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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅(qū)動(dòng)、MCU等硬件知識(shí),行業(yè)應(yīng)用和解決方案,以及電子相關(guān)的行業(yè)資訊。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-05-26 11:32

    浮思特 | 實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器更智能的直流母線放電技術(shù)

    在汽車(chē)逆變器中,高壓直流母線電容的放電通常需要龐大昂貴的外部元件,這不僅顯著推高了物料清單(BOM)成本(每個(gè)逆變器約4-6美元),占用寶貴的PCB空間,更增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度——對(duì)于空間緊湊且成本敏感的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用尤為突出。恩智浦GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)了一項(xiàng)高度集成的解決方案,通過(guò)將放電功能直接嵌入驅(qū)動(dòng)IC,重新定義了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的放電策略實(shí)施方式。
  • 發(fā)布了文章 2025-05-22 13:42

    浮思特 | 超導(dǎo)與半導(dǎo)體單光子探測(cè)器:量子通信中的技術(shù)博弈

    近日,英國(guó)創(chuàng)新署宣布啟動(dòng)MARCONI項(xiàng)目,旨在研發(fā)量子密鑰分發(fā)(QKD)接收器。面對(duì)當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)安全威脅,該機(jī)構(gòu)正通過(guò)兩項(xiàng)技術(shù)推動(dòng)QKD網(wǎng)絡(luò)建設(shè),以期構(gòu)建覆蓋英國(guó)的全域安全量子通信網(wǎng)絡(luò)。作為終端設(shè)備,這些接收器通過(guò)單光子探測(cè)器(圖1)實(shí)現(xiàn)量子密鑰的解碼與處理——該裝置能精確測(cè)量攜帶加密量子密鑰的單個(gè)光子量子態(tài)。圖1SPAD與SNSPD系統(tǒng)對(duì)比在QKD網(wǎng)絡(luò)的小型
  • 發(fā)布了文章 2025-05-21 11:58

    浮思特 | 霍爾效應(yīng)傳感器:非接觸式電流測(cè)量的關(guān)鍵技術(shù)

    霍爾效應(yīng)由埃德溫·霍爾于1879年發(fā)現(xiàn),但直到數(shù)十年后技術(shù)發(fā)展才使得集成電路能夠充分利用這一現(xiàn)象。如今,霍爾效應(yīng)傳感器集成電路為實(shí)現(xiàn)精確電流測(cè)量提供了便捷方案,同時(shí)保持被測(cè)電流路徑與測(cè)量電路之間的電氣隔離。從洛倫茲力到霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是洛倫茲力的延伸,后者描述了運(yùn)動(dòng)電荷(如電子)在磁場(chǎng)中受到的力。當(dāng)磁場(chǎng)方向與電子運(yùn)動(dòng)方向垂直時(shí),電子將受到一個(gè)既垂直于運(yùn)動(dòng)方向
  • 發(fā)布了文章 2025-05-20 11:59

    霍爾效應(yīng)電流傳感器技術(shù)解析:開(kāi)環(huán)與閉環(huán)架構(gòu)的設(shè)計(jì)

    電流傳感器在各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛使用。傳統(tǒng)電阻式電流檢測(cè)技術(shù)通過(guò)測(cè)量分流電阻兩端的壓降來(lái)推算電流值,但這類(lèi)方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)電氣隔離,且在測(cè)量大電流時(shí)能效較低。另一種主流技術(shù)基于霍爾效應(yīng)原理?;魻栯娏鱾鞲衅魍ㄟ^(guò)感應(yīng)被測(cè)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行非接觸測(cè)量,其電氣隔離特性可提供更高的安全性,同時(shí)避免了分流電阻方案中的功率損耗問(wèn)題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。開(kāi)環(huán)電
  • 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:30

    歐洲投資銀行計(jì)劃籌集700億歐元:致力于AI和半導(dǎo)體發(fā)展

    當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月17日,歐洲投資銀行(EIB)行長(zhǎng)納迪婭·卡爾維尼奧在一次會(huì)議上透露,該行正在推進(jìn)一項(xiàng)雄心勃勃的新計(jì)劃,旨在到2027年籌集700億歐元,以提升歐洲在人工智能和半導(dǎo)體等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的能力。此項(xiàng)計(jì)劃被視為“科技?xì)W盟”項(xiàng)目的一部分,標(biāo)志著歐盟在全球高科技競(jìng)爭(zhēng)中的進(jìn)一步發(fā)展和戰(zhàn)略布局??柧S尼奧在會(huì)議上強(qiáng)調(diào),面對(duì)全球科技競(jìng)爭(zhēng)的加劇,尤其是在人工智能和半
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:29

    浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解:原理、計(jì)算與應(yīng)用指南

    下拉電阻是電子電路設(shè)計(jì)中的重要組成部分,尤其在處理數(shù)字邏輯、晶體管和通信接口時(shí)。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計(jì)算方式、應(yīng)用場(chǎng)景、選型要點(diǎn)、功耗考量,以及在晶體管和串行通信線路中的實(shí)際應(yīng)用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號(hào)線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當(dāng)信號(hào)線無(wú)主動(dòng)驅(qū)動(dòng)時(shí),能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通
  • 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:09

    AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng) 2030年全球產(chǎn)值或突破萬(wàn)億美元大關(guān)

    全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期。臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)近日透露,在人工智能(AI)技術(shù)的強(qiáng)勁推動(dòng)下,2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將超過(guò)10%。更值得關(guān)注的是,到2030年,全球半導(dǎo)體行業(yè)總產(chǎn)值有望達(dá)到1萬(wàn)億美元規(guī)模,其中AI相關(guān)應(yīng)用將貢獻(xiàn)近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年",生成式AI技術(shù)的爆發(fā)性發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:08

    浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵

    目前全球每年銷(xiāo)售約2.2億臺(tái)冰箱和冰柜,2024年市場(chǎng)規(guī)模約為750億美元。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將以6.27%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng),到2032年將達(dá)到約1200億美元。當(dāng)前冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用兩種硅基技術(shù):一種是IGBT,另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術(shù)中,高壓MOSFET的采用正在加速,這主要得益于兩大趨勢(shì)。第一個(gè)趨勢(shì)是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化,通過(guò)
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:20

    PCIM 2025:面向電動(dòng)汽車(chē)與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件

    隨著全球電氣化進(jìn)程加速,工程師們面臨著一個(gè)核心難題:如何在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度,同時(shí)不犧牲散熱性能與長(zhǎng)期可靠性。無(wú)論是電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源系統(tǒng)還是先進(jìn)工業(yè)設(shè)備,傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開(kāi)關(guān)速度、更嚴(yán)苛的能效要求以及日益復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景,都在呼喚性能更強(qiáng)的功率半導(dǎo)體解決方案。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),SemiQ、英飛凌、安世半導(dǎo)體和納微半導(dǎo)體四
  • 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:18

    SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開(kāi)啟高壓高效新時(shí)代

    自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái),基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過(guò)去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化,但東芝公司通過(guò)解決閂鎖效應(yīng)問(wèn)題,大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應(yīng)用版圖。隨后,眾多廠商的加入推動(dòng)該器件在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。時(shí)至今日,全球已有約20家主要供應(yīng)商,市場(chǎng)規(guī)模從最初的數(shù)百萬(wàn)美元擴(kuò)展
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公司介紹:深圳市浮思特科技有限公司半導(dǎo)體行業(yè)12年企業(yè),為客戶(hù)提供從產(chǎn)品選型到方案研發(fā)一站式服務(wù)。主營(yíng)范圍是電子方案開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)和電子元器件代理銷(xiāo)售,專(zhuān)注在新能源、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、家用電器、觸控顯示,4大領(lǐng)域的方案研發(fā),為客戶(hù)提供從方案研發(fā)到選型采購(gòu)的一站式服務(wù)。公司產(chǎn)品線分為4大類(lèi):新能源、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、家用電器、觸控顯示。各產(chǎn)品線已有穩(wěn)定合作中的大客戶(hù)群體。公司有12年的電子元器件研發(fā)經(jīng)驗(yàn)沉淀和代理銷(xiāo)售經(jīng)驗(yàn),內(nèi)部流程完整、組織架構(gòu)清晰,服務(wù)客戶(hù)超萬(wàn)位。有專(zhuān)利信息11條,著作權(quán)信息41條,是一家長(zhǎng)期、持續(xù)追求核心技術(shù)的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶豐明源、敦泰電子、希磁科技、奧倫德、里陽(yáng)。公司主要銷(xiāo)售電子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二極管、碳化硅二極管/碳化硅MOSFET、光耦。

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