18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌如何控制基于SiC功率半導體器件的可靠性呢?

DT半導體 ? 來源:英飛凌工業(yè)半導體 ? 2023-10-11 09:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

導語:英飛凌如何控制和保證基于SiC的功率半導體器件的可靠性

a8371b0a-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a853bba2-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a88a8dc6-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a8a55764-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a8bd39c4-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a8dbd096-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a900d012-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png

a91c1fa2-6758-11ee-939d-92fbcf53809c.png






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9200

    瀏覽量

    227197
  • 肖特基二極管

    關注

    5

    文章

    1035

    瀏覽量

    37263
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3407

    瀏覽量

    67537
  • 功率半導體
    +關注

    關注

    23

    文章

    1375

    瀏覽量

    44914
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3223

    瀏覽量

    51492

原文標題:英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容,為客戶帶來更高靈活度

    全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)宣布,與英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡稱“英飛凌”)就建立SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 09-29 10:46 ?153次閱讀

    傾佳電子功率半導體驅動電路設計深度解析:SiC MOSFET驅動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn)

    傾佳電子功率半導體驅動電路設計深度解析:SiC MOSFET驅動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率
    的頭像 發(fā)表于 09-14 22:59 ?496次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>驅動電路設計深度解析:<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET驅動挑戰(zhàn)與<b class='flag-5'>可靠性</b>實現(xiàn)

    一文了解功率半導體可靠性測試

    功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。這些
    的頭像 發(fā)表于 08-25 15:30 ?416次閱讀
    一文了解<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>的<b class='flag-5'>可靠性</b>測試

    深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本,在小型家電中實現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。 突破能效瓶頸,駕馭小型化浪潮!面對家電與工業(yè)驅動領域對高效率、極致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴苛需求,深愛半導體重磅推出
    發(fā)表于 07-23 14:36

    功率半導體器件——理論及應用

    功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結構、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了
    發(fā)表于 07-11 14:49

    提升功率半導體可靠性:推拉力測試機在封裝工藝優(yōu)化中的應用

    隨著功率半導體器件在新能源、電動汽車、工業(yè)控制等領域的廣泛應用,其可靠性問題日益受到關注。塑料封裝作為
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:15 ?482次閱讀
    提升<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>可靠性</b>:推拉力測試機在封裝工藝優(yōu)化中的應用

    半導體測試可靠性測試設備

    半導體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測試設備如同產(chǎn)品質量的 “守門員”,通過模擬各類嚴苛環(huán)境,對半導體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進行評估,確保其在實際使用中
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:43 ?667次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>測試<b class='flag-5'>可靠性</b>測試設備

    提供半導體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

    潛在可靠性問題;與傳統(tǒng)封裝級測試結合,實現(xiàn)全周期可靠性評估與壽命預測。 關鍵測試領域與失效機理 WLR技術聚焦半導體器件的本征可靠性,覆蓋以
    發(fā)表于 05-07 20:34

    如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

    MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應用的關鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命,因此,如何有效驗證SiC MOSFET柵氧
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:43 ?1801次閱讀
    如何測試<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>

    半導體器件可靠性測試中常見的測試方法有哪些?

    半導體器件可靠性測試方法多樣,需根據(jù)應用場景(如消費級、工業(yè)級、車規(guī)級)和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測試組合。測試標準
    的頭像 發(fā)表于 03-08 14:59 ?1107次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>測試中常見的測試方法有哪些?

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1566次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的PCB設計

    功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?1117次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數(shù)

    系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數(shù)?在功率器件的熱設計基礎系
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?1323次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的結構函數(shù)

    瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動態(tài)開關測試標準

    日前,在第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS)上,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)發(fā)布了9項碳化硅 (SiC) MOSFET測試與可靠性標準,旨在為
    的頭像 發(fā)表于 11-29 13:47 ?1547次閱讀
    瞻芯電子參與編制<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>可靠性</b>和動態(tài)開關測試標準