作為全球創(chuàng)新與技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，三菱電機在2025PCIM Asia展會上亮相，展示了多款前沿功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括面向中功率空調(diào)的Compact DIPIPMTM和SiC SLIMDIP模塊、面向新能源應(yīng)用的第8代IGBT模塊、專為電動汽車設(shè)計的J3系列SiC功率模塊，以及軌道牽引和電力傳輸用SBD嵌入式高壓SiC模塊等創(chuàng)新解決方案。

媒體發(fā)布會：創(chuàng)新與可持續(xù)未來

2025年9月24日，三菱電機半導(dǎo)體在上海PCIM Asia期間舉辦了以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題的媒體發(fā)布會。

三菱電機機電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理赤田智史、三菱電機功率器件制作所資深研究員Gourab Majumdar博士、三菱電機功率器件制作所產(chǎn)品戰(zhàn)略部部長野口宏一郎博士分別就公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)概況、功率芯片技術(shù)路線圖及新型功率模塊亮點進行了詳細介紹。

發(fā)布會最后，Majumdar博士、野口宏一郎博士、赤田智史與三菱電機機電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場總監(jiān)陳偉雄一同參與了媒體問答環(huán)節(jié)。就三菱電機最新產(chǎn)品、技術(shù)趨勢及市場戰(zhàn)略與媒體進行了互動交流。

整體業(yè)務(wù)：

營收利潤雙創(chuàng)新高，戰(zhàn)略聚焦構(gòu)筑核心優(yōu)勢

作為技術(shù)驅(qū)動型企業(yè)，三菱電機深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域69年，憑借多項核心專利與產(chǎn)業(yè)化能力，在全球電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件及家電市場占據(jù)重要地位。其半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛覆蓋變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通信及有線/無線通信等關(guān)鍵領(lǐng)域，為各行業(yè)高效運行與綠色轉(zhuǎn)型提供核心支撐。

在業(yè)務(wù)層面，三菱電機近期財報顯示，公司在復(fù)雜市場環(huán)境中保持穩(wěn)健增長。2025財年（2024年4月至2025年3月）業(yè)績創(chuàng)歷史新高，實現(xiàn)營收55217億日元，營業(yè)利潤3918億日元。盡管面臨匯率波動，2026財年（2025年4月至2026年3月）預(yù)計營收54000億日元，營業(yè)利潤將進一步提升至4300億日元。

在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面，2025財年營收為2863億日元，營業(yè)利潤406億日元，主要得益于光通信器件需求增長及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化。2026財年，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收預(yù)計增至2900億日元，營業(yè)利潤預(yù)計為310億日元，雖受匯率及攤銷成本影響利潤有所調(diào)整，但公司仍持續(xù)投入功率器件與光器件領(lǐng)域，強化市場競爭力。

三菱電機在熊本縣建設(shè)的八英寸SiC晶圓新工廠計劃于2025年11月投產(chǎn)，在福岡縣的模塊封裝與測試新工廠計劃于2026年10月投產(chǎn)。

技術(shù)路線：

硅與碳化硅雙軌并行

在這次發(fā)布會上，三菱電機功率器件制作所資深研究員 Majumdar 博士（Dr. Gourab Majumdar）圍繞功率芯片技術(shù)戰(zhàn)略展開深度解讀，系統(tǒng)闡述了公司在硅基與碳化硅基器件領(lǐng)域的技術(shù)突破與未來規(guī)劃。

在功率芯片技術(shù)方面，三菱電機持續(xù)推動硅基IGBT與碳化硅基MOSFET的協(xié)同發(fā)展。硅基IGBT已演進至第8代，通過CSTBT技術(shù)、超薄晶圓、分段門結(jié)構(gòu)（Split Gate）和深層緩沖（CPL）等創(chuàng)新，顯著降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，提升器件可靠性。第8代IGBT更采用兩段式門極設(shè)計，優(yōu)化dv/dt與di/dt控制，滿足電機驅(qū)動與新能源發(fā)電應(yīng)用等不同應(yīng)用場景需求。

