DRV841x2 是高性能、集成雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有先進(jìn)的保護(hù)系統(tǒng)。

由于 H 橋 MOSFET 的低 RDS（on） 和智能柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，這些電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的效率最高可達(dá) 97%。這種高效率使得使用更小的電源和散熱器成為理想的選擇，是節(jié)能應(yīng)用的理想選擇。
*附件：drv8412.pdf

DRV841x2 需要兩個(gè)電源，一個(gè)為 12V 用于 GVDD 和 VDD，另一個(gè)為 PVDD 高達(dá) 50 V。DRV841x2 可以在高達(dá) 500kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行，同時(shí)仍保持精確控制和高效率。這些設(shè)備還具有創(chuàng)新的保護(hù)系統(tǒng)，可保護(hù)設(shè)備免受可能損壞系統(tǒng)的各種故障情況的影響。這些保護(hù)措施包括短路保護(hù)、過流保護(hù)、欠壓保護(hù)和兩級(jí)熱保護(hù)。DRV841x2 具有限流電路，可防止在電機(jī)啟動(dòng)等負(fù)載瞬變期間器件關(guān)斷?？?a target="_blank">編程過流檢測器允許調(diào)節(jié)電流限制和保護(hù)級(jí)別，以滿足不同的電機(jī)要求。

DRV841x2 為每個(gè)半橋具有獨(dú)特的獨(dú)立電源和接地引腳。這些引腳可以通過外部分流電阻器提供電流測量，并支持具有不同電源電壓要求的多個(gè)電機(jī)。

特性

• 高效率功率級(jí)（高達(dá)97%），具有低RDS（on）MOSFET（TJ = 25°C時(shí)為110mΩ）
• 工作電源電壓高達(dá) 52V
• DRV8412（電源墊向下）：雙全橋模式下高達(dá) 2 × 3A 連續(xù)輸出電流（峰值 2 × 6A）或并聯(lián)模式下高達(dá) 6A 連續(xù)電流（峰值 12A）
• DRV8432（電源墊向上）：雙全橋模式下高達(dá) 2 × 7A 連續(xù)輸出電流（峰值 2 × 12A）或并聯(lián)模式下高達(dá) 14A 連續(xù)電流（峰值 24A）
• PWM 工作頻率高達(dá) 500kHz
• 集成自保護(hù)電路，包括欠壓、過熱、過載和短路
• 可編程逐周期限流保護(hù)
• 每個(gè)半橋都有獨(dú)立的電源和接地引腳
• 智能柵極驅(qū)動(dòng)和交叉導(dǎo)通預(yù)防
• 無需外部緩沖器或肖特基二極管

參數(shù)

方框圖

?一、產(chǎn)品概述?
DRV84x2系列是德州儀器推出的高性能集成雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有先進(jìn)的保護(hù)系統(tǒng)。該系列包含DRV8412和DRV8432兩個(gè)型號(hào)，采用熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝，適用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

?二、核心特性?

?2.1 電氣性能?

• ?高效率功率級(jí)?：最高97%效率，采用低RDS(on) MOSFET
  • 導(dǎo)通電阻：110mΩ（TJ = 25°C）
• ?工作電壓?：最高52V
• ?輸出電流能力?：
  • DRV8412（功率焊盤朝下）：
    • 雙全橋模式：2×3A連續(xù)輸出電流（2×6A峰值）
    • 并聯(lián)模式：6A連續(xù)電流（12A峰值）
  • DRV8432（功率焊盤朝上）：
    • 雙全橋模式：2×7A連續(xù)輸出電流（2×12A峰值）
    • 并聯(lián)模式：14A連續(xù)電流（24A峰值）
• ?PWM工作頻率?：最高500kHz

?2.2 保護(hù)功能?

• 集成自保護(hù)電路，包括：
  • 欠壓保護(hù)
  • 過溫保護(hù)
  • 過載保護(hù)
  • 短路保護(hù)
• 可編程逐周期電流限制保護(hù)
• 智能門極驅(qū)動(dòng)和交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
• 無需外部緩沖器或肖特基二極管

?三、應(yīng)用領(lǐng)域?

• 有刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)
• 三相永磁同步電機(jī)
• 機(jī)器人和觸覺控制系統(tǒng)
• 執(zhí)行器和泵
• 精密儀器
• TEC驅(qū)動(dòng)器
• LED照明驅(qū)動(dòng)器

?四、技術(shù)規(guī)格?

