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cmp

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CMP指令是由美國斯坦福大學提出的，英文名稱是Chip multiprocessors，翻譯成中文就是單芯片多處理器，也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與CMP比較， SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。

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cmp技術(shù)

三菱PLC的CMP比較指令

當比較指令的操作數(shù)不完整，（如只指定一個或二個操作數(shù)），指定的操作數(shù)不符合要求（如把X D T C 指定為目標操作數(shù)），或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...

2021-10-06 標簽：plc 三菱 CMP 4.9萬 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標簽：光刻 CMP 晶圓制造 2.3萬 1

CMP拋光材料的介紹和應用領(lǐng)域及市場分析

1）在單晶硅片制造環(huán)節(jié)，單晶硅片首先通過化學腐蝕減薄，此時粗糙度在 10-20μm，在進行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟，可將粗糙度控制在幾十個 nm 以...

2018-11-17 標簽：多晶硅 IC CMP 1.9萬 0

半導體行業(yè)中的化學機械拋光(CMP)技術(shù)詳解

20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，...

2023-08-02 標簽：芯片集成電路半導體 1.9萬 0

SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數(shù)、雙整數(shù)、實數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進行比較。

2023-05-14 標簽：plc 指令 CMP 1.3萬 0

什么是銅互連？為什么銅互連非要用雙大馬士革工藝？

在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝，為什么？

2023-11-14 標簽：集成電路晶體管 CMP 1.2萬 0

TSV的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)綜述

TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術(shù)之一，已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān)，在某種程度上直接決定了 TSV 的...

2023-02-17 標簽：半導體 PVD CMP 1.0萬 0

CMP的概念、重要性及工作原理

化學機械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和...

2023-08-02 標簽：集成電路半導體 CMP 1.0萬 0

一文詳解CMP設(shè)備和材料

在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械...

2023-07-10 標簽：晶圓 CMP 晶圓制造 9.4k 0

什么是硅片或者晶圓？一文了解半導體硅晶圓

硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。

2023-07-18 標簽：電容器晶體管硅晶圓 9.2k 0

SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡述

2023-05-11 標簽：plc 指令 CMP 9k 0

先進封裝之TSV及TGV技術(shù)初探（二）

另外一個將TGV填實的方案是將金屬導電膠進行TGV填實。利用金屬導電膠的優(yōu)點是固化后導電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標簽：BGA CMP MEMS器件 8.6k 0

什么是硅片？為什么硅片表面如此光滑？

拋光液必須現(xiàn)場調(diào)配，立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比，實現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比，采用自動化的高精密...

2023-02-02 標簽：晶圓 CMP 硅片 8.4k 0

如何構(gòu)建CMP模型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在CMP輪廓建模中的應用

CMP 建模有很長的歷史，包括單材料和雙材料拋光的建模，以及眾多沉積和蝕刻工藝的建模［6］。

2021-01-30 標簽：集成電路 CMP 機器學習 7.2k 0

CMP功能介紹及應用實例

寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2：0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源，該功能可以用于防止電流調(diào)節(jié)在PWM起始時刻產(chǎn)生的尖峰電流。

2022-09-30 標簽：比較器定時器 CMP 7.2k 0

一文讀懂CMP拋光墊

在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。

2023-06-08 標簽：半導體 mems 晶體管 7.2k 0

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？

濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。

2023-02-10 標簽：半導體硅晶圓 PVD 7.2k 0

ICT技術(shù)高k金屬柵(HKMG)的工藝過程簡析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設(shè)計的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標簽：控制器 CMP ICT技術(shù) 7.1k 0

介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。

2024-01-26 標簽：晶圓 IC封裝 CMP 6.9k 0

歐姆龍比較指令的用法歐姆龍cmp指令用法

首先我們了解一下歐姆龍CMP指令，CMP指令是一種用于比較兩個數(shù)值的指令，常用于控制系統(tǒng)中的邏輯判斷和決策。該指令可以比較兩個16位的數(shù)據(jù)，如果它們相等...

2023-08-23 標簽：plc CMP 歐姆龍 6.6k 0

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