BD9B500MUV是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。最大可輸出5A的電流。采用輕負(fù)載時(shí)進(jìn)行低消耗動(dòng)作的獨(dú)有恒定時(shí)間控制方式，適用于要降低待機(jī)功耗的設(shè)備。振蕩頻率高，適用于小型電感。是恒定時(shí)間控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，具有高速瞬態(tài)響應(yīng)性能。

*附件：BD9B500MUV.pdf

主要規(guī)格

型號(hào) | BD9B500MUV-E2

封裝 | VQFN016V3030

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 3000

最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸圖

特點(diǎn)：

• 同步單相直流 / 直流轉(zhuǎn)換器
• 適用于 Deep-SLLM 的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制
• 過(guò)流保護(hù)
• 短路保護(hù)
• 熱關(guān)斷保護(hù)
• 欠壓鎖定保護(hù)
• 可調(diào)軟啟動(dòng)
• 電源正常輸出
• VQFN016V3030 封裝（背面散熱）

典型應(yīng)用電路

PCB 設(shè)計(jì)與散熱要點(diǎn)

1. 布局核心原則

• 電流環(huán)路最小化 ：重點(diǎn)優(yōu)化兩個(gè)大脈沖電流環(huán)路 ——①高端 MOSFET 導(dǎo)通：CIN→PVIN→SW→L→COUT→PGND→CIN；②低端 MOSFET 導(dǎo)通：低端 MOSFET→L→COUT→PGND→低端 MOSFET。環(huán)路需短而粗（推薦線寬≥1mm），減少寄生電感與輻射噪聲，提升效率。
• 接地分離與連接 ：AGND（信號(hào)地）與 PGND（功率地）分開(kāi)布線，F(xiàn)B、SS 等敏感引腳接 AGND，輸入 / 輸出電容接 PGND，最終在靠近輸出電容處單點(diǎn)連接 AGND 與 PGND，避免大電流干擾控制電路。
• 關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)隔離 ：SW 節(jié)點(diǎn)（高頻開(kāi)關(guān)，電壓波動(dòng)大）需遠(yuǎn)離 FB 引腳（距離≥1mm）；FREQ、MODE 引腳需穩(wěn)定接 GND 或 AVIN，避免噪聲導(dǎo)致模式誤切換；輸入電容與輸出電容分開(kāi)布局，避免輸入諧波噪聲影響輸出紋波。

2. 散熱設(shè)計(jì)

• 熱阻特性 ：VQFN016V3030 封裝在 4 層板（全層銅鋪地）下結(jié)到環(huán)境熱阻（θJA）典型 57.5℃/W，1 層板下為 189.0℃/W，需根據(jù) PCB 層數(shù)調(diào)整散熱設(shè)計(jì) ——4 層板推薦在 E-Pad 下方布置≥74.2mm×74.2mm 銅箔，1 層板需增大銅箔面積或增加散熱過(guò)孔。
• 降額要求 ：當(dāng)環(huán)境溫度超過(guò) 25℃時(shí)，需按熱阻降額，例如 4 層板、Ta=85℃時(shí)，最大功耗 Pd= (Tjmax-Ta)/θJA= (150-85)/57.5≈1.13W，避免結(jié)溫超 150℃（Tjmax）。

總結(jié)

BD9B500MUV 作為一款高集成度高電流同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，以 2.7V-5.5V 寬輸入范圍、5A 輸出能力、可切換頻率（2MHz/1MHz）與 Deep-SLLM 雙?？刂茷楹诵膬?yōu)勢(shì)，完美平衡電流能力、效率與靈活性。其低導(dǎo)通電阻 MOSFET（30mΩ）與高頻控制技術(shù)降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，多重保護(hù)機(jī)制（過(guò)流 / 短路 / 過(guò)熱等）提升系統(tǒng)安全性，且提供詳細(xì)的元件選型與 PCB 布局指南，降低工程設(shè)計(jì)難度。在實(shí)際應(yīng)用中，需重點(diǎn)關(guān)注電流環(huán)路最小化、接地隔離、頻率與模式引腳的穩(wěn)定連接及散熱降額，結(jié)合輸出電壓與負(fù)載需求合理配置反饋電阻、FB 電容及電感，確保器件在高負(fù)載場(chǎng)景下穩(wěn)定高效運(yùn)行，尤其適配對(duì)輸出電流與尺寸敏感的消費(fèi)電子與工業(yè)設(shè)備。