Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時間,以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道MOSFET,并且支持3.8A的最大連續(xù)電
發(fā)表于 09-02 14:57
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邏輯與應(yīng)用價值。在MOSFET設(shè)計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(on)往往會體現(xiàn)在產(chǎn)品型號中,比
發(fā)表于 09-01 20:02
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在電子元件領(lǐng)域,電阻因材質(zhì)、工藝和性能差異分為多個品類,其中合金電阻與普通電阻(如厚膜貼片電阻)在核心特性與應(yīng)用場景上區(qū)別顯著。前者以高精度
發(fā)表于 08-12 10:14
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SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征
發(fā)表于 08-04 16:31
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在電子元件領(lǐng)域,電阻因材質(zhì)、工藝和性能差異分為多個品類,其中合金電阻與普通電阻(如厚膜貼片電阻)在核心特性與應(yīng)用場景上區(qū)別顯著。前者以高精度
發(fā)表于 07-23 11:33
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問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作
發(fā)表于 06-16 17:34
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導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映
發(fā)表于 05-26 15:09
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TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
發(fā)表于 05-07 17:52
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電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布,因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,超結(jié)
發(fā)表于 05-06 15:05
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Power MOSFET 設(shè)計電源時,大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但
發(fā)表于 03-24 15:03
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
發(fā)表于 03-13 15:08
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選用 Power MOSFET 設(shè)計電源時,大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定
發(fā)表于 03-06 15:59
,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計中常見的開關(guān)行為和設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計,并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC
發(fā)表于 02-13 00:21
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兼具高效、低損耗和廣泛應(yīng)用場景的N溝道MOSFET,為各種電子設(shè)備提供了卓越的性能表現(xiàn)。 ? 卓越的低導(dǎo)通電阻性能 SSM6N44FE的最大特點之一是其低
發(fā)表于 11-25 11:13
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電阻器是電子電路中最基本的元件之一,用于限制或調(diào)節(jié)電流的流動。根據(jù)其精度和穩(wěn)定性的不同,電阻器可以分為精密電阻和普通電阻兩大類。 1. 定義與用途 普
發(fā)表于 10-31 09:25
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