LMG3410 LMG3410 Spitfire - 具有集成驅(qū)動器和安全開關(guān)的智能 GaN FET

數(shù)據(jù)： LMG3410 600-V 12-A Integrated GaN Power Stage 數(shù)據(jù)表

描述

LMG3410單通道氮化鎵（GaN）功率級包含一個70mΩ，600V GaN功率晶體管，一個優(yōu)化的驅(qū)動器，并且內(nèi)置 - 采用低電感8 mm×8 mm QFN封裝，提供保護。與基于硅FET的解決方案相比，LMG3410功率級與TI ?? sanalog和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合，使設計人員能夠創(chuàng)建更小，更高效和更高性能的設計。這些優(yōu)勢在隔離的高壓工業(yè)，電信，企業(yè)計算和可再生能源應用中尤為重要。

憑借其集成的驅(qū)動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410可在硬開關(guān)應用中提供可靠的性能，可顯著降低開關(guān)損耗高達80％。與獨立的GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了內(nèi)置智能，可用于溫度，電流和欠壓鎖定（UVLO）故障保護。

最后，外部可調(diào)節(jié)的壓擺率和低電感QFN封裝可最大限度地減少開關(guān)損耗，電壓振鈴和電噪聲的產(chǎn)生

特性

用于12A操作的70mΩ，600V GaN功率級
集成柵極驅(qū)動器
- 零公共源電感
- 20-ns傳播延遲
- 1MHz操作
- 僅單+ 12V非調(diào)節(jié)電源
- 集成柵極驅(qū)動器BiasSupply
內(nèi)置保護， FAULT 輸出信號
- 高速過流保護＆lt; 100ns響應時間
- 過溫保護
- 所有SupplyRails上的UVLO保護
可切換的外部可調(diào)驅(qū)動強度性能和EMI控制
- 支持25至100 V /ns
- 柵極驅(qū)動電感無妥協(xié)
輔助5V LDO輸出
低電感8mm x 8mm QFN封裝，易于布局和設計

所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 模塊

?
Configuration
VDS (Max) (V)
ID (Max) (A)
RDS (on) (Milliohm)
Coss (pF)
VCC (V)
Logic Level
Prop Delay (ns)
Control Method
?

LMG3410	LMG5200
Single-Channel Power Stage ? ?	Half Bridge Power Stage ? ?
600 ? ?	80 ? ?
12 ? ?	10 ? ?
70 ? ?	15 ? ?
71 ? ?	266 ? ?
12 ? ?	5 ? ?
3V to 5V CMOS and TTL ? ?	3V to 5V CMOS and TTL ? ?
20 ? ?	29.5 ? ?
External ? ?	External ? ?