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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD110N02RG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD110N02RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD110N02RG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NTD110N02RG-VB 是一款高效能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為低電壓高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為20V,最大柵源電壓 (VGS) 為±20V。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在VGS為2.5V時(shí)為6mΩ,而在VGS為4.5V時(shí)更低至4.5mΩ,確保了高效的電流傳輸和極小的熱損耗。其最大漏電流 (ID) 可達(dá)到100A,適合各種對(duì)電流要求較高的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NTD110N02RG-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**: NTD110N02RG-VB 在開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用,其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保高效電力轉(zhuǎn)換。

2. **電動(dòng)工具**: 該MOSFET適合用于電動(dòng)工具的電機(jī)控制,能夠提供穩(wěn)定的高電流輸出,以支持工具的高性能運(yùn)行。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**: NTD110N02RG-VB 在LED照明應(yīng)用中也有很好的表現(xiàn),可用于驅(qū)動(dòng)電流調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)高亮度和長(zhǎng)壽命的LED燈。

4. **汽車(chē)電子**: 在汽車(chē)電源管理系統(tǒng)中,該器件可以用于電動(dòng)窗和座椅調(diào)節(jié)器,為這些功能提供高效、可靠的電流控制。

5. **消費(fèi)電子**: NTD110N02RG-VB 還適合用于便攜式電子設(shè)備的電池管理和充電器設(shè)計(jì),其高效特性有助于延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

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