產(chǎn)品
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國硅集成250V 1.2A 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片-G20212025-10-16 15:19
產(chǎn)品型號：G2021 最高工作電壓為：+250V dVS/dt耐受能力：±50 V/ns 負偏壓能力達：-9V 柵極驅動電壓：6 V 到 20V 寬溫度范圍：-40°C ~125°C -
芯朋微65W氮化鎵充電器快充開關電源管理芯片方案2025-09-28 15:31
產(chǎn)品型號： PN8213 模式：PWM Controller 待機功耗：<50mW VDD工作電壓 ：9V-56V 輸出功率 ：<150W 頻率：500kHz(Ma x.) -
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片2025-09-26 11:36
產(chǎn)品型號：PN8215 -
芯朋微代理商acdc非隔離電源芯片PN8052H2025-09-16 13:47
產(chǎn)品型號：PN8052H MOIS管耐壓：700V 輸出電壓：15V 半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率：3.0W@230VAC 封裝：SOP8 -
國硅集成 NSG27710單相高低側功率柵極驅動芯片2025-09-05 16:39
產(chǎn)品型號：NSG27710 芯片耐壓：650V 輸入邏輯：兼容3.3V, 5V和15V 延遲匹配時間小于：50ns 死區(qū)時間：130ns 寬溫度范圍：-40°C-125°C -
NSG21867 國硅集成700V 大電流高、低側 MOSFET/IGBT驅動芯片2025-09-04 15:20
產(chǎn)品型號：NSG21867 最高工作電壓為：700V Vs負壓耐受能力：-9V 柵極驅動電壓：10V到20V 拉電流：4.0A 灌電流：4.0A -
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅動芯片2025-09-04 10:10
產(chǎn)品型號：NSG2153D 最高工作電壓為：+600V VCC鉗位電壓：15.6V 正/負欠壓閾值：11V/9V 死區(qū)時間DT：1.1μs 輸出級拉電流：1.2A -
國硅集成NSG2065Q 250V 集成自舉的三相柵極驅動芯片應用于電機驅動2025-09-02 10:48
產(chǎn)品型號：NSG2065Q 型號 ：NSG2065 封裝/規(guī)格 ：QFN24 包裝 ：托盤 最高工作電壓：250 V 柵極驅動電壓：5V~20V -
國硅集成G2063Q 250V 1.5A 三相高低側功率柵極驅動芯片應用電機驅動2025-09-02 10:40
產(chǎn)品型號：G2063Q 品牌 ：國硅集成 型號 ：G2063Q 封裝/規(guī)格： 貼片 包裝 ：盒裝 最小包裝量 ：2500 -
國硅集成G2061Q 250V 1.5A 三相高低側柵極驅動芯片應用空調洗衣機板2025-09-02 10:29
產(chǎn)品型號：G2061Q 型號 ：G2061Q 封裝/規(guī)格 ：貼片 包裝 ：托盤 最小包裝量 ：2500 最高工作電壓為 ：+250V