DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動器，適用于 48V 汽車三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8363-Q1使用外部12V電源和用于高端MOSFET的集成自舉二極管產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持可配置的峰值柵極驅(qū)動電流，從 16mA 到 1A 源極和 2A 灌電流。DRV8363-Q1 可以在電機(jī)連接處以 8V 至 85V 的寬輸入范圍運(yùn)行。涓流電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持 100% PWM 占空比控制，并為外部開關(guān)提供過驅(qū)動?xùn)艠O驅(qū)動電壓。
*附件：drv8363-q1.pdf

DRV8363-Q1 提供低側(cè)電流檢測放大器，以支持基于電阻的低側(cè)電流檢測。放大器的低失調(diào)使系統(tǒng)能夠獲得精確的電機(jī)電流測量值。

DRV8363-Q1 集成了廣泛的診斷和保護(hù)功能，可實現(xiàn)強(qiáng)大的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計，并有助于消除對外部組件的需求。高度可配置的器件響應(yīng)使器件能夠無縫集成到各種系統(tǒng)設(shè)計中。

特性

• 汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 測試指南
  • 設(shè)備環(huán)境溫度：–40°C 至 +125°C
• 三相半橋柵極驅(qū)動器
  • 驅(qū)動六個 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 8 至 85V 寬工作電壓范圍
  • 用于高側(cè)柵極驅(qū)動器的自舉架構(gòu)
  • 支持 50mA 平均柵極開關(guān)電流，可在 20kHz 時驅(qū)動 400nC MOSFET
  • 涓流電荷泵，支持 100% PWM 占空比，并產(chǎn)生過載電源以驅(qū)動外部切斷或反極性保護(hù)電路
• 智能門驅(qū)動架構(gòu)
  • 15 級可配置峰值柵極驅(qū)動電流，高達(dá) 1000 / 2000mA（源極/灌電流）
  • 基于柵源電壓監(jiān)控的閉環(huán)自動死區(qū)時間插入
  • 可配置的軟關(guān)斷，以最大限度地減少過流關(guān)斷期間的感性電壓尖峰
• 低側(cè)電流檢測放大器
  • 1mV低輸入失調(diào)跨溫度范圍
  • 4 級可調(diào)增益
  • 可調(diào)輸出偏置，支持單向或雙向檢測
• 基于 SPI 的詳細(xì)配置和診斷
• DRVOFF 引腳用于獨立禁用驅(qū)動程序
• 高壓喚醒引腳 （nSLEEP）
• 用于控制電機(jī)制動（主動短路）的專用 ASCIN 引腳
• 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 集成保護(hù)功能
  • 電池和電源電壓監(jiān)控器
  • MOSFET、VDS和Rsense過流監(jiān)測器
  • MOSFET VGS 柵極故障監(jiān)控器
  • 設(shè)備熱警告和關(guān)機(jī)
  • 故障狀態(tài)指示器引腳

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：DRV8363-Q1，符合AEC-Q100汽車級認(rèn)證，工作溫度范圍-40°C至125°C。
• ?核心功能?：48V電池供電的三相智能柵極驅(qū)動器，集成精確電流檢測與高級監(jiān)控功能。
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：
  • 汽車電機(jī)控制（燃油泵、風(fēng)扇、變速箱執(zhí)行器等）
  • 電動交通（電動自行車、滑板車等）的BLDC/PMSM電機(jī)驅(qū)動。

?2. 關(guān)鍵特性?

?2.1 柵極驅(qū)動架構(gòu)?

• ?驅(qū)動能力?：支持6路N溝道MOSFET，峰值驅(qū)動電流1A（源）/2A（灌）。
• ?智能柵極控制?：
  • 15級可配置驅(qū)動電流（16mA至1A/2A）。
  • 基于柵源電壓監(jiān)測的閉環(huán)死區(qū)時間插入。
  • 軟關(guān)斷功能以減少過流關(guān)斷時的電壓尖峰。
• ?供電范圍?：8V至85V寬輸入電壓，支持100% PWM占空比。

?2.2 電流檢測?

• ?低邊電流檢測放大器?：
  • 1mV低溫漂輸入偏移，4級可調(diào)增益。
  • 支持單向/雙向檢測，增益范圍5V/V至40V/V。

?2.3 保護(hù)與診斷?

• ?集成保護(hù)?：
  • 電源電壓監(jiān)控（欠壓/過壓）。
  • MOSFET VDS/VGS故障檢測。
  • 熱警告與關(guān)斷（OTW/OTSD）。
• ?SPI接口?：支持詳細(xì)配置與故障診斷。

?3. 功能模式?

• ?PWM控制模式?：
  • ?6x/3x/1x PWM?：支持獨立半橋控制、霍爾傳感器直接驅(qū)動等。
  • ?獨立模式?：各相獨立配置。
• ?低功耗模式?：通過nSLEEP引腳進(jìn)入睡眠模式，關(guān)閉柵極驅(qū)動與電流檢測。

?4. 電氣特性?

• ?工作條件?：
  • GVDD供電：8V至20V（推薦12V）。
  • VDRAIN耐壓：85V（最大105V瞬態(tài)）。
• ?保護(hù)閾值?：
  • GVDD欠壓鎖定（7.2V典型值）。
  • VDRAIN過壓保護(hù)（可編程36V至84V）。

?5. 封裝與引腳?

• ?封裝?：48引腳QFN（7mm×7mm），帶裸露散熱焊盤。
• ?關(guān)鍵引腳?：
  • ?GHx/GLx?：高/低側(cè)柵極驅(qū)動輸出。
  • ?SPx/SNx?：電流檢測放大器輸入。
  • ?nFAULT?：故障指示輸出（開漏）。

?6. 典型應(yīng)用?

• ?電路設(shè)計?：
  • 外部自舉電容（1μF）與電荷泵電容（1μF）需靠近器件。
  • 電流檢測電阻（0.5mΩ）布局需減少寄生電感。
• ?布局建議?：
  • 縮短柵極驅(qū)動走線，避免多過孔。
  • 電源去耦電容（GVDD/DVDD）需貼近引腳。

?7. 文檔支持?

• 提供完整的寄存器映射（STATUS/CONTROL寄存器）、時序圖及故障響應(yīng)表。
• 參考設(shè)計指南包括熱管理、PCB布局及保護(hù)電路配置。