### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD50N03RG-VB是一款高效能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專(zhuān)為高電流和中等電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的散熱性能使其在電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出，能夠滿(mǎn)足嚴(yán)苛的性能要求。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**：TO252
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏極源極電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
- 4.5V時(shí)：6mΩ
- 10V時(shí)：5mΩ
- **最大漏極電流（ID）**：80A
- **技術(shù)**：Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD50N03RG-VB廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理模塊，以其低導(dǎo)通電阻和高效能為特點(diǎn)。此外，該MOSFET也適用于電機(jī)控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)及其他需要高電流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，確保高效和可靠的性能。