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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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STGSH80HB65DAG汽車(chē)級(jí)IGBT技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南
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?EVALSTGAP4S隔離式柵極驅(qū)動(dòng)演示板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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在散熱器上安裝的IGBT模塊并非密封設(shè)計(jì),盡管芯片上方有一層硅膠,但是水汽仍然可以通過(guò)外殼間隙以及硅膠進(jìn)入器件芯片內(nèi)部。因此,器件在使用和存儲(chǔ)過(guò)程中,必...
?STGD4H60DF IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelec...
2025-10-23 標(biāo)簽:IGBT高速高頻轉(zhuǎn)換器 391 0
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽車(chē)級(jí)MS系列IGBT采用先進(jìn)、專(zhuān)有的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)。該IGBT屬于...
2025-10-20 標(biāo)簽:逆變器IGBT汽車(chē)級(jí) 853 0
STGWA30M65DF2AG汽車(chē)級(jí)IGBT深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽車(chē)級(jí)IGBT設(shè)計(jì)采用獲得專(zhuān)利的先進(jìn)溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelect...
2025-10-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT汽車(chē)級(jí) 1.5k 0
STGHU30M65DF2AG汽車(chē)級(jí)IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽車(chē)級(jí)IGBT采用先進(jìn)的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)。STMicroelectro...
2025-10-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT汽車(chē)級(jí) 1.3k 0
STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個(gè)IGBT和二極管。 ...
STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專(zhuān)有的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...
2025-10-15 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 997 0
?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
?UCC218915-Q1 汽車(chē)級(jí)單通道隔離預(yù)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC218915-Q1 是一款電隔離式單通道預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能...
2025-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器緩沖器 1.4k 0
UCC27735 700V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)...
?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接...
將萬(wàn)用表設(shè)置到 R×1KQ 位置。用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),如果一級(jí)和另外兩極的電阻值是無(wú)窮大的,則更換表筆后該極和另外兩極的電阻值仍然是無(wú)窮大,則判斷此極是柵極(G)。
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對(duì)于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 1.8k 0
浮思特 | TRinno特瑞諾 600V IGBT TGAF40N60F2D如何賦能高可靠性電源系統(tǒng)
在追求高效、節(jié)能與穩(wěn)定的電力電子世界里,IGBT作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心器件,其性能的優(yōu)劣直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的表現(xiàn)。因此,選擇一款性能卓越的IGBT至關(guān)...
2025-09-30 標(biāo)簽:IGBT電源系統(tǒng) 1.5k 0
TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28P650DH 微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28P659SH-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
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?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開(kāi)關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 1.5k 0
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