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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD20N03HL-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD20N03HL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NTD20N03HL-VB

NTD20N03HL-VB是一款高效能的N通道MOSFET,封裝為T(mén)O252,設(shè)計(jì)用于低電壓和高電流應(yīng)用。其最大漏極-源電壓(VDS)為30V,適合電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。閾值電壓(Vth)為1.7V,使其在較低的柵極電壓下即可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)啟。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為9mΩ(VGS=4.5V)和7mΩ(VGS=10V),提供卓越的電流承載能力,最大持續(xù)電流(ID)達(dá)到70A,適用于高功率要求的場(chǎng)合。采用Trench技術(shù),有效提高了其開(kāi)關(guān)性能和熱管理能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:NTD20N03HL-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  NTD20N03HL-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,確保高效能和低功耗,是電源設(shè)計(jì)中的理想選擇。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET適合用于電動(dòng)機(jī)控制電路,能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高功率直流電動(dòng)機(jī),應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)輛和工業(yè)自動(dòng)化。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  在LED照明應(yīng)用中,NTD20N03HL-VB能夠作為開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的LED驅(qū)動(dòng),適用于各種商業(yè)和家庭照明解決方案。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  該MOSFET可用于高效的負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì),適合家電和工業(yè)設(shè)備的電源切換,提升系統(tǒng)的整體效率。

5. **高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
  NTD20N03HL-VB適合高頻開(kāi)關(guān)電路,能夠處理高頻信號(hào),廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和電源轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

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