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標簽 > 漏極電流
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JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導,而在 MOSFET 中,導電性是由于嵌入在半...
2024-05-08 標簽:場效應管JFET并聯(lián)電容 1.3萬 0
如果MOS管處于米勒平臺的區(qū)間內,MOS管工作在哪個區(qū)?
MOS管的3種工作狀態(tài):截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū),這個想必大家都知道。但光知道這個還不太夠,還需要清楚進入相應工作區(qū)的充分條件。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)的連續(xù)漏極電...
通過AM1波形,我們能看到二極管上有電流流過(一部分的電感電流,續(xù)流),二極管處于正偏狀態(tài)。
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛使用的半導體器件,它在電子電路中扮演著開關和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成:源極(S...
I D I_DID 為漏極電流的有效值,由于輸出波形是正弦波,所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。
泰克科技無需鉗位電路實現動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術
動態(tài)導通電阻(RDS(on))是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而,關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量...
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