18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-23 10:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 憑借多單元集成的架構(gòu),在電機(jī)驅(qū)動、電動設(shè)備控制等場景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。本文將針對仁懋電子(MOT)的 MOT4913J 型號,從參數(shù)、特性到應(yīng)用場景進(jìn)行深度解析,為工程師的選型與設(shè)計提供技術(shù)參考。

一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計

MOT4913J 是一款N+N 增強(qiáng)型 MOSFET,采用 PDFN3X3 封裝形式,內(nèi)部集成兩個獨(dú)立的 N 溝道 MOSFET 單元(如圖中 “Pin description” 所示),引腳分別對應(yīng) G1(柵極 1)、S1(源極 1)、D1(漏極 1)和 G2(柵極 2)、S2(源極 2)、D2(漏極 2)。這種雙單元集成架構(gòu),為多路功率控制或并聯(lián)驅(qū)動場景提供了緊湊的解決方案。

二、核心電氣參數(shù)解讀

電氣參數(shù)是 MOSFET 性能的直接體現(xiàn),以下對 MOT4913J 的關(guān)鍵參數(shù)逐一解析:

  • 漏源電壓(V?DS?):最大值 40V,定義了器件能承受的最大漏源間耐壓,決定了其在中低壓功率場景的適用性。
  • 導(dǎo)通電阻(R?ds (on)?):在 V?GS?=10V 時典型值為 10mΩ,V?GS?=4.5V 時為 15mΩ。低導(dǎo)通電阻意味著導(dǎo)通損耗小,尤其在大電流工況下,能有效降低器件發(fā)熱,提升效率。
  • 漏極電流(I?D?):連續(xù)工作電流可達(dá) 40A(T?C?=25℃),脈沖電流峰值更是高達(dá) 155A,說明其具備較強(qiáng)的瞬時功率承載能力,適用于電機(jī)啟動、負(fù)載突變等大電流脈沖場景。

三、特性優(yōu)勢與工藝價值

MOT4913J 的特性設(shè)計圍繞 “高效、可靠、環(huán)?!?展開:

  • 低柵極電荷與低 R?ds (on)?:兩者結(jié)合可降低柵極驅(qū)動損耗與導(dǎo)通損耗,在高頻開關(guān)或持續(xù)導(dǎo)通的工況下,能顯著提升系統(tǒng)能效。
  • 無鉛與無鹵素工藝:采用 Pb-free 引腳鍍層,且滿足 Halogen-free 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),契合當(dāng)下電子行業(yè)對環(huán)保制造的要求,可用于對環(huán)保合規(guī)性要求嚴(yán)格的領(lǐng)域。
  • 封裝與可靠性:PDFN3X3 封裝具備良好的散熱基礎(chǔ),配合其熱性能參數(shù)(后文詳述),保障了器件在高功率場景下的長期可靠性。

四、應(yīng)用場景的技術(shù)適配性

基于參數(shù)與特性,MOT4913J 的典型應(yīng)用場景具備明確的技術(shù)適配邏輯:

  • 電動工具電機(jī)驅(qū)動:電動工具的電機(jī)在啟動和運(yùn)行時存在大電流、高頻開關(guān)的需求,MOT4913J 的 40A 連續(xù)電流、155A 脈沖電流以及低導(dǎo)通電阻,能有效支撐電機(jī)的動力輸出與高效控制;同時緊湊的 PDFN 封裝也適配電動工具對空間的限制。
  • 電動汽車機(jī)器人:在電動汽車的小型執(zhí)行機(jī)構(gòu)(如散熱風(fēng)扇、微型泵)或機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動中,其環(huán)保合規(guī)性、高電流承載能力及雙單元集成架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)多路動力的緊湊化控制,提升系統(tǒng)集成度。

五、熱管理與額定值分析

熱管理是功率器件長期穩(wěn)定工作的關(guān)鍵,MOT4913J 的熱性能參數(shù)給出了清晰的設(shè)計依據(jù):

  • 絕對最大額定值中的功耗(P?D?):在 T?C?=25℃時為 20W,T?C?=100℃時降至 8.1W,說明環(huán)境溫度升高會顯著限制器件的功耗能力,設(shè)計時需結(jié)合散熱方案評估實(shí)際功耗上限。
  • 熱阻參數(shù):結(jié)到環(huán)境熱阻(R?θJA?)最大 60℃/W,結(jié)到外殼熱阻(R?θJC?)最大 6.2℃/W。工程師可通過這些參數(shù)計算不同散熱條件下的結(jié)溫,確保 T?J?不超過 150℃的上限,例如搭配散熱片可降低 R?θJA?,從而提升器件的有效功耗容量。

綜上,MOT4913J 作為一款 N+N 增強(qiáng)型 MOSFET,憑借低阻、高電流、環(huán)保集成的特性,在電動工具、電動汽車機(jī)器人等中低壓功率場景中具備明確的技術(shù)優(yōu)勢。其參數(shù)設(shè)計與應(yīng)用場景的適配性,為工程師在功率驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計中提供了一個值得關(guān)注的選擇方向。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9204

    瀏覽量

    227259
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1449

    瀏覽量

    99239
  • 仁懋電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    88

    瀏覽量

    392
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066

    [table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]
    發(fā)表于 11-12 15:55

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550

    [table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS(
    發(fā)表于 11-16 13:42

    20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET

    20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET 20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡介
    發(fā)表于 04-08 17:33 ?15次下載

    20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

    20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
    發(fā)表于 04-08 17:39 ?26次下載

    30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

    30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
    發(fā)表于 04-08 17:41 ?20次下載

    N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET

    N加P溝道增強(qiáng)型MOSFETN加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
    發(fā)表于 04-08 17:43 ?25次下載

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理 1)
    發(fā)表于 09-16 09:38 ?1.1w次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:06 ?2178次閱讀

    MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析參數(shù)特性與應(yīng)用場景

    在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域,N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對仁懋電子(MOT)的MOT3150J型號,從電氣參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-23 11:17 ?134次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT3150J</b> <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>:<b class='flag-5'>參數(shù)</b>、<b class='flag-5'>特性</b>與應(yīng)<b class='flag-5'>用場景</b>

    MOT8576T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析:大功率場景的性能標(biāo)桿

    大功率系統(tǒng)設(shè)計提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計MOT8576T是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用表面貼裝封裝,集成先進(jìn)溝槽單元(Sup
    的頭像 發(fā)表于 10-23 11:23 ?122次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b>8576T <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>:大功率<b class='flag-5'>場景</b>的性能標(biāo)桿

    MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    MOT2165J是仁懋電子(MOT)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等
    的頭像 發(fā)表于 10-24 10:22 ?121次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT2165J</b> <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT3910JN 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只
    的頭像 發(fā)表于 10-24 11:14 ?85次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT3910J</b> 雙 <b class='flag-5'>N</b> 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)型</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,聚焦計算設(shè)備電源管理、
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:21 ?353次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT1514J</b> <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN506-8L封裝形式,聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動、電池管
    的頭像 發(fā)表于 10-27 10:34 ?26次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b>4162G <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TOLL-8L表面貼裝封裝,基于超級溝槽(SuperTr
    的頭像 發(fā)表于 10-27 10:49 ?26次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b>6586T <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>