Texas Instruments TPS737線性低壓差（LDO）穩(wěn)壓器在電壓跟隨器配置中使用NMOS導(dǎo)通晶體管。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)ESR和輸出電容值的敏感度相對(duì)較低。此功能有助于實(shí)現(xiàn)各種負(fù)載配置。即使搭配較小的1μF陶瓷輸出電容器，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)也非常出色。NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還可實(shí)現(xiàn)極低的壓差。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS737線性LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TPS737采用先進(jìn)的BiCMOS工藝，實(shí)現(xiàn)高精度的同時(shí)，可提供極低的壓差電壓和接地引腳電流。帶有M3后綴的器件型號(hào)采用依托當(dāng)前TI工藝技術(shù)的最新設(shè)計(jì)。未啟用時(shí)，電流消耗小于20nA。該功能專為便攜式應(yīng)用而設(shè)計(jì)。熱關(guān)斷和折返限流功能可為器件提供保護(hù)。

對(duì)于需要更高輸出電壓精度的應(yīng)用，用戶應(yīng)考慮使用Texas Instruments TPS7A37 1%總精度、1A低壓差穩(wěn)壓器。

特性

• 在搭配1μF或更大陶瓷輸出電容器時(shí)可穩(wěn)定工作
• 2.2 V 到 5.5 V 的輸入電壓范圍
• 超低壓差電壓
  • 傳統(tǒng)硅：130mV（1A時(shí)典型值）
  • 新硅（M3后綴）：122mV（1A時(shí)典型值）
• 即使采用1μF輸出電容器，也能實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
• NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有低反向漏電流
• 初始精度：1%
• 在整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的整體精度
  • 傳統(tǒng)硅：3%
  • 新硅（M3后綴）：1.5%
• 關(guān)斷模式下IQ 小于20nA（典型值）
• 熱關(guān)斷和電流限制，用于故障保護(hù)
• 提供多種輸出電壓版本
  • 可調(diào)輸出：1.20V至5.5V
  • 可使用工廠封裝級(jí)編程提供定制輸出

典型應(yīng)用電路

Texas Instruments TPS737線性LDO穩(wěn)壓器技術(shù)解析?

?一、產(chǎn)品概述?

TPS737是德州儀器（TI）推出的?1A低壓差線性穩(wěn)壓器?，采用NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有超低靜態(tài)電流（20nA關(guān)斷電流）和反向電流保護(hù)功能。其關(guān)鍵特性包括：

• ?超低壓差?：122mV（新型硅片）@1A負(fù)載
• ?寬輸入范圍?：2.2V至5.5V
• ?高精度輸出?：±1.5%總精度（新型硅片）
• ?低噪聲設(shè)計(jì)?：27μVRMS噪聲（10Hz-100kHz帶寬）
• ?多封裝選項(xiàng)?：SOT-223、VSON、WSON

?二、核心性能參數(shù)?

1. ?電氣特性?
   • ?輸出電流?：1A連續(xù)輸出
   • ?壓差電壓?：
     • 新型硅片：122mV典型值@1A
     • 傳統(tǒng)硅片：130mV典型值@1A
   • ?靜態(tài)電流?：400μA典型值@10mA負(fù)載
   • ?關(guān)斷電流?：<20nA
2. ?熱性能?
   • ?結(jié)到環(huán)境熱阻?：
     • SOT-223：76°C/W
     • VSON：49.4°C/W
     • WSON：67.3°C/W
   • ?工作結(jié)溫?：-40°C至+125°C
3. ?保護(hù)功能?
   • 熱關(guān)斷（160°C觸發(fā)）
   • 折返式過(guò)流保護(hù)（1.6A典型限流值）

?三、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新?

1. ?NMOS拓?fù)鋬?yōu)勢(shì)?
   • 與傳統(tǒng)PMOS LDO相比，NMOS結(jié)構(gòu)提供：
     • 更低壓差（典型值降低30%）
     • 對(duì)輸出電容ESR不敏感（支持1μF陶瓷電容）
     • 固有反向電流阻斷能力
2. ?雙硅片版本設(shè)計(jì)?
   • ?新型硅片?（CSO: RFB）：
     • 總精度提升至±1.5%
     • 壓降低至122mV
     • 啟動(dòng)時(shí)間縮短30%（431μs典型值）
   • ?傳統(tǒng)硅片?（CSO: DLN）保持向后兼容
3. ?噪聲抑制技術(shù)?
   • 內(nèi)置27kΩ電阻+外部CNR電容構(gòu)成低通濾波
   • 可降低參考噪聲至8.5μVRMS/V（CNR=10nF時(shí)）

四、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?布局指南?
   • 輸入/輸出電容需就近放置（<10mm）
   • 采用星型接地連接散熱焊盤(pán)
   • 避免在散熱路徑上布置敏感信號(hào)線
2. ?熱管理建議?
   • 計(jì)算最大功耗：PD = (VIN - VOUT) × IOUT
   • 對(duì)于SOT-223封裝，至少需要2in2銅箔面積（θJA<50°C/W）
3. ?瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)化?
   • 增加輸出電容可減少欠沖幅度
   • 可調(diào)版本添加CFB電容（≤0.1μF）改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

?五、選型對(duì)比?