Microchip Technology EV23P28A評估板旨在簡化對MCP16701 IC功能的評估與測試。 該評估板配備的電路支持負(fù)載瞬態(tài)測試，具有快速電流上升時(shí)間和快速且可控的下降時(shí)間。如果在負(fù)載下測試多個(gè)通道，EV23P28A評估板在VSYST端需至少具備7A電流能力的電源。通過連接跳線J5，該評估板可直接由USB接口供電。EV23P28A評估板集成板載負(fù)載瞬態(tài)發(fā)生器電路。此電路可與外部信號生成器一起使用，用于評估降壓通道1至4和LDO控制器的負(fù)載階躍響應(yīng)。典型應(yīng)用包括DSP電源和MPU電源解決方案。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Microchip Technology EV23P28A 評估板用戶指南.pdf

特性

• 2.7 V 到 5.5 V 的輸入電壓范圍
• 3.4MHz^I2C^接口
• 八個(gè)1.5A降壓DC-DC通道
• 四個(gè)300mA高精度LDO
• 降壓通道可選擇相位（0°、90°、180°或270°）
• 全局復(fù)位（nRSTO_A），帶可編程釋放延遲
• 用戶定義的重置 (nRSTO_P)，帶可編程釋放延遲
• 高精度、高PSRR LDO控制器，使用外部N溝道MOSFET (Q1)
• 并聯(lián)降壓通道1至4的輸出電壓為1V，最大電流能力可達(dá)6A
• 并聯(lián)降壓通道5和6輸出電壓為1.35V，最大電流能力可達(dá)3A
• 降壓通道7輸出電壓為3.3V，電流能力為1.5A
• 降壓通道8輸出電壓為1.35V，電流能力為1.5A
• 降壓通道占空比能力為100%
• LDO控制器輸出電壓為1.05V
• 參考地（REFGND）連接至降壓通道1至4，以提高輸出電壓精度
• 具備低噪聲強(qiáng)制PWM模式和輕載高效模式（通過引腳選擇或位控制切換）
• 開關(guān)頻率外部同步
• 片上可編程非易失性存儲(chǔ)器
• 非易失性存儲(chǔ)器寫入密碼保護(hù)
• NVM和接口配備專用VDD 電源引腳，使編程過程無需啟動(dòng)整個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)
• 運(yùn)行時(shí)可重新配置
• 降壓通道的故障模式電流限制（可禁用）
• 可編程熱預(yù)警和熱關(guān)斷保護(hù)
• nINTO引腳（中斷標(biāo)志）的LED可視指示器，支持對每個(gè)通道選擇中斷屏蔽
• 板載負(fù)載瞬態(tài)發(fā)生器，適用于VOUT1234和LDOC_OUT
• 所有可用輸入和輸出均設(shè)有測試點(diǎn)和插頭
• 開關(guān)節(jié)點(diǎn)測試點(diǎn)
• 插頭便于訪問所有數(shù)字信號
• USB-C^?^ 連接器，便于與主機(jī)電腦連接
• 通用輸出（GPO）
• 看門狗定時(shí)器（WDT）

布局

?Microchip Technology EV23P28A 評估板用戶指南總結(jié)?

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?MCP16701 PMIC?：專為FPGA和高性能MPU設(shè)計(jì)的電源管理集成電路，集成8路可并聯(lián)DC-DC降壓穩(wěn)壓器（每路1.5A）、4路輔助LDO（300mA）及1路外置MOSFET的LDO控制器，支持商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用溫度范圍（-40°C至+105°C）。
• ?評估板功能?：簡化MCP16701性能測試，支持I2C接口配置（通過MCP2221 USB橋接器），提供負(fù)載瞬態(tài)生成電路、多路輸出測試點(diǎn)及可視化中斷指示燈。

?2. 核心特性?

• ?輸入/輸出范圍?：輸入電壓2.7V-5.5V，Buck輸出0.6V-3.8V，LDO控制器輸出0.6V-1.6V。
• ?靈活配置?：Buck1-4并聯(lián)（最大6A）、Buck5-6并聯(lián)（3A）、Buck7/8獨(dú)立（各1.5A）；LDO控制器由Buck8供電。
• ?保護(hù)機(jī)制?：可編程熱警告/關(guān)斷、過壓/欠壓保護(hù)、 hiccup模式電流限制及密碼保護(hù)的NVM存儲(chǔ)。

?3. 使用流程?

• ?硬件連接?：需外接電源（VSYST端子）或通過USB供電（限低功耗測試），負(fù)載連接至對應(yīng)VOUTx端子。
• ?GUI控制?：通過I2C Monitor圖形界面（需安裝.NET Framework 4.5+）配置寄存器，支持實(shí)時(shí)監(jiān)控狀態(tài)標(biāo)志（如故障中斷、POK信號）。
• ?負(fù)載測試?：利用板載MOSFET電路（需外接信號發(fā)生器）實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)測試，需注意電阻功率限制（如Buck1-4的0.33Ω電阻最大占空比33.3%）。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?散熱與布局?：至少25個(gè)散熱過孔連接IC底部焊盤至地平面，優(yōu)先將REFGND接至核心電源地（如VOUT1234）以優(yōu)化精度。
• ?EMI優(yōu)化?：建議將開關(guān)節(jié)點(diǎn)布線在內(nèi)層并用地平面包圍。