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?SN74SSTUB32866 25位可配置寄存緩沖器(帶地址奇偶校驗)技術(shù)文檔摘要

科技綠洲 ? 2025-09-18 16:52 ? 次閱讀
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這款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設計用于 1.7V 至 1.9V VCC 工作。在 1:1引腳配置,每個DIMM只需要一個器件即可驅(qū)動9個SDRAM負載。在 1:2 引腳排列中 配置中,每個 DIMM 需要兩個設備來驅(qū)動 18 個 SDRAM 負載。

所有輸入均SSTL_18,但復位 (RESET) 和控制 (Cn) 輸入除外,它們是 LVCMOS。所有輸出都是 邊沿控制電路針對未端接的 DIMM 負載進行了優(yōu)化,并滿足SSTL_18規(guī)格,但 漏極開路誤差 (QERR) 輸出。
*附件:sn74sstub32866.pdf

SN74SSTUB32866采用差分時鐘(CLK和CLK)工作。數(shù)據(jù)在十字路口登記 CLK 走高,CLK 走低。

SN74SSTUB32866在奇偶校驗位 (PAR_IN) 輸入端接受來自內(nèi)存控制器的奇偶校驗位, 將其與與DIMM無關(guān)的D輸入(D2-D3、D5-D6、D8-D25,當C0 = 0時)上接收到的數(shù)據(jù)進行比較 和 C1 = 0;當 C0 = 0 且 C1 = 1 時,D2-D3、D5-D6、D8-D14;或 D1-D6、D8-D13 當 C0 = 1 時為 1) 并指示漏極開路 QERR 引腳上是否發(fā)生奇偶校驗錯誤(低電平有效)。約定是 均勻平價;即,有效奇偶校驗定義為與DIMM無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入中的偶數(shù)個奇偶校驗, 與奇偶校驗輸入位結(jié)合。要計算奇偶校驗,所有與 DIMM 無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入必須與已知的 邏輯狀態(tài)。

當用作單個器件時,C0 和 C1 輸入連接為低電平。在此配置中,在 PAR_IN輸入信號,在它所應用的輸入數(shù)據(jù)后一個周期到達。兩個時鐘周期后 數(shù)據(jù)被注冊,生成相應的部分奇偶校驗輸出 (PPO) 和 QERR 信號。

成對使用時,第一個寄存器的C0輸入為低電平,第二個寄存器的C0輸入為低電平 高。兩個寄存器的C1輸入都連接為高電平。奇偶校驗,在數(shù)據(jù)輸入后一個周期到達,該 它適用,在第一設備的PAR_IN輸入信號上進行檢查。數(shù)據(jù)注冊后兩個時鐘周期, 相應的 PPO 和 QERR 信號在第二設備上生成。第一個的 PPO 輸出 寄存器級聯(lián)到第二個SN74SSTUB32866的PAR_IN。第一個的 QERR 輸出 SN74SSTUB32866保持浮動狀態(tài),有效錯誤信息鎖存在第二個的 QERR 輸出上 SN74SSTUB32866。

如果發(fā)生錯誤并且 QERR 輸出被驅(qū)動為低電平,則它將保持低電平鎖存至少兩個時鐘周期或 直到RESET被驅(qū)動為低電平。如果發(fā)生兩個或多個連續(xù)的奇偶校驗錯誤,則 QERR 輸出被驅(qū)動為低電平,并且 鎖存低電平時鐘持續(xù)時間等于奇偶校驗錯誤持續(xù)時間,或直到RESET被驅(qū)動為低電平。這 與 DIMM 相關(guān)的信號(DCKE、DCS、DODT 和 CSR)不包括在奇偶校驗計算中。

C0輸入控制1:2引腳排列的引腳配置,從寄存器A配置(低電平時)到。 register-B 配置(高電平時)。C1 輸入控制 25 位 1:1 的引腳配置(低電平時) 到 14 位 1:2(高電平時)。正常運行期間不應切換 C0 和 C1。它們應該是硬連線的 到有效的低電平或高電平,以將寄存器配置為所需模式。在 25 位 1:1 引腳排列配置中, A6、D6 和 H6 端子被驅(qū)動為低電平,是不使用(DNU)引腳。

DDR2 RDIMM應用中,RESET被指定為相對于CLK和CLK完全異步。因此,無法保證兩者之間的時間關(guān)系。進入復位時,寄存器為 清除,并且數(shù)據(jù)輸出相對于禁用差分輸入所需的時間快速驅(qū)動為低電平 接收機。然而,當復位出來時,寄存器相對于所需的時間會迅速激活 使能差分輸入接收器。只要數(shù)據(jù)輸入較低,并且時鐘在 從RESET從低到高轉(zhuǎn)換到輸入接收器完全使能的時間,設計 SN74SSTUB32866確保輸出保持低電平,從而確保輸出上不會出現(xiàn)毛刺。

為確保在提供穩(wěn)定時鐘之前從寄存器輸出定義,必須將RESET保持在 上電期間的低電平狀態(tài)。

該器件支持低功耗待機作。當RESET為低電平時,差分輸入接收器為: 禁用和未驅(qū)動(浮動)數(shù)據(jù)、時鐘和基準電壓 (V 裁判 ) 輸入。此外,當RESET為低電平時,所有寄存器都被復位,所有輸出都強制為低電平,QERR除外。LVCMOS RESET 和 Cn 輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

