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IGBT好壞的測(cè)量方法

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-10-10 10:17 ? 次閱讀
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IGBT好壞的測(cè)量方法

PART1

先確定極性

在測(cè)量 IGBT 好壞之前,先必須要確定 IGBT的極性。

萬(wàn)用表設(shè)置到 R×1KQ 位置。用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),如果一級(jí)和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆后該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極(G)。

用萬(wàn)用表測(cè)量剩下的兩極,如果被測(cè)電阻為無窮大,則更換表筆后被測(cè)電阻變小。在第一次測(cè)量到小電阻值時(shí),判斷紅色表筆接集電極(C),黑色表筆接發(fā)射極(E)。

PART2

柵極觸發(fā)

將 3 個(gè)端子短接在一起,使 IGBT 放電。在測(cè)試過程中不要觸摸任何端子,始終將 IGBT 保持在黑色外殼上。將最小的引線作為連接,然后使用電阻從 C (集電極)端提供觸發(fā)電壓到觸發(fā) G(柵極) 端,好的 IGBT 會(huì)使萬(wàn)用表的指針向前移動(dòng)并指向某個(gè)電阻。

IGBT好壞測(cè)量圖解:

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電阻連接到 IGBT 圖

然后移除電阻(觸發(fā)電壓),IGBT 仍然讓電流流動(dòng),并且在觸發(fā)柵極時(shí)指針仍然指向相同的位置。去除觸發(fā)電壓后,指針仍指向同一位置(為良好的IGBT),否則為壞的IGBT。

IGBT好壞測(cè)量圖解:

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IGBT好壞測(cè)量圖解--將電阻從G端移除圖

PART3

二極管檔測(cè)試

IGBT 有3個(gè)腳,分別是G(柵極)、C(集電極)和 E(發(fā)射極),其工作原理是輸入電壓控制輸出電流。我們可以使用這個(gè)基本偏差來測(cè)試它是一個(gè)壞的還是好的 IGBT。

重要說明:這里使用的模擬萬(wàn)用表是黑色表筆是V+ 紅色表筆是V- 的版本,當(dāng)設(shè)置為電阻測(cè)試功能時(shí)。

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IGBT好壞測(cè)量圖解--萬(wàn)用表測(cè)IGBT好壞

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樣品 IGBT圖

1、模擬萬(wàn)用表測(cè)IGBT 好壞

1) 從數(shù)據(jù)表(datasheet)中獲取 IGBT 引腳圖。

2)將測(cè)試線與 IGBT 的管腳連接起來,如下圖所示。

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IGBT好壞測(cè)試圖解--測(cè)試連接圖

3)將模擬萬(wàn)用表設(shè)置為 Rx10K,因?yàn)榇朔秶鷮⒂蓛?nèi)部電池提供 9VDC。9VDC 足夠高以偏置門極,因此 IGBT 處于導(dǎo)通狀態(tài)。

4)用電阻的腳在 G 印腳和 C 引腳之間臨時(shí)連接,萬(wàn)用表的指針向前移動(dòng)到低電阻,如下圖所示。

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IGBT好壞測(cè)試圖解--將電阻與IGBT G端和C端臨時(shí)連接

5)去掉電阻引腳后,萬(wàn)用表指針位置不變,因?yàn)?IGBT 仍然工作在 ON狀態(tài),這是 IGBT 指示良好,而壞的IGBT不能保持 ON 狀態(tài),所以萬(wàn)用表指針向后移動(dòng)到∞位置拆下電阻的引腳后。

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IGBT 好壞測(cè)試圖解--去掉電阻后測(cè)試

6)測(cè)試 OFF 狀態(tài),用電阻管腳臨時(shí)連接 G (柵極)管腳和 E(發(fā)射極)管腳。好的 IGBT 可以偏置到 ON 和 OFF 狀態(tài),而不好的 IGBT 不能偏置到 ON 和 OFF 狀態(tài)。

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IGBT好壞測(cè)試圖解--測(cè)試off狀態(tài)

2、數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)IGBT 好壞

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)試 IGBT 好壞的步驟:

1)根據(jù) IGBT 型號(hào)在數(shù)據(jù)手冊(cè)(datasheet)查找引腳功能。

2)將 IGBT 的 3 個(gè)引腳短接或者連接在一起放電,然后不要接觸引腳。

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IGBT引腳圖

3)如果 C 和 E 腳有二極管,將數(shù)字萬(wàn)用表設(shè)置為二極管測(cè)試功能,好的二極管在正向偏置時(shí)會(huì)顯示 0.5-0.8 V 的電壓,并在扭轉(zhuǎn)偏差時(shí)顯示 “OL”。壞的 IGBT(短路)將顯示 000V,壞的 IGBT(開路)將顯示 “OL” 2 次。

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IGBT好壞測(cè)試圖解-帶有二極管的 CE 腳測(cè)試