?4.1 絕對(duì)最大額定值?

• VDD至GND：-0.3V至13.2V
• GVDD_X至GND：-0.3V至13.2V
• PVDD_X至GND_X：-0.3V至70V
• 瞬態(tài)峰值輸出電流：16A（每引腳）

?4.2 推薦工作條件?

• PVDD_X：0V至50V（52.5V最大值）
• GVDD_X：10.8V至13.2V
• VDD：10.8V至13.2V
• 脈沖峰值電流：15A（每輸出引腳）
• PWM開關(guān)頻率：最高500kHz
• 工作環(huán)境溫度：-40°C至85°C

?4.3 熱性能參數(shù)?

• ? DRV8412（DDW封裝，44引腳） ?：
  • 結(jié)到環(huán)境熱阻：24.5°C/W
  • 結(jié)到外殼熱阻：7.8°C/W

?五、功能描述?

?5.1 錯(cuò)誤報(bào)告系統(tǒng)?

• FAULT和OTW引腳均為低電平有效、開漏輸出
• 保護(hù)模式信號(hào)描述：
  • FAULT=0, OTW=0：過溫警告和（過溫關(guān)斷或過流關(guān)斷或欠壓保護(hù)）發(fā)生
  • FAULT=0, OTW=1：過流關(guān)斷或GVDD欠壓保護(hù)發(fā)生
  • FAULT=1, OTW=0：過溫警告
  • FAULT=1, OTW=1：設(shè)備正常工作

?5.2 設(shè)備保護(hù)系統(tǒng)?

• ?自舉電容欠壓保護(hù)?：防止高側(cè)MOSFET潛在故障
• ?過流保護(hù)?：
  • 兩種設(shè)置：逐周期電流限制模式和過流鎖存關(guān)斷模式
  • 可編程過流檢測閾值
• ?過溫保護(hù)?：
  • 兩級(jí)溫度保護(hù)系統(tǒng)
  • OTW信號(hào)：125°C（標(biāo)稱）
  • 過溫關(guān)斷：150°C（標(biāo)稱）
• ?欠壓保護(hù)和上電復(fù)位?：完全保護(hù)設(shè)備在任何上電/掉電和掉電情況下

?5.3 設(shè)備復(fù)位?

• 兩個(gè)復(fù)位引腳：RESET_AB和RESET_CD
• 獨(dú)立控制半橋A/B和C/D

?六、設(shè)備功能模式?
DRV84x2支持四種不同的操作模式：

1. ?雙全橋或四半橋?（帶逐周期電流限制）
2. ?雙全橋或四半橋?（帶過流鎖存關(guān)斷，無逐周期電流限制）
3. ?并聯(lián)全橋?（帶逐周期電流限制）
4. ?雙全橋?（每個(gè)全橋一個(gè)PWM輸入）帶逐周期電流限制

?七、應(yīng)用設(shè)計(jì)?

?7.1 典型應(yīng)用電路?

• ?全橋模式操作?：每個(gè)半橋獨(dú)立控制
• ?并聯(lián)全橋模式?：PWM_A控制半橋A和B，PWM_B控制半橋C和D
• ?步進(jìn)電機(jī)操作?：適用于兩相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• ?TEC驅(qū)動(dòng)器?：用于熱電冷卻器驅(qū)動(dòng)
• ?LED照明驅(qū)動(dòng)器?：用于LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

?7.2 電源供應(yīng)建議?

• ?大容量電容?：根據(jù)系統(tǒng)需求確定適當(dāng)大小
• ?電源供應(yīng)?：
  • 需要12V電源用于GVDD和VDD引腳
  • H橋電源供應(yīng)（PVDD）：最高50V

?八、布局指南?

?8.1 PCB材料推薦?

• FR-4玻璃環(huán)氧樹脂材料，兩面2oz銅

?8.2 接地平面?

• 使用大面積不間斷單接地平面

?8.3 去耦電容?

• 高頻去耦電容（100nF）應(yīng)靠近PVDD_X引腳

?九、熱考慮因素?

?9.1 DRV8412熱過孔設(shè)計(jì)建議?

• 熱焊盤必須與PCB良好焊接
• 建議使用多個(gè)過孔減少接地路徑阻抗

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該系列器件特別適合需要高效率、高可靠性和先進(jìn)保護(hù)功能的工業(yè)自動(dòng)化和精密控制應(yīng)用