18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-10-23 11:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用。

中國,北京,2018年10月22日訊 - Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技術(shù)帶來的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢,包括電動和混動汽車、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。 相比同類的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來一系列系統(tǒng)級優(yōu)化機會,包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本的可能性。

此外,相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括:

太陽能逆變器

開關(guān)模式和不間斷電源

電機驅(qū)動器

高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用,并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計方案。”Littelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營銷經(jīng)理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價值的替代選擇。 相比同類IGBT,MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個周期的開關(guān)損耗并提高輕載效率。 固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET?!?/p>

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝,具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢:

專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化

極低柵極電荷和輸出電容

低柵極電阻,適用于高頻開關(guān)

供貨情況

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。

關(guān)于 Littelfuse

Littelfuse 成立于 1927 年,是電路保護(hù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,功率和傳感領(lǐng)域的全球平臺也在不斷增長。公司以其在保險絲、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、繼電器和傳感器等方面的技術(shù)服務(wù)于電子產(chǎn)品、汽車和工業(yè)市場的客戶。Littelfuse 在全球 50 多個辦事處擁有超過 1.1 萬名員工。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9204

    瀏覽量

    227267
  • 肖特基二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    1035

    瀏覽量

    37268
  • Littelfuse
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    259

    瀏覽量

    97741
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3224

    瀏覽量

    51507
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)提供的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:12 ?125次閱讀
    傾佳代理的基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>分立器件<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>力及應(yīng)用深度分析

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?687次閱讀
    基本半導(dǎo)體1200<b class='flag-5'>V</b>工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊Pcore 2系列介紹

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?2045次閱讀

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?981次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>推出</b>34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?537次閱讀
    基本股份B3M013C120Z(<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>力分析

    超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?796次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動力分析

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1121次閱讀

    BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?689次閱讀
    BASiC基本股份國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>線概述

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1327次閱讀
    為什么650<b class='flag-5'>V</b> SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵器件?

    SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC?
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:46 ?789次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動碳化硅MOSFET時采
    發(fā)表于 01-04 12:30

    業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2
    的頭像 發(fā)表于 11-18 08:57 ?5755次閱讀
    業(yè)內(nèi)首款<b class='flag-5'>1700V</b>氮化鎵開關(guān)IC登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的