該器件還通過監(jiān)控系統(tǒng)芯片選擇(DCS 和 CSR)來支持低功耗有源作 當DCS和CSR輸入均為高電平時,輸入和門控Qn和PPO輸出的狀態(tài)變化。如果 DCS或CSR輸入為低電平,Qn和PPO輸出工作正常。此外,如果內(nèi)部低功耗信號 (LPS1) 為高電平(DCS 和 CSR 變?yōu)楦唠娖胶笠粋€周期),器件將 QERR 輸出從狀態(tài)變化中門控。 如果 LPS1 為低電平,則 QERR 輸出工作正常。RESET輸入優(yōu)先于DCS和CSR控制 并且,當驅(qū)動低電平時,強制 Qn 和 PPO 輸出為低電平,并強制 QERR 輸出為高電平。如果 DCS 控制 不需要功能,CSR 輸入可以硬接線到地,在這種情況下,建立時間 對 DCS 的要求與其他 D 數(shù)據(jù)輸入的要求相同。要僅使用 DCS 控制低功耗模式, CSR 輸入應上拉至 VCC通過上拉電阻器。

兩個V裁判引腳(A3 和 T3)在內(nèi)部連接在一起大約 150 個。但是,只需連接兩個 V 中的一個裁判引腳連接到外部V裁判電源。未使用的 V裁判引腳應以 V 結(jié)尾裁判耦合電容器

特性

  • 德州儀器TI) Widebus+ ? 系列成員
  • 引腳排列優(yōu)化了 DDR2 DIMM PCB 布局
  • 可配置為 25 位 1:1 或 14 位 1:2 寄存器緩沖器
  • 芯片選擇輸入可控制數(shù)據(jù)輸出的狀態(tài)變化,并最大限度地降低系統(tǒng)功耗
  • 輸出邊沿控制電路可最大限度地降低未端接線路中的開關(guān)噪聲
  • 支持SSTL_18數(shù)據(jù)輸入
  • 差分時鐘(CLK和CLK)輸入
  • 支持控制和RESET輸入上的LVCMOS開關(guān)電平
  • 檢查與 DIMM 無關(guān)的數(shù)據(jù)輸入上的奇偶校驗
  • 能夠與第二個SN74SSTUB32866級聯(lián)
  • 支持工業(yè)溫度范圍(-40°C 至 85°C)

參數(shù)

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號?:SN74SSTUB32866,屬于德州儀器(TI)Widebus+?系列。
  • ?功能?:25位1:1或14位1:2可配置寄存緩沖器,專為DDR2 DIMM PCB布局優(yōu)化設計。
  • ?電壓范圍?:1.7V至1.9V VCC操作。
  • ?應用場景?:支持工業(yè)溫度范圍(-40°C至85°C),適用于高可靠性環(huán)境。

?2. 核心特性?

  • ?配置靈活性?:
    • 單設備模式:25位1:1配置,驅(qū)動9個SDRAM負載。
    • 雙設備模式:14位1:2配置(需兩片芯片),驅(qū)動18個SDRAM負載。
  • ?低功耗設計?:片選輸入(Chip-Select)可控制數(shù)據(jù)輸出狀態(tài),降低系統(tǒng)功耗。
  • ?噪聲抑制?:輸出邊緣控制電路減少未端接線路的開關(guān)噪聲。
  • ?兼容性?:
    • 數(shù)據(jù)輸入支持SSTL_18標準。
    • 控制輸入(RESET、Cn)支持LVCMOS電平。
    • 差分時鐘輸入(CLK/CLK)實現(xiàn)數(shù)據(jù)同步。

?3. 奇偶校驗功能?

  • ?校驗機制?:
    • 接收內(nèi)存控制器的奇偶位(PAR_IN),與DIMM獨立數(shù)據(jù)輸入(D2-D25等)比對。
    • 采用偶校驗規(guī)則,錯誤時通過開漏輸出引腳QERR(低電平有效)指示。
  • ?錯誤處理?:
    • QERR低電平至少持續(xù)2個時鐘周期,或直至RESET信號觸發(fā)。
    • 支持級聯(lián)模式下的多設備校驗(首設備PPO輸出連接次設備PAR_IN輸入)。

?4. 關(guān)鍵引腳與控制邏輯?

  • ?配置引腳?:
    • ?C0/C1?:控制引腳配置模式(如C0=0/C1=0為25位全校驗,C0=1/C1=1為14位校驗)。
  • ?時鐘與復位?:
    • 數(shù)據(jù)在CLK上升沿/CLK下降沿時寄存。
    • RESET低電平有效,用于清除錯誤狀態(tài)。

?5. 封裝與訂購信息?

  • ?封裝類型?:
    • LFBGA-ZKE(標記SB866)、LFBGA-ZWL,均提供卷帶包裝。
  • ?型號示例?:
    • SN74SSTUB32866ZKER(ZKE封裝)、SN74SSTUB32866ZWLR(ZWL封裝)。

?6. 其他注意事項?

  • ?ESD防護?:器件內(nèi)置有限ESD保護,存儲時需短接引腳或使用導電泡沫。
  • ?生產(chǎn)數(shù)據(jù)?:符合TI標準保修條款,參數(shù)測試可能未全覆蓋。

?總結(jié)?:SN74SSTUB32866是一款高性能、可靈活配置的DDR2寄存緩沖器,集成奇偶校驗和低功耗設計,適用于工業(yè)級內(nèi)存模塊應用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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