展會回顧篇

深圳國際電子展暨嵌入式展

8月28日，為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會展中心(福田)圓滿落幕，作為電子行業(yè)的年度大展，elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術(shù)巨頭，探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態(tài)，到第三代半導體、綠色能源電子等一系列議題。

值此初秋之際，真茂佳半導體(ZMJSEMI)攜中低壓MOSFET、SiC MOSFET、IGBT系列產(chǎn)品、封裝與解決方案精彩亮相1號館1C18號展位，為現(xiàn)場觀眾展示了真茂佳的車規(guī)和工業(yè)級產(chǎn)品特性與技術(shù)實力，真茂佳展臺成為展會上備受矚目的焦點。

一、 重磅產(chǎn)品，解決方案全解析

本次展會，真茂佳攜多款中低壓MOSFET、SiC MOSFET和IGBT產(chǎn)品和封裝方案亮相，吸引眾多客戶和同行來到展位現(xiàn)場參觀交流。

車規(guī)&工規(guī)產(chǎn)品

本次展會我們一共帶來了13款功率產(chǎn)品，涵蓋中低壓MOSFET、SiC MOSFET和IGBT系列。

車用電子解決方案

在汽車電子領(lǐng)域，我們展示了車載EPS、水泵、油泵、雨刮、車燈、無線充電、BMS及DC-DC轉(zhuǎn)換等關(guān)鍵應用解決方案。從動力系統(tǒng)到舒適配置，真茂佳芯片為新能源汽車的蓬勃發(fā)展提供可靠“芯”動力。

工業(yè)控制解決方案

在工業(yè)領(lǐng)域，我們的產(chǎn)品廣泛應用于儲能鋰電保護、各類功率主控板及保護板、筋膜槍、鼓風機、吸塵器等場景。以其高可靠性、高效率的特點，助力客戶打造更具市場競爭力的終端產(chǎn)品。

先進封裝方案

產(chǎn)品的卓越性能離不開先進的封裝工藝。本次展會，我們重點展示了包括雙面散熱封裝、雙芯半橋封裝、頂部散熱封裝、LFPAK/LFPAKD封裝、STOLL封裝、DFN8*8封裝在內(nèi)的多種方案，吸引了大量工程師駐足咨詢。

二、 現(xiàn)場盛況，人氣聚焦 ·

三天展期，真茂佳展臺始終人流如織，氣氛火熱。我們的銷售、產(chǎn)品、應用團隊，始終以飽滿的熱情和極高的專業(yè)素養(yǎng)，接待來自世界各地的客戶與合作伙伴。

三、 感恩相遇，期待再聚

每一次展會都是新的起點。我們珍視與每一位客戶、朋友面對面交流的機會，您的每一份認可與建議都是我們前進的動力。展會落幕，服務(wù)不歇。如果您在展會期間意猶未盡，或未能親臨現(xiàn)場，歡迎隨時通過我們的官方渠道(0755-21006030)聯(lián)系我們，獲取最新產(chǎn)品資料與技術(shù)方案!

真茂佳半導體，持續(xù)專注功率半導體的設(shè)計與開發(fā)，與您攜手，共創(chuàng)智能未來!

關(guān)于真茂佳半導體

真茂佳產(chǎn)品系列

LV/MV MOSFET

真茂佳汽車級功率MOSFET主要包含RobustFETTM SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，擊穿電壓涵蓋-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，內(nèi)阻最低達到0.4mΩ。

其低導通電阻和針對應用而優(yōu)化的動態(tài)參數(shù)帶來損耗小、效率高、低EMI等優(yōu)點，目前已有超過20多種封裝形式，300多款車規(guī)產(chǎn)品，主要應用于熱管理(引擎冷卻風扇&水泵&油泵)、傳統(tǒng)動力系統(tǒng)、底盤(EPS&i-Boost&、ESC&One-Box)、電動化(逆變器&DC-DC&OBC)、車身電子、網(wǎng)聯(lián)化(T-box等)和智能駕駛&智能座艙等，真茂佳通過器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和工藝開發(fā)，提升功率密度和封裝小型化，節(jié)省系統(tǒng)空間，增強散熱能力，提高器件可靠性。

SiC MOSFET

真茂佳同樣專注于高性能第三代功率半導體技術(shù)，并開發(fā)出可靠、穩(wěn)健的SiC供應鏈，為國內(nèi)電源、動力驅(qū)動及能源轉(zhuǎn)換行業(yè)提供從分立器件到模組級解決方案。

主打產(chǎn)品為SiC MOSFET，產(chǎn)品電壓涵蓋 650V~4000V，電阻涵蓋15mΩ~1.5Ω，現(xiàn)已量產(chǎn)。

真茂佳半導體公司完全按照高標準技術(shù)和工藝要求生產(chǎn) SiC產(chǎn)品，使其具有優(yōu)異的FOM特性和高可靠性。產(chǎn)品除了車用也適用于工業(yè)及新能源行業(yè)的充電樁、光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動和高性能輔助電源等應用場景。

IGBT

真茂佳有IGBT芯片、成品及模塊等，已量產(chǎn)產(chǎn)品電壓涵蓋650V~1200V，其VCESAT典型值為1.57V和 1.67V。真茂佳IGBT產(chǎn)品具有超低飽和壓降、超低的動態(tài)損耗、更優(yōu)的折中曲線及高達200A/cm2的電流密度等優(yōu)點。真茂佳根據(jù)不達同應用及市場需求開發(fā)了系列產(chǎn)品：H系列(高頻)、T 系列(最佳性能+低損耗)、S 系列等，為客戶提供高質(zhì)解決方案。

*本文轉(zhuǎn)自公眾號真茂佳半導體