DRV8436E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)由配置為兩個(gè)全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路組成。集成電流檢測(cè)采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu)，無(wú)需大型功率分流電阻，節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式，通過(guò)關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來(lái)實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過(guò)流 （OCP） 和器件過(guò)熱 （OTSD） 提供內(nèi)部保護(hù)功能。DRV8436E/P 能夠驅(qū)動(dòng)每個(gè) H 橋高達(dá) 1.5A 滿量程或 1.1A rms 輸出電流（取決于 PCB 設(shè)計(jì)）。
*附件：drv8436e.pdf

特性

• 雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • 一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)
  • 雙雙向有刷直流電機(jī)
  • 四個(gè)單向有刷直流電機(jī)
• 集成電流檢測(cè)功能
  • 無(wú)需檢測(cè)電阻
  • ±7.5% 滿量程電流精度
• 4.5 至 48V 工作電源電壓范圍
• 多種控制接口選項(xiàng)
  • 相位/啟用
  • PWM的
• 智能調(diào)諧衰減技術(shù)，固定慢速、快速和混合衰減選項(xiàng)
• 低R DS（開） ：900 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 每橋高電流容量：峰值 2.4 A、滿量程 1.5 A、1.1 均方根
• 可配置的關(guān)斷時(shí)間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （2 μA）
• 用于低電磁干擾 （EMI） 的擴(kuò)頻時(shí)鐘
• 小封裝和占地面積
• 保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過(guò)流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?雙H橋驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?
  • 支持驅(qū)動(dòng)：1個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)、2個(gè)雙向有刷直流電機(jī)或4個(gè)單向有刷直流電機(jī)。
  • ?集成電流檢測(cè)?：無(wú)需外置采樣電阻，全量程電流精度±7.5%。
• ?寬電壓范圍?
  • 工作電壓4.5-48V，峰值電流2.4A（瞬態(tài)），RMS電流1.1A（持續(xù)）。
• ?智能控制技術(shù)?
  • ?Smart Tune動(dòng)態(tài)衰減?：自動(dòng)優(yōu)化衰減模式（慢/混合/快衰減），適應(yīng)負(fù)載變化。
  • ?可配置PWM關(guān)斷時(shí)間?：7/16/24/32μs可選。
• ?低功耗設(shè)計(jì)?
  • 睡眠模式靜態(tài)電流僅2μA，支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?電流調(diào)節(jié)?
  • 通過(guò)VREFx引腳設(shè)置滿量程電流（IFS = VREFx/2.2）。
  • 支持非圓形半步模式（71%電流）以優(yōu)化高速扭矩。
• ?多重保護(hù)機(jī)制?
  • 包括欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵欠壓（CPUV）、過(guò)流保護(hù)（OCP）、熱關(guān)斷（OTSD）及故障輸出（nFAULT）。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• ?工業(yè)設(shè)備?：打印機(jī)、ATM機(jī)、紡織機(jī)械。
• ?消費(fèi)電子?：IP攝像頭、視頻會(huì)議設(shè)備。
• ?自動(dòng)化?：機(jī)器人、工廠自動(dòng)化系統(tǒng)。

?4. 封裝與版本?

• ?封裝選項(xiàng)?
  • HTSSOP-28（9.7mm×4.4mm）或VQFN-24（4mm×4mm）。
• ? 版本更新（SLVSFF0B） ?
  • 2022年7月（Rev B）：新增典型特性曲線，更新布局示例。
  • 2020年8月（Rev A）：文檔狀態(tài)變更為“生產(chǎn)數(shù)據(jù)”。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?電源設(shè)計(jì)?
  • VM需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容（每引腳）和≥10μF電解電容。
  • 電荷泵電容：CPH-CPL=0.022μF，VCP-VM=0.22μF/16V。
• ?熱管理?
  • HTSSOP封裝RθJA=31.3°C/W，VQFN封裝RθJA=41.3°C/W。
• ?布局建議?
  • 優(yōu)先使用4層PCB，縮短電機(jī)驅(qū)動(dòng)回路以降低熱阻。