選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
引言
結(jié)合官方說(shuō)明手冊(cè)Rev. 4.1, 3/2014 進(jìn)行解讀：MRFE6VP61K25 系列，點(diǎn)進(jìn)來(lái)不難看出，原品牌是飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor, Inc.）發(fā)布的 MRFE6VP61K25 系列，為什么跑到NXP官網(wǎng)下面了？接下來(lái)我們由此展開(kāi)了解下該系列。
飛思卡爾半導(dǎo)體 與 NXP 的關(guān)系？
首先明確：飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor）和恩智浦（NXP）之間的關(guān)系是合并與收購(gòu)
在合并之前，這兩家公司都是各自領(lǐng)域的巨頭：
- 飛思卡爾：作為摩托羅拉（Motorola）半導(dǎo)體部門的剝離公司，飛思卡爾在汽車電子、微控制器（MCU）和網(wǎng)絡(luò)處理器方面擁有強(qiáng)大的技術(shù)和市場(chǎng)份額。
- 恩智浦：作為飛利浦（Philips）半導(dǎo)體部門的剝離公司，恩智浦則在安全連接技術(shù)、射頻識(shí)別（RFID）和近場(chǎng)通信（NFC）等領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
通過(guò)整合，NXP 吸收了飛思卡爾的優(yōu)勢(shì)，所以現(xiàn)如今，我們搜索飛刺卡爾半導(dǎo)體的型號(hào)的時(shí)候就會(huì)發(fā)現(xiàn)被收錄到NXP 的官網(wǎng)上了。
NI--1230H--4S MRFE6VP61K25HR6/R5MRFE6VP61K25 系列 基本信息
簡(jiǎn)單描述下，就是一個(gè)，N 溝道增強(qiáng)型橫向 MOSFET，用于高電壓駐波比（VSWR）場(chǎng)景，輸入輸出均為非匹配設(shè)計(jì)，支持 1.8-600MHz 寬頻率范圍，當(dāng)然pdf中也專門列出引腳圖，及一些特性，這里就簡(jiǎn)要概括下。
引腳圖
Pin Connections 注：封裝背面為晶體管源端關(guān)鍵性能參數(shù)（典型值：VDD=50V，IDQ=100mA）
1. 基礎(chǔ)性能（230MHz 頻段）
| 信號(hào)類型 | 輸出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏極效率（ηD） |
|---|---|---|---|
| 脈沖信號(hào)（100μs，20% 占空比） | 峰值 1250W | 24.0dB | 74.0% |
| 連續(xù)波（CW） | 1250W | 22.9dB | 74.6% |
2. 不同頻段應(yīng)用電路典型性能
| 頻率范圍 | 信號(hào)類型 | 輸出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏極效率（ηD） |
|---|---|---|---|---|
| 27MHz | CW | 1300W | 27dB | 81% |
| 40MHz | CW | 1300W | 26dB | 85% |
| 81.36MHz | CW | 1250W | 27dB | 84% |
| 87.5-108MHz | CW（FM 廣播） | 1100W | 24dB | 80% |
| 144-148MHz | CW | 1250W | 26dB | 78% |
| 170-230MHz | DVB-T（數(shù)字廣播） | 225W | 25dB | 30% |
| 352MHz | 脈沖（200μs，20% 占空比） | 1250W | 21.5dB | 66% |
| 352MHz | CW | 1150W | 20.5dB | 68% |
| 500MHz | CW | 1000W | 18dB | 58% |
封裝及型號(hào)釋義
MRFE6VP61K25封裝圖示- NI - 1230H - 4S（有耳）：型號(hào)為 MRFE6VP61K25HR6、MRFE6VP61K25HR5
- NI - 1230S - 4S（無(wú)耳）：型號(hào)為 MRFE6VP61K25HSR5
- NI - 1230GS - 4L（無(wú)耳表貼）：型號(hào)為 MRFE6VP61K25GSR5
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