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IGBT好壞測(cè)試圖解-帶二極管的 CE 腳測(cè)試(反向測(cè)試線)

4)如果 C 和 E 引腳沒有二極管,將數(shù)字萬(wàn)用表設(shè)置為電阻測(cè)試功能,好的IGBT有結(jié)果。好的IGBT會(huì)顯示高阻 1 次,顯示 “OL” 1 次。壞的 IGBT(短路) 顯示 0 ohm 2 次,壞的 IGBT(開路 ) 顯示 “OL” 2 次。

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IGBT 好壞測(cè)試圖解--CE 引腳測(cè)試, CE引腳上沒有連接二極管

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IGBT好壞測(cè)試圖表-CE 引腳腳測(cè)試(反向測(cè)試線),CE引腳上沒有連接二極管

5)檢查 G (柵極)和 C(集電極) 引腳,將測(cè)試線連接到 G(柵極) 和 C (集電極)引腳。

6)將數(shù)字萬(wàn)用表設(shè)置為電阻測(cè)試功能,好的 IGBT 會(huì)顯示 2 次“OL”,因?yàn)樵跂艠O引腳結(jié)處有一個(gè)絕緣體,所以萬(wàn)用表無法測(cè)量該電阻(顯示“OL”)是非常非常高的電阻。不良的 IGBT(柵極泄漏)會(huì)顯示出一些電阻。

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IGBT好壞測(cè)試圖解-G和C管引腳測(cè)試

7)檢查G(柵極)和E(發(fā)射極)引腳,將數(shù)字萬(wàn)用表設(shè)置為電阻測(cè)試功能。

8)將測(cè)試線連接到 G (柵極)和 E (發(fā)射極)引腳,進(jìn)行測(cè)試,然后切換測(cè)試線重新測(cè)試。好的IGBT會(huì)顯示“OL” 2 次,因?yàn)闁艠O引腳結(jié)有一個(gè)絕緣體,所以萬(wàn)用表無法測(cè)量這個(gè)電阻是非常非常高的電阻。不良的 IGBT(柵極泄漏)會(huì)表現(xiàn)出一些電阻。

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IGBT好壞測(cè)試圖解--G和E引腳測(cè)試

3、電阻檔測(cè)試

如果大家知道使用基本的萬(wàn)用表并且知道如何測(cè)試二極管,就可以輕松地測(cè)試 IGBT 。測(cè)試 IGBT 注意三個(gè)引腳(G、E、C)。

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IGBT電路圖

有些型號(hào)的 IGBT 具有跨 C和 E 端子連接的內(nèi)部二極管,大電流和大 IGBT 往往會(huì)因?yàn)槎搪泛烷_路的情況失效,因此在測(cè)試所有過程之前,先檢查短路和開路情況。

用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)試 IGBT 的步驟:

1)使用電阻引腳或者其他類似的金屬線將 3 個(gè)端子短接在一起,使 IGBT 放電。放電后不能觸碰任何端子,在測(cè)試過程使用保持在絕緣區(qū)域或者黑色外殼上,在進(jìn)行任何測(cè)試前,記得前從電路板上把 IGBT 給取下來。

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將 3 個(gè)端子短接在一起,使 IGBT 放電

2)使用 Rx1K Ohm 范圍測(cè)試 C 和 E 端子。觸摸表筆并讀取測(cè)量值。切換表筆并再次讀取測(cè)量值。好的 IGBT 會(huì)顯示一些電阻 1 次和“ ∞ ”1 次。短路 IGBT 將指向“ 0 Ohm ”2 次,開路的 IGBT 將指向“ ∞ ”2 次。

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IGBT好壞測(cè)試圖解-好的 IGBT 會(huì)指向某個(gè)電阻 1 倍

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IGBT好壞測(cè)試圖解-好的 IGBT 將指向“ ∞ ”刻度 1 次

3)使用 Rx10K Ohm 范圍測(cè)試 G 和 C 端子。觸摸表筆并讀取測(cè)量值。切換表筆并再次讀取測(cè)量值。好的 IGBT 會(huì)顯示“∞ ” 2 次。

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使用 Rx10K Ohm 范圍測(cè)試 G 和 C 端子

4)使用 Rx10K Ohm 范圍測(cè)試 G 和 E 端子。觸摸表筆并讀取測(cè)量值。切換表筆并再次讀取測(cè)量值。好的 IGBT 會(huì)顯示“∞” 2 次。

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IGBT好壞測(cè)試圖解-使用 Rx10K Ohm 范圍測(cè)試 G 和 E 端子

所有步驟 1、2、3 到 4 每次測(cè)試都必須處于良好狀態(tài),因此 IGBT 處于良好狀態(tài),只要有 1 步中的任何一步失敗,則 IGBT 已經(jīng)壞了。

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原文標(biāo)題:IGBT好壞的測(cè)量方法

文章出處:【微信號(hào):JNsemi,微信公眾號(hào):青島佳恩半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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