碳化硅技術(shù)方面，三菱電機已推出第4代溝槽柵SiC-MOSFET，具備高柵極可靠性和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢。通過優(yōu)化溝槽底部電場緩解層、側(cè)壁P-well結(jié)構(gòu)及高濃度JFET摻雜，其比導(dǎo)通電阻（Ron,sp）較傳統(tǒng)平面柵SiC-MOSFET降低50%以上。未來，公司計劃每兩年推出一代新型SiC-MOSFET，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)迭代。

SiC 技術(shù)的最新突破：

高性能與高電壓拓展

發(fā)布會上，重點介紹了基于碳化硅（SiC）技術(shù)的功率半導(dǎo)體進展。三菱電機功率器件制作所資深研究員Majumdar博士在發(fā)布會上詳細闡述了SiC-MOSFET技術(shù)的最新突破以及其在電動汽車和可再生能源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

第4代 SiC-MOSFET采用溝槽柵（Trench）結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)平面型設(shè)計，器件比導(dǎo)通電阻（Ron,sp）降低超過50%。其三大優(yōu)化包括：溝槽底部電場松弛層提升柵極可靠性、通過傾斜離子注入在溝槽側(cè)壁上添加p層，以降低Crss電容并改善開關(guān)損耗、施加高濃度n+摻雜以減少JFET效應(yīng)和導(dǎo)通電阻。

為解決雙極性退化問題，三菱電機提供了兩種差異化方案：

中低壓應(yīng)用：質(zhì)子注入層，可將寄生體二極管的可承受電流提升至傳統(tǒng)方案的 1.67 倍。

高壓應(yīng)用：SBD 嵌入式結(jié)構(gòu)，使芯片面積縮減 54%，無退化風險。

未來路線圖顯示，三菱電機將保持“每兩年一代”的節(jié)奏：2028 年推出 Gen.5，2030年推出Gen.6。同時，將電壓等級從現(xiàn)有的 1.7kV/3.3kV拓展至 2.5kV/6.5kV，進一步滿足新能源發(fā)電和高壓輸配電的應(yīng)用需求。

新品亮點：

模塊化解決方案推動行業(yè)升級

三菱電機集中發(fā)布了面向家電、可再生能源、電動汽車及高壓輸電等領(lǐng)域的多款最新功率半導(dǎo)體模塊，包括Compact DIPIPMTM 、SiC SLIMDIP、第8代 IGBT LV100 模塊、J3 系列SiC模塊以及Unifull 系列SBD嵌入式SiC模塊。這些新品以“高效能、低損耗、高可靠性”為核心優(yōu)勢，契合行業(yè)差異化需求，將進一步推動功率半導(dǎo)體技術(shù)迭代與應(yīng)用升級。

Compact DIPIPMTM：

為變頻家電和工業(yè)應(yīng)用開發(fā)的Compact DIPIPM系列產(chǎn)品包括30A/600V和50A/600V兩個等級。樣品已于9月22日開始發(fā)售。Compact DIPIPM通過采用第3代RC-IGBT，該模塊的封裝尺寸已縮減至Mini DIPIPM的53%，有助于客戶在柜式變頻空調(diào)等應(yīng)用中實現(xiàn)更緊湊的逆變控制器。該產(chǎn)品新增用于橋臂短路保護的互鎖功能，將有助于簡化逆變器的基板設(shè)計。另外，通過將連續(xù)工作溫度下限擴展至-40°C，拓展了變頻空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的工作溫度范圍，特別有助于推動在冬季寒冷地區(qū)更廣泛地使用變頻空調(diào)。

