DRV8306 器件是一款集成柵極驅(qū)動器,適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機應(yīng)用。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8306器件使用用于高側(cè)MOSFET的集成電荷泵和用于低側(cè)MOSFET的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 150 mA 的源極和 300 mA 灌峰值柵極驅(qū)動電流以及 15 mA rms 柵極驅(qū)動電流能力。
*附件:drv8306.pdf
該器件為梯形BLDC電機提供內(nèi)部120°換向。DRV8306器件具有三個霍爾比較器,它們使用霍爾元件的輸入進行內(nèi)部換向。電機相電壓的占空比可以通過PWM引腳進行調(diào)節(jié)。提供了額外的制動 (nBRAKE) 和方向 (DIR) 引腳,用于制動和設(shè)置 BLDC 電機的方向。提供一個3.3 V、30 mA低壓差(LDO)穩(wěn)壓器,為外部控制器和霍爾元件供電。提供了一個額外的 FGOUT 信號,它是換向頻率的量度。該信號可用于實現(xiàn)BLDC電機的閉環(huán)控制。
提供低功耗睡眠模式,通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)低靜態(tài)電流消耗。為欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET過流、MOSFET短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱提供內(nèi)部保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。
特性
- 6V 至 38V、三通道半橋柵極驅(qū)動器,集成 3 個霍爾比較器
- 40V 絕對最大額定值
- 針對 12V 和 24V 直流電源軌進行了全面優(yōu)化
- 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
- 支持 100% PWM 占空比
- 智能門驅(qū)動架構(gòu)
- 可調(diào)節(jié)壓擺率控制,實現(xiàn)更好的 EMI 和 EMC 性能
- V
GS的握手和最小死區(qū)時間插入以避免擊穿 - 15mA 至 150mA 峰值源電流
- 30mA 至 300mA 峰值灌電流
- 霍爾傳感器的集成換向
- 120°梯形電流控制
- 支持低成本霍爾元件
- 用于閉環(huán)速度控制的轉(zhuǎn)速輸出信號 (FGOUT)
- 集成柵極驅(qū)動器電源
- 高側(cè)電荷泵
- 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
- 逐周期電流限制
- 支持1.8V、3.3V和5V邏輯輸入
- 低功耗睡眠模式
- 線性穩(wěn)壓器,3.3 V,30 mA
- 緊湊的VQFN封裝和封裝
- 集成保護功能
參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?
- ?電源與驅(qū)動?
- ? 工作電壓(VM) ?:6V至38V(40V絕對最大值)
- ?驅(qū)動能力?:集成3個半橋柵極驅(qū)動器,支持100% PWM占空比
- ?柵極驅(qū)動電流?:可調(diào)峰值源電流15-150mA,峰值灌電流30-300mA
- ?智能柵極驅(qū)動架構(gòu)?
- 可調(diào)壓擺率控制優(yōu)化EMI/EMC性能
- 死區(qū)時間插入防止直通
- 集成VDS監(jiān)測和柵極故障保護
- ?集成功能?
- 3路霍爾比較器支持120°梯形換向
- 內(nèi)置電荷泵(高壓側(cè))和LDO(低壓側(cè))柵極電源
- 3.3V/30mA LDO穩(wěn)壓器(供外部控制器和霍爾元件)
- 轉(zhuǎn)速反饋信號(FGOUT)支持閉環(huán)控制
?2. 關(guān)鍵參數(shù)?
| ?參數(shù)? | ?規(guī)格? |
|---|---|
| ?邏輯輸入電壓? | 兼容1.8V/3.3V/5V |
| ?**熱阻(RθJA)**? | 32.6°C/W(VQFN封裝) |
| ?電荷泵輸出電壓? | VM + 10V(典型值) |
| ?睡眠模式電流? | 15μA(典型值,25°C) |
| ?保護功能響應(yīng)時間? | 過流消隱時間5μs,重試時間4ms |
?3. 典型應(yīng)用?
?4. 功能模式?
- ?PWM模式?:單PWM輸入控制電機轉(zhuǎn)速和換向
- ?硬件接口模式?:通過電阻配置IDRIVE(柵極電流)和VDS(過流閾值)
- ?保護模式?:
- 自動重試(過流/過熱)
- 鎖存關(guān)閉(柵極故障)
?5. 保護機制?
- ?實時監(jiān)測?:通過nFAULT引腳反饋故障狀態(tài)
- ?多重保護?:
- 電源欠壓(UVLO <5.6V)
- 電荷泵故障(CPUV <10.5V)
- MOSFET VDS過流(0.15-1.8V可調(diào))
- 熱關(guān)斷(OTSD >170°C)
?6. 設(shè)計要點?
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