動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-08-26 13:34
標(biāo)準(zhǔn)清洗液sc1成分是什么
標(biāo)準(zhǔn)清洗液SC-1是半導(dǎo)體制造中常用的濕法清洗試劑，其核心成分包括以下三種化學(xué)物質(zhì)：氨水（NH?OH）：作為堿性溶液提供氫氧根離子（OH?），使清洗液呈弱堿性環(huán)境。它能夠輕微腐蝕硅片表面的氧化層，并通過電化學(xué)作用使顆粒與基底脫離；同時增強對有機物的溶解能力124。過氧化氫（H?O?）：一種強氧化劑，可將碳化硅表面的顆粒和有機物氧化為水溶性化合物，便于后續(xù)沖洗560瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-25 16:43
半導(dǎo)體清洗選型原則是什么
半導(dǎo)體清洗設(shè)備的選型是一個復(fù)雜的過程，需綜合考慮多方面因素以確保清洗效果、效率與兼容性。以下是關(guān)鍵原則及實施要點：污染物特性適配性污染物類型識別：根據(jù)目標(biāo)污染物的種類（如顆粒物、有機物、金屬離子或氧化層）選擇對應(yīng)的清洗方式。例如，RCA法中的SC-1溶液擅長去除顆粒和有機殘留，而稀HF則用于精確蝕刻二氧化硅層。對于頑固碳沉積物，可能需要采用高溫Piranha280瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-25 16:40
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發(fā)布了文章 2025-08-20 13:35
去離子水沖洗的正確方法
去離子水沖洗是半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝步驟，其正確操作直接影響產(chǎn)品的潔凈度和性能。以下是標(biāo)準(zhǔn)化流程及注意事項：一、前期準(zhǔn)備設(shè)備檢查與校準(zhǔn)確保去離子水系統(tǒng)的電阻率≥18MΩ·cm（符合ASTMD5127標(biāo)準(zhǔn)），定期檢測水質(zhì)避免離子污染。確認沖洗設(shè)備的噴嘴無堵塞或泄漏，壓力穩(wěn)定在設(shè)定范圍內(nèi)（通常0.2–0.5MPa）。若使用自動化機械臂或旋轉(zhuǎn)臺，需提前調(diào)試 -
發(fā)布了文章 2025-08-20 12:00
半導(dǎo)體清洗機如何優(yōu)化清洗效果
一、工藝參數(shù)精細化調(diào)控1.化學(xué)配方動態(tài)適配根據(jù)污染物類型（有機物/金屬離子/顆粒物）設(shè)計階梯式清洗方案。例如：去除光刻膠殘留時采用SC1配方（H?O?:NH?OH=1:1），配合60℃恒溫增強氧化分解效率；清除重金屬污染則使用SC2槽（HCl:H?O?=3:1），利用氯離子絡(luò)合作用實現(xiàn)選擇性蝕刻。引入在線電導(dǎo)率監(jiān)測裝置，實時修正化學(xué)液濃度波動，確保不同批次間1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-19 11:40
半導(dǎo)體行業(yè)中清洗芯片晶圓陶瓷片硅片方法一覽
在半導(dǎo)體行業(yè)中，清洗芯片晶圓、陶瓷片和硅片是確保器件性能與良率的關(guān)鍵步驟。以下是常用的清洗方法及其技術(shù)要點：物理清洗法超聲波清洗：利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生的空化效應(yīng)破壞顆粒與表面的結(jié)合力，使污染物脫落。適用于去除大顆粒及松散附著物13；兆聲波清洗（MegasonicCleaning）：相比傳統(tǒng)超聲波頻率更高，能更高效地清除亞微米級顆粒且不損傷表面3；刷洗與噴908瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-19 11:33
晶圓清洗后的干燥方式
晶圓清洗后的干燥是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是在不損傷材料的前提下實現(xiàn)快速、均勻且無污染的脫水過程。以下是主要干燥方式及其技術(shù)特點：1.旋轉(zhuǎn)甩干（SpinDrying）原理：將清洗后的晶圓置于高速旋轉(zhuǎn)平臺上，通過離心力使表面液體向邊緣甩出，形成薄液膜后進一步蒸發(fā)。此過程通常結(jié)合溫控系統(tǒng)加速水分揮發(fā)。優(yōu)勢：操作簡單高效，適用于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅片；可精873瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-18 16:45
rca槽式清洗機 芯矽科技
產(chǎn)品型號：rcacsqxj 非標(biāo)定制：根據(jù)客戶需求定制49瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-18 16:40
自動槽式清洗機 芯矽科技
產(chǎn)品型號：zdvsqxj 非標(biāo)定制：根據(jù)客戶需求定制33瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-18 16:37
晶圓部件清洗工藝介紹
晶圓部件清洗工藝是半導(dǎo)體制造中確保表面潔凈度的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其核心在于通過多步驟、多技術(shù)的協(xié)同作用去除各類污染物。以下是該工藝的主要流程與技術(shù)要點：預(yù)處理階段首先進行初步除塵，利用壓縮空氣或軟毛刷清除大顆粒雜質(zhì)，防止后續(xù)清洗液被過度污染。隨后采用超聲波粗洗，將晶圓浸入含有非離子型表面活性劑的去離子水中，通過高頻振動產(chǎn)生的空化效應(yīng)剝離附著力較弱的污染物，為深度清潔812瀏覽量
