動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:54

  橢偏儀測量薄膜厚度的原理與應(yīng)用

  

  在半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜及新能源材料等領(lǐng)域，精確測量薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)是材料表征的關(guān)鍵步驟。Flexfilm光譜橢偏儀（SpectroscopicEllipsometry,SE）作為一種非接觸、非破壞性的光學(xué)測量技術(shù)，通過分析光與材料相互作用后偏振態(tài)的變化，能夠同時獲取薄膜的厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù)。本文將從原理、測量流程及實際應(yīng)用三個方面，解析橢偏儀如何實現(xiàn)

  測量 薄膜厚度

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:54

  聚焦位置對光譜橢偏儀膜厚測量精度的影響

  

  在半導(dǎo)體芯片制造中，薄膜厚度的精確測量是確保器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入納米級，單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜，且每層厚度僅幾納米至幾十納米。光譜橢偏儀因其非接觸、高精度和快速測量的特性，成為半導(dǎo)體工業(yè)中膜厚監(jiān)測的核心設(shè)備。1寬光譜橢偏儀工作原理flexfilm寬光譜橢偏儀通過分析偏振光與樣品相互作用后的偏振態(tài)變化，測量薄膜的厚度與光學(xué)性質(zhì)。其核心

  光譜 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:54

  薄膜厚度測量技術(shù)的綜述：從光譜反射法（SR）到光譜橢偏儀（SE）

  

  薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用，其厚度通常小于一微米。對于這些薄膜厚度的精確測量對于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，能夠測量薄膜厚度的技術(shù)非常有限，而光學(xué)方法因其非接觸和非破壞性特點(diǎn)而被廣泛采用。Flexfilm全光譜橢偏儀不僅能夠滿足工業(yè)生產(chǎn)中對薄膜厚度和光學(xué)性質(zhì)的高精度測量需求，還能為科研人員提供豐富的光譜信息，助力新材料的研發(fā)和應(yīng)用。1光

  光譜 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  基于像散光學(xué)輪廓儀與單點(diǎn)膜厚技術(shù)測量透明薄膜厚度

  

  透明薄膜在生物醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體及光學(xué)器件等領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，其厚度與光學(xué)特性直接影響器件性能。傳統(tǒng)接觸式測量方法（如觸針輪廓儀）易損傷樣品，而非接觸式光學(xué)方法中，像散光學(xué)輪廓儀（基于DVD激光頭設(shè)計）雖具備高分辨率全場掃描能力，但對厚度小于25μm的薄膜存在信號耦合問題。本研究通過結(jié)合FlexFilm單點(diǎn)膜厚儀的光學(xué)干涉技術(shù)，開發(fā)了一種覆蓋15nm至1.2mm

  光學(xué)器件 測量 表面輪廓儀

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  大面積薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述：全光譜橢偏技術(shù)

  

  在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中，大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法（如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察）雖能提供高精度數(shù)據(jù)，但測量范圍有限且效率較低，難以滿足工業(yè)級大面積表面的快速檢測需求。本文聚焦光學(xué)表征技術(shù)的革新，重點(diǎn)闡述橢偏儀等光學(xué)方法在大面積薄膜映射與成像中的突破性應(yīng)用。其中，F(xiàn)lexfilm全光譜橢偏儀以其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，在大面積薄

  測量 薄膜光伏

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  生物聚合物薄膜厚度測定：從傳統(tǒng)觸探輪廓儀到全光譜橢偏儀

  

  生物聚合物薄膜（如纖維素、甲殼素、木質(zhì)素）因其可調(diào)控的吸水性、結(jié)晶度和光學(xué)特性，在涂層、傳感器和生物界面模型等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。薄膜厚度是決定其性能的關(guān)鍵參數(shù)，例如溶脹行為、分子吸附和光學(xué)響應(yīng)。然而，生物聚合物的高親水性、軟質(zhì)結(jié)構(gòu)及表面異質(zhì)性使厚度精確測定面臨挑戰(zhàn)。本文系統(tǒng)總結(jié)了現(xiàn)有測定技術(shù)，以纖維素為代表性案例，探討方法優(yōu)勢與局限性。近年來，F(xiàn)lexfilm全

  傳感器 機(jī)械

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  白光色散干涉：實現(xiàn)薄膜表面輪廓和膜厚的高精度測量

  

  薄膜結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于微電子器件、光學(xué)涂層、傳感器等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，對薄膜結(jié)構(gòu)的檢測精度和效率提出了更高的要求。傳統(tǒng)的檢測方法，如橢圓偏振法、反射法和白光掃描干涉法等，雖然在一定程度上能夠滿足測量需求，但存在一些局限性。針對這些現(xiàn)有技術(shù)的不足，本文提出了一種基于白光色散干涉法（WLDI）的高精度測量系統(tǒng)。該系統(tǒng)

  測量 表面輪廓儀

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  臺階高度的測量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實現(xiàn)測量誤差<1%

  

  在半導(dǎo)體芯片制造過程中，臺階結(jié)構(gòu)的精確測量至關(guān)重要，通常采用白光干涉儀或步進(jìn)儀等非接觸式測量設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控。然而，SiO?/Si臺階高度標(biāo)準(zhǔn)在測量中存在的問題顯著影響了測量精度。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的上表面（SiO?）和下表面（Si）的折射率（n）和消光系數(shù)（k）差異導(dǎo)致了反射光的干涉相消現(xiàn)象，進(jìn)而影響白光干涉儀的測量結(jié)果。為解決這一問題，本研究結(jié)合半導(dǎo)體濺射工藝，提出在

  半導(dǎo)體 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  薄膜質(zhì)量關(guān)鍵 | 半導(dǎo)體/顯示器件制造中薄膜厚度測量新方案

  

  在半導(dǎo)體和顯示器件制造中，薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能?，F(xiàn)有的測量技術(shù)包括光譜橢偏儀（SE）和光譜反射儀（SR）用于薄膜厚度的測量，以及低相干干涉法（LCI）、彩色共焦顯微鏡（CCM）和光譜域干涉法（SDI）用于基板厚度的測量。本研究提出SR-SDI集成光學(xué)系統(tǒng)，通過可見光反射譜與近紅外干涉譜的協(xié)同處理，實現(xiàn)跨尺度同步厚度測量，并開發(fā)模型化干涉分析算

  半導(dǎo)體 顯示器件 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53

  傳輸線法（TLM）優(yōu)化接觸電阻：實現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化

  

  本文通過傳輸線方法（TLM）研究了不同電極材料（Ti、Al、Ag）對非晶Si-Zn-Sn-O（a-SZTO）薄膜晶體管（TFT）電氣性能的影響，通過TLM接觸電阻測試儀提取了TFT的總電阻（RT）和接觸電阻（RC），結(jié)合電學(xué)表征和能帶分析，發(fā)現(xiàn)Ti電極因形成歐姆接觸且功函數(shù)差最小，顯著提升了遷移率和亞閾值擺幅等關(guān)鍵參數(shù)。1實驗設(shè)計與制備flexfilm(a)

  TLM 接觸電阻 晶體管

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