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??DRV8830 低電壓電機驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-21 10:19 ? 次閱讀
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DRV8830器件為電池供電的玩具提供集成電機驅(qū)動器解決方案, 打印機和其他低壓或電池供電的運動控制應用。該設(shè)備有一個 H橋驅(qū)動器,可驅(qū)動一臺直流電機或一臺步進電機繞組,以及其他 像螺線管一樣的負載。輸出驅(qū)動器模塊由N溝道和P溝道功率MOSFET組成 配置為 H 橋以驅(qū)動電機繞組。

該DRV8830提供足夠的 PCB 散熱器,可提供高達 1A 的 DC/RMS 或 峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 2.75 V 至 6.8 V。
*附件:drv8830.pdf

在不同的電池電壓下保持恒定的電機速度,同時保持較長的 電池壽命,提供PWM電壓調(diào)節(jié)方法。輸出電壓通過 一個我^2^C 兼容接口,使用內(nèi)部基準電壓源和 DAC。

提供內(nèi)部保護功能,用于過流保護、短路 保護、欠壓鎖定和過溫保護。

該DRV8830采用微型 3 mm × 3 mm 10 引腳 VSON 封裝和 HVSSOP 封裝 帶 PowerPAD?(環(huán)保:RoHS 和無 Sb/Br)。

特性

  • H橋壓控電機驅(qū)動器
    • 驅(qū)動直流電機、步進電機的一個繞組或其他
      執(zhí)行器/負載
    • 高效的PWM電壓控制,可在不同的電源電壓下實現(xiàn)恒定電機速度
    • 低 MOSFET 導通電阻:
      HS + LS 450 mΩ
  • 1A 最大 DC/RMS 或峰值驅(qū)動電流
  • 2.75V 至 6.8V 工作電源電壓范圍
  • 300nA(典型值)睡眠模式電流
  • 序列號 I^2^C 兼容接口
  • 多個地址選擇允許在一個i 上最多支持 9 個設(shè)備^2^C總線
  • 限流電路和故障輸出
  • 熱增強型表面貼裝封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?一、產(chǎn)品概述?
DRV8830是德州儀器(TI)推出的帶有串行接口的低電壓電機驅(qū)動器。該器件提供完整的H橋驅(qū)動解決方案,可驅(qū)動有刷直流電機、步進電機的一個繞組以及其他執(zhí)行器/負載。

?二、主要特性?

  • ?電機驅(qū)動性能?:
    • H橋電壓控制電機驅(qū)動器
    • 低MOSFET導通電阻:高側(cè)+低側(cè) 450 mΩ
    • 最大驅(qū)動電流:1A DC/RMS或峰值電流
    • 1.3A峰值驅(qū)動能力
  • ?電氣規(guī)格?:
    • 工作電源電壓范圍:2.75V至6.8V
    • 睡眠模式電流:300nA(典型值)
    • 高效的PWM電壓控制,可在不同電源電壓下保持恒定電機速度
  • ?接口與控制?:
    • 串行I2C兼容接口
    • 多地址選擇,允許在一條I2C總線上連接最多9個設(shè)備
  • ?保護功能?:
    • 限流電路和故障輸出
    • 過流保護、短路保護、欠壓鎖定和過溫保護

?三、應用領(lǐng)域?

  • ?電池供電設(shè)備?:
  • 小型執(zhí)行器、泵等

?四、技術(shù)規(guī)格?

  • ? 電源電壓(VCC) ?:2.75V至6.8V
  • ?邏輯電壓?:0-5.5V
  • ?工作溫度?:-40°C至85°C
  • ?封裝選項?:
    • 3mm × 3mm 10引腳VSON封裝
    • HVSSOP封裝帶PowerPAD?
  • ?熱性能參數(shù)?:
    • HVSSOP封裝:結(jié)到環(huán)境熱阻69.3°C/W
    • VSON封裝:結(jié)到環(huán)境熱阻50.2°C/W

?五、核心功能描述?

  • ?電壓調(diào)節(jié)?:
    • 采用脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)而非線性電路
    • 監(jiān)控輸出引腳之間的電壓差并進行積分以獲得平均直流電壓值
    • 該電壓除以4并與通過串行接口設(shè)置的VSET DAC輸出電壓進行比較
  • ?電流限制?:
    • 通過外部檢測電阻監(jiān)測電機電流
    • 當電壓超過200mV參考電壓約3μs時,PWM占空比減小以限制電機電流
    • 持續(xù)約275ms的過流事件將被記錄為故障
  • ? 電壓設(shè)置(VSET DAC) ?:
    • 包含內(nèi)部參考電壓連接至DAC
    • 通過串行接口的VSET位控制
    • 輸出電壓計算公式:4 × VREF × (VSET +1) / 64
    • 其中VREF為內(nèi)部1.285V參考電壓

?六、保護電路?

  • ? 過流保護(OCP) ?:
    • 每個FET上的模擬限流電路
    • 檢測對地、電源或跨電機繞組的短路
  • ? 熱關(guān)斷(TSD) ?:
    • 如果芯片溫度超過安全限制,H橋中的所有FET將被禁用
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:
    • 當VCC引腳電壓低于欠壓鎖定閾值電壓時觸發(fā)

?七、設(shè)備功能模式?

  • ?工作模式?:
    • 當IN1或IN2設(shè)置為邏輯高時激活
    • 睡眠模式:當IN1和IN2都設(shè)置為邏輯低時進入

?八、編程接口?

  • ?I2C兼容串行接口?:
    • 兩線串行接口(SDA數(shù)據(jù)線,SCL時鐘線)
    • 設(shè)備地址:固定高地址位0xC0h,低三位由A0-A1引腳設(shè)置

?九、寄存器映射?

  • ?寄存器0 - 控制寄存器?:
    • VSET[5..0]:設(shè)置DAC輸出電壓
    • IN1、IN2:設(shè)置輸出狀態(tài)
  • ?寄存器1 - 故障寄存器?:
    • 用于讀取故障源并清除指示故障的狀態(tài)位

?十、典型應用?

  • ?設(shè)計要點?:
    • 電機電壓設(shè)置應考慮最低系統(tǒng)VCC
    • 電流限制電阻選擇:RISENSE = 0.2V / ILIMIT
    • 檢測電阻應滿足:表面貼裝、低電感、功率額定足夠

?十一、電源建議?

  • ?本地大容量電容?:
    • 取決于電機系統(tǒng)的最高電流需求
    • 電源的電容和供電能力
    • 電源與電機系統(tǒng)之間的寄生電感量

?十二、布局指南?

  • ?熱考慮?:
    • 功率耗散主要由輸出FET電阻RDS(ON)決定
    • 熱關(guān)斷保護,芯片溫度超過約160°C時設(shè)備禁用

該器件集成功率級、控制邏輯和保護功能,為電池供電應用提供高效、可靠的電機驅(qū)動解決方案,特別適合需要恒定電機速度的場合

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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