資料介紹
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用,研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態(tài)特性對于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)?;?IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計具有 重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動態(tài)特性,該文結(jié)合雙脈沖測試 電路原理,研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動態(tài)特性實驗平臺。通過對動態(tài)特性 實驗平臺關(guān)鍵問題進行有限元仿真計算,實現(xiàn)平臺回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布及機 械夾具溫度分布的優(yōu)化設(shè)計。在此基礎(chǔ)上建立壓接型 IGBT 芯片動態(tài)特性實驗平臺,對實驗平臺 進行綜合調(diào)試,結(jié)果表明,該文所設(shè)計的實驗平臺具有寄生電感小、IGBT 芯片表面壓力分布均 衡及機械夾具各組件溫度分布合理的特點,可以滿足電-熱-力綜合影響因素下壓接型 IGBT 芯片動 態(tài)特性實驗的需求。
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