電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費下載
發(fā)表于 07-10 14:25
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在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用
發(fā)表于 05-30 14:33
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尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時,為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對 RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些
發(fā)表于 04-11 11:04
,測試過程中對測量系統(tǒng)的寄生參數(shù)提出了更高要求,寄生電感、電容等因素可能影響測試精度,需加以優(yōu)化和控制。
測試實例
被測器件:CREE C3M0075120K SiC MOSFET
測試點位:SiC
發(fā)表于 04-08 16:00
Power MOSFET 設(shè)計電源時,大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上,在不同的應(yīng)用電路中,Power MOSFET
發(fā)表于 03-24 15:03
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
發(fā)表于 02-26 14:41
碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
發(fā)表于 02-02 13:48
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MOSFET
微碧半導(dǎo)體VBsemi
發(fā)布于 :2024年12月31日 16:56:05
SGT-MOSFET各項參數(shù)解讀
發(fā)表于 12-30 14:15
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最近在看ADS54J60芯片的數(shù)據(jù)手冊,手冊第41頁 table10第3行的L參數(shù)是8,但是該芯片兩個converter各包含四個line,請問我該怎么
發(fā)表于 12-19 07:00
數(shù)據(jù)手冊中的一些參數(shù)的數(shù)值有時畫一條橫線或者空著不填是什么意思?
如上表,
tCS的最大值是15ns,最小值和典型值都是空著的,是不是最小值和典型值我可以隨便取(大于0小于15就行
發(fā)表于 12-16 07:45
中建立時間曲線,±20V輸出,如果按照數(shù)據(jù)手冊中4V/uS爬升速率計算,0到20V跳變時間為5uS,從以上兩圖頁可以看出,信號在5uS內(nèi)達(dá)到設(shè)定值20V,該時間也小于建立時間典型值12
發(fā)表于 12-09 08:33
DAC8811的滿量程增益誤差參數(shù)表中判據(jù)為±4mV,手冊開頭中:滿量程電流:2 mA ± 20%VREF=10V。這2個感覺不太明白,不知道怎么去理解,既然滿量程電流的誤差為±2
發(fā)表于 12-02 06:29
關(guān)于手冊中相關(guān)參數(shù)的計算不是看的很明白,手冊中的參數(shù) 與TICSPRO
發(fā)表于 11-11 07:28
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