ZEPTOOLS(澤攸科技)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 標(biāo)配 激光干涉樣品臺
  • 樣品臺行程 ≤105 mm
  • 圖像分辨率 ≤1nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1kV
  • 注釋 詳情咨詢澤攸科技

--- 產(chǎn)品詳情 ---

澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(EBL)是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備,專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計。該系統(tǒng)采用先進的場發(fā)射電子槍,結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng),確保光刻質(zhì)量優(yōu)異且效率卓越。標(biāo)配的高精度激光干涉樣品臺能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求,為復(fù)雜實驗和生產(chǎn)任務(wù)提供可靠支持。其核心優(yōu)勢在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式,可實現(xiàn)多種矢量掃描方式,包括順序掃描、循環(huán)掃描和螺旋型掃描,同時支持多圖層自動曝光與場校準(zhǔn)功能,滿足多樣化的工藝要求。此外,設(shè)備兼容多種圖形文件格式,并可通過選配附件(如UPS不間斷電源和主動減震臺)進一步提升運行穩(wěn)定性。無論是新材料研究、前沿物理探索,還是半導(dǎo)體、微電子、光子學(xué)及量子技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,ZEL304G均表現(xiàn)出色,是科研與工程領(lǐng)域的理想選擇。


產(chǎn)品特色

▲ 激光干涉樣品臺:先進的激光干涉樣品臺,滿足大行程高精度拼接和套刻需求

▲ 場發(fā)射電子槍:高分辨場發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證

▲ 圖形發(fā)生器:在保證超高速掃描的同時實現(xiàn)超高分辨率圖案繪制


樣品臺指標(biāo)

樣品臺指標(biāo)

標(biāo)配

激光干涉樣品臺

樣品臺行程

≤105 mm

電子槍及成像指標(biāo)

肖特基場發(fā)射電子槍

加速電壓20V~30kV;旁側(cè)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)電子探測器

圖像分辨率

≤1nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1kV

束流密度

> 5300A/cm2

最小束斑尺寸

≤2nm

光刻指標(biāo)

電子束閘

上升沿<100ns

寫視場

≤500×500um

最小單次曝光線寬

10 ±2nm

掃描速度

25 MHz / 50 MHz

圖形發(fā)生器參數(shù)

控制核心

高性能FPGA

停留時間最小增量

10ns

最大掃描速度

50MHz

圖形文件格式

GDSII、DXF、BMP等

D/A分辨率

20位

法拉第杯束流測量

包含

支持的寫場大小

10um~500um

臨近效應(yīng)校正

可選項

束閘支持

5V TTL

激光干涉位移臺

可選項

掃描方式

順序掃描(Z型)、循環(huán)掃描(S型)、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式

曝光模式

支持場校準(zhǔn)、場拼接,支持套刻,支持多圖層自動曝光

外接通道支持

支持電子束掃描、工件臺移動、束閘通斷、二次電子檢測


? 應(yīng)用案例

▲均勻性測試

▲場拼接(游標(biāo)卡尺測量)和最小線寬測試

▲HSQ膠

▲PMMA膠

▲厚膠測試

▲長光柵無縫拼接

▲電子束鄰近效應(yīng)校正功能 · 劑量校正效果

▲劑量校正前后對比

 

懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯(lián)系澤攸科技咨詢。

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