動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-12 17:05

  功率器件熱設計基礎（十四）----熱成像儀測溫度概述

  

  摘要功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設計的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章已經(jīng)比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識、相關標準和工程測量方法，本篇的話題是《使用熱成像儀測溫度的注意事項》。用熱成像儀測溫度，在電力電子系統(tǒng)設計和

  功率器件 熱成像儀 熱設計

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• 發(fā)布了文章 2025-09-09 17:19

  海上風電高壓直流集成經(jīng)濟型方案與性能比較

  

  完整版內(nèi)容請關注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布內(nèi)容摘要隨著海上風電場容量的增加和選址向深遠海進一步延伸，高壓直流(HVDC)技術成為遠距離電力傳輸?shù)年P鍵。本文介紹三種海上高壓直流輸電方案，包括兩種完全基于模塊化多電平變流器（MMC）的柔性直流輸電方案，以及一種基于二極管整流的海上風電集成方案，然后詳細說明可

  二極管 變流器 風電場

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• 發(fā)布了文章 2025-09-08 17:06

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設計，為更經(jīng)濟高效、緊湊、易設計且可靠的系統(tǒng)提供領先的解決方案。該器件在硬開關操作和軟開關拓撲中均能表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，適用于所有常見的AC-DC、DC-DC

  SiC 分立器件 封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-09-06 08:04

  第十三屆第三代半導體器件技術與應用高級研修班暨國際功率半導體技術與應用臨港高峰論壇報名（論壇免費）

  

  01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學會教育與培訓工作委員會02培訓時間地點2025年10月17-19日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)03培訓安排本次課程由兩部分組成：110月17日國際功率半導體技術與應用臨港高峰論壇（免費）特邀出席嘉賓：上海臨港管委會相關領導；劉

  功率器件 半導體器件 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-09-03 17:03

  一種全工作范圍實現(xiàn)零電壓開通的高效反激電源控制策略

  

  /摘要/反激拓撲廣泛應用于中小功率開關電源中，為了提高反激拓撲的轉換效率，本文提出了一種全輸入電壓及負載范圍內(nèi)可以實現(xiàn)原邊MOSFET零電壓開通（ZVS）的控制策略，從而提高了轉換效率。本文通過理論分析給出其中所涉及的參數(shù)的計算方法，并通過仿真與實際電源的測試驗證了該策略的有效性。01背景反激（Flyback）拓撲因其結構簡潔，控制策略簡單，適合多路輸出，可

  電壓 電源控制 零電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-09-02 18:42

  PCIM2025論文摘要 | 基于英飛凌S-cell產(chǎn)品的嵌入式PCB方案在主驅(qū)逆變器應用的優(yōu)勢分析與研究

  

  完整版內(nèi)容請關注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布內(nèi)容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產(chǎn)品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率模塊概念。利用Ansys和SPICE仿真，在熱阻（Rth、Zth、熱耦合等）和電氣特性（系統(tǒng)雜散電感、電壓尖峰、開關損耗等）等方面進行和傳統(tǒng)封裝的SiC模塊的對比。

  pcb PCB 嵌入式 英飛凌 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-09-01 17:07

  首次線上直播 | 2025 英飛凌零碳工業(yè)應用技術大會（IPAC）直播報名通道正式開啟

  

  英飛凌零碳工業(yè)應用技術大會（IPAC）作為行業(yè)風向標，一直以技術的深度剖析與應用設計的專業(yè)解讀，精準把握熱門領域與應用趨勢，收獲了行業(yè)的廣泛認可與高度贊譽。今年，大會首次以六城聯(lián)動的模式盛大舉行，精心籌備了15個前沿話題。內(nèi)容豐富多元，不僅涵蓋了英飛凌最新的G2CoolSiCMOSFET、氮化鎵，從分立器件到中大功率模塊等前沿產(chǎn)品，應用場景更是廣泛延伸至風、

  測試 英飛凌 零碳城市

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• 發(fā)布了文章 2025-08-30 09:25

  鋰離子電池管理：建模、狀態(tài)估計與故障診斷

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自付詩意的投稿。在當今的科技時代，鋰離子電池作為一種高效、輕便的能量存儲設備，廣泛應用于電動汽車、便攜式電子設備、儲能系統(tǒng)等領域。為了確保鋰離子電池的安全、可靠和高效運行，電池管理系統(tǒng)（BatteryManagementSystem，BMS）起著至關重要的作用。本文將深入探討鋰離子電池管理中的關鍵環(huán)節(jié)，包括電池建

  電池管理 電池管理系統(tǒng) 鋰離子電池

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• 發(fā)布了文章 2025-08-29 17:10

  CoolSiC™ 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準

  

  本文為2024年PCIM論文更多精彩內(nèi)容請關注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效

  MOSFET SiC 新能源

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 17:06

  英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎

  

  8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術設計，榮獲2025年半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎——“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎”。英飛凌工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)市場總監(jiān)王丹代表公司出席了頒獎典禮并領獎。目前兩款產(chǎn)品均已上市，可通過英飛凌官網(wǎng)申請樣品試用

  MOSFET SiC 半導體 英飛凌

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