BD9D300MUV是一款同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，內(nèi)置了低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET。可以輸出高達(dá)3A的電流。因?yàn)檎袷庮l率高，所以可以使用小型電感。采用獨(dú)有的導(dǎo)通時(shí)間控制方法，可在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)低功耗，適用于需要降低待機(jī)功耗的設(shè)備。

*附件：BD9D300MUV.pdf

主要規(guī)格

型號(hào) | BD9D300MUV-E2

封裝 | VQFN016V3030

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 3000

最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸圖

特點(diǎn)：

• 單相同步降壓直流 / 直流轉(zhuǎn)換器
• 導(dǎo)通時(shí)間控制
• 輕載模式控制
• 過(guò)流保護(hù)（OCP）
• 短路保護(hù)（SCP）
• 熱關(guān)斷保護(hù)（TSD）
• 欠壓鎖定保護(hù)（UVLO）
• 可調(diào)軟啟動(dòng)
• 電源正常輸出
• 過(guò)壓保護(hù)（OVP）
• VQFN016V3030 封裝（背面散熱）

典型應(yīng)用電路

引腳配置

PCB 設(shè)計(jì)與散熱要點(diǎn)

1. 布局核心原則

• 電流環(huán)路最小化 ：重點(diǎn)優(yōu)化兩個(gè)大脈沖電流環(huán)路 ——①高端 MOSFET 導(dǎo)通：CIN→PVIN→SW→L→COUT→PGND→CIN；②低端 MOSFET 導(dǎo)通：低端 MOSFET→L→COUT→PGND→低端 MOSFET。環(huán)路需短而粗（推薦線寬≥1mm），減少寄生電感與輻射噪聲，提升效率。
• 接地分離與連接 ：AGND（信號(hào)地）與 PGND（功率地）分開布線，F(xiàn)B、SS 等敏感引腳接 AGND，輸入 / 輸出電容接 PGND，最終在靠近輸出電容處單點(diǎn)連接 AGND 與 PGND，避免大電流干擾控制電路。
• 關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)隔離 ：SW 節(jié)點(diǎn)（高頻開關(guān)，電壓波動(dòng)大）需遠(yuǎn)離 FB、VOUTS 引腳（距離≥1mm）；RESERVE 引腳必須接地，不可懸空；輸入電容與輸出電容分開布局，避免輸入諧波噪聲影響輸出紋波。

2. 散熱設(shè)計(jì)

• 熱阻特性 ：VQFN016V3030 封裝在 4 層板（70mm×70mm×1.6mm）下結(jié)到環(huán)境熱阻（θJA）典型 57.5℃/W，1 層板下為 189.0℃/W，需根據(jù) PCB 層數(shù)調(diào)整散熱設(shè)計(jì) ——4 層板推薦在 EXP-PAD 下方布置≥74.2mm×74.2mm 銅箔，1 層板需增大銅箔面積或增加散熱過(guò)孔。
• 降額要求 ：當(dāng)環(huán)境溫度超過(guò) 25℃時(shí)，需按熱阻降額，例如 4 層板、Ta=85℃時(shí)，最大功耗 Pd= (Tjmax-Ta)/θJA= (150-85)/57.5≈1.13W，避免結(jié)溫超 150℃（Tjmax）。