產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關(guān)電感負載以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 85
內(nèi)徑最大值(A) 27
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 不是
包裝類型 D2PAK-7L
主要特征
導通電阻 (RDS(on))：85 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復：Qrr = 69 nC
低體二極管 VFSD：1.54 V
低柵極電荷：QG = 23 nC
閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅(qū)動
相關(guān)型號
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