SiC SLIMDIP：

為住宅空調(diào)設(shè)計，提供全SiC與SiC輔助型（SiC+Si RC-IGBT并聯(lián)）兩種方案，分別可實現(xiàn)約79%與47%的功率損耗降低。并與現(xiàn)有硅基SLIMDIP封裝完全兼容，助力家電廠商快速實現(xiàn)能效升級。

第8代 IGBT LV100 模塊：

為了進一步提升 IGBT 模塊的功率密度，三菱電機開發(fā)了第8代IGBT模塊。其核心創(chuàng)新包括雙段式分裂柵（Split Gate）及深層緩沖層（CPL），能夠有效降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。在LV100標準封裝（100×140×40mm） 中，第 8 代 IGBT 的額定參數(shù)從第7代的1200V/1200A提升至1200V/1800A，輸出功率提升25%，為光伏與風電逆變器等新能源應(yīng)用提供更高功率和更高效率的解決方案。

J3系列SiC功率模塊：

三菱電機推出了面向電動汽車主驅(qū)逆變器的J3 系列SiC功率模塊。其中，J3-T-PM 模塊采用緊湊型壓注模封裝，額定電壓1300V、電流350A，低電感設(shè)計結(jié)合優(yōu)化散熱性能，可靈活并聯(lián)滿足150–300kW主驅(qū)需求。除主驅(qū)模塊外，J3系列還提供繼電器模塊（體積較傳統(tǒng)機械繼電器縮減約60%，壽命更長），以及標準化SiC 芯片（750V/1200V），幫助客戶簡化設(shè)計并降低成本，為不同車型應(yīng)用提供靈活方案。

Unifull系列SBD嵌入式SiC模塊：

面向高壓輸配電應(yīng)用，采用LV100封裝，額定電壓3.3kV、電流200–800A。創(chuàng)新的 SBD 嵌入式設(shè)計使芯片面積縮減54%，開關(guān)損耗降低58%，徹底消除雙極退化風險。該模塊已于2023年5/6月正式發(fā)布并量產(chǎn)，目前已應(yīng)用于全球HVDC輸電 與軌道交通系統(tǒng)。

這些創(chuàng)新模塊將持續(xù)推動功率半導(dǎo)體行業(yè)向更高效、更可靠和更綠色的方向升級。依托在SiC與硅基技術(shù)的雙軌布局 以及產(chǎn)能擴張規(guī)劃，三菱電機將不斷優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升全球市場的響應(yīng)能力。其將繼續(xù)與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴攜手，以領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)賦能家電、電動汽車、可再生能源及高壓輸電等關(guān)鍵領(lǐng)域，加速能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展目標的實現(xiàn)。

未來展望：

高壓化與全球化布局

未來幾年，三菱電機將持續(xù)加大在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入，特別是碳化硅（SiC）及其他寬禁帶技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。其計劃在熊本縣建設(shè)的8英寸SiC晶圓新工廠將于2025年11月投產(chǎn)，福岡縣的新模塊組裝與檢測工廠則預(yù)計在2026年10月投產(chǎn)，以擴大產(chǎn)能、提升制造效率，滿足全球快速增長的市場需求。

在技術(shù)演進方面，SiC技術(shù)將保持“兩年一代”的節(jié)奏：2026年Gen.5、2028年 Gen.6，并逐步將電壓等級從1.7kV擴展至2.5kV，從3.3kV擴展至6.5kV，面向可再生能源、固態(tài)變壓器（SST/PET）、高壓直流輸電（HVDC）等高壓應(yīng)用。硅基技術(shù)方面，其也將持續(xù)推進第9代IGBT的研發(fā)，探索多柵極和雙面控制等新結(jié)構(gòu)，不斷挑戰(zhàn)損耗與可靠性的極限。

三菱電機將攜手全球合作伙伴，依托在低損耗和高可靠性功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，推動行業(yè)向更高效、更綠色、更智能的方向發(fā)展，助力全球能源轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展的長期目標。

*本文轉(zhuǎn)自三菱電機半導(dǎo)體