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標簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
基于東芝產(chǎn)品的大型太陽能逆變器設(shè)計方案
新能源產(chǎn)業(yè)正在推動綠色低碳產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,集多種功能于一身的大型太陽能逆變器已成為關(guān)鍵應(yīng)用設(shè)備之一。其強大功能的實現(xiàn),離不開逆變器電路單元、柵極驅(qū)動電路...
STL120N10F8功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù),...
MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子(MOT)推出的P溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,具備高功率與電流處理能力,聚焦PW...
MOT3910J 雙 N 溝道增強型 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯...
基于STMicroelectronics EVALSTGAP1BS演示板的技術(shù)解析與應(yīng)用實踐
STMicroelectronics EVALSTGAP1BS演示板是基于STGAP1B1S電流隔離單柵極驅(qū)動器,用于N溝道MOSFET和IGBT,具有...
MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
MOT2165J是仁懋電子(MOT)推出的一款N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景,以低導(dǎo)通損...
?EVALSTGAP4S隔離式柵極驅(qū)動演示板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVALSTGAP4S演示板用于評估 STGAP4S先進的電隔離柵極驅(qū)動器,用于IGBT和SiC MOSFET。該...
SH63N65DM6AG功率MOSFET技術(shù)解析:半橋拓撲的高效解決方案
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET,提供650...
?STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù),利用了20年的超級結(jié)技術(shù)經(jīng)驗。STMic...
ZK30N100T N溝道增強型功率MOSFET技術(shù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-10-16 標簽:MOSFET 88 0
FS8810 ESD保護的MOSFET技術(shù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標簽:鋰離子電池MOSFETESD保護 123 0
FS60N03 N溝道增強型功率MOSFET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標簽:電阻MOSFET封裝 222 0
芯導(dǎo)科技助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控加速
在地緣政治的影響下,供應(yīng)鏈自主可控已成為長期議題,推動國產(chǎn)半導(dǎo)體替代、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定,已成為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界的共識與迫切需求。
2025-10-23 標簽:MOSFET功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 316 0
一、技術(shù)原理與核心差異 1. 回饋式電子負載 通過雙向電力電子變換技術(shù)(如PWM整流、逆變控制)實現(xiàn)電能回饋至電網(wǎng)或儲能系統(tǒng),核心模塊包括整流/逆變電路...
中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動器AiP4421/AiP4422
柵極驅(qū)動器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻器,其核心都離不開...
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列
【2025年10月17日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng),以及商用、工程和農(nóng)用車輛(CAV)等大功率應(yīng)用場景,正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與...
傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設(shè)計:核心原理與未來趨勢綜合技術(shù)評述
傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設(shè)計:核心原理與未來趨勢綜合技術(shù)評述 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGB...
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗方法及其意義
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗方法及其意義 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷...
博世碳化硅MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報獎
2025年9月24日,博世功率半導(dǎo)體技術(shù)專家周雯琪的學術(shù)論文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measure...
圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340
圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS...
2025年9月24日至26日,為期三天的PCIM Asia展會已于今日圓滿落幕。
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