動(dòng)態(tài)
-
發(fā)布了文章 2025-07-23 14:32
晶圓清洗工藝有哪些類型
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓清洗工藝可分為以下幾類：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學(xué)槽中，依次浸泡807瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 16:54
晶圓清洗后表面外延顆粒要求
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通?！?μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm2（具體取決于工藝節(jié)點(diǎn)）。部分應(yīng)用（如功率器件）可接受更低標(biāo)準(zhǔn)，但需避免肉眼可見污1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 16:51
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓尺寸與清洗挑戰(zhàn)小尺寸晶圓（2-6英寸）特點(diǎn)：面積小、厚度較?。ㄈ?英寸晶圓厚度約500μm），機(jī)械強(qiáng)度低，易受流體沖擊損傷。挑戰(zhàn)：清洗槽體積較小，易因流體不均勻?qū)е?1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-21 14:42
-
發(fā)布了文章 2025-07-21 14:38
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-15 15:25
QDR清洗設(shè)備 芯矽科技
產(chǎn)品型號(hào)：qdrqxsb 非標(biāo)定制：根據(jù)客戶需求定制130瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-15 15:14
臥式石英管舟清洗機(jī) 芯矽科技
產(chǎn)品型號(hào)：wssygzqxj 非標(biāo)定制：根據(jù)需求定制47瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-15 15:00
晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面，形成所需的電路或結(jié)構(gòu)（如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等）。材料去除：通過化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻：依賴等離子體或離子束（如ICP、R665瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-15 14:59
晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠、有機(jī)殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。常用溶劑：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻膠。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的環(huán)保溶劑。N-甲基吡咯烷酮（NMP）982瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-14 13:15
酸性溶液清洗劑的濃度是多少合適
酸性溶液清洗劑的濃度選擇需綜合考慮清洗目標(biāo)、材料特性及安全要求。下文將結(jié)合具體案例，分析濃度優(yōu)化與工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)。酸性溶液清洗劑的合適濃度需根據(jù)具體應(yīng)用場景、清洗對(duì)象及污染程度綜合確定，以下是典型范圍和參考：1.一般工業(yè)清洗（金屬除銹、氧化層）硫酸（H?SO?）：5%~15%適用于去除鐵銹、氧化鋁等，濃度過高易導(dǎo)致金屬過腐蝕或氫脆。鹽酸（HCl）：5%~913瀏覽量
