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深入解析TPS74701-Q1汽車級LDO線性穩(wěn)壓器:特性、應(yīng)用與設(shè)計指南

科技觀察員 ? 2025-08-06 16:12 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS74701-Q1低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器可面向多種應(yīng)用提供易于使用、穩(wěn)健型電源管理解決方案。該線性穩(wěn)壓器包括用戶可編程軟啟動,從而通過減少啟動時的電容性浪涌電流,最大限度地減少了輸入電源上的應(yīng)力。TPS74701-Q1 LDO具有使能輸入和電源正常輸出功能,可通過外部穩(wěn)壓器輕松進行時序控制。該穩(wěn)壓器具有高精度的基準電壓和誤差放大器,可在整個線路、負載和溫度范圍內(nèi)提供0.95%精度。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS74701-Q1 LDO線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS74701-Q1 LDO在使用大于或等于2.2μF的任何類型電容器時均能保持穩(wěn)定。典型應(yīng)用包括汽車音響主機、信息娛樂和組合儀表、遠程信息處理控制單元以及前置攝像頭和后置攝像頭。TPS74701-Q1低壓差穩(wěn)壓器符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準。

特性

  • 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準
  • TA溫度等級1:-40°C至125°C
  • VOUT 范圍:0.8V至3.6V
  • V IN范圍:0.8V至5.5V~~
  • VBIAS 范圍:2.7V至5.5V
  • 低壓降:500mA下的典型值為20mV,VBIAS = 5 V
  • 電源良好 (PG) 輸出實現(xiàn)電源監(jiān)控或者為其他電源提供排序信號
  • 精度對線,負載以及溫度:0.95%
  • 可編程軟啟動提供線性電壓啟動
  • VBIAS 支持VIN 運行,具有良好的瞬態(tài)響應(yīng)
  • 與≥2.2μF的任何輸出電容器一起工作時可保持穩(wěn)定
  • 采用小型3mm x 3mm 10引腳VSON封裝

功能框圖

1.png

典型應(yīng)用電路(可調(diào))圖

2.png

深入解析TPS74701-Q1汽車級LDO線性穩(wěn)壓器:特性、應(yīng)用與設(shè)計指南

一、核心特性

?核心特性亮點?:

  • ?寬輸入電壓范圍?:0.8V至5.5V(VIN),2.7V至5.5V(VBIAS)
  • ?精密輸出?:0.8V至3.6V可調(diào)輸出,精度高達0.95%(全溫度范圍)
  • ?超低壓差?:典型值僅20mV@500mA(VBIAS=5V時)
  • ?智能保護?:電源良好(PG)輸出、可編程軟啟動、熱關(guān)斷保護
  • ?高穩(wěn)定性?:支持≥2.2μF的任何類型輸出電容
  • ?緊湊封裝?:3mm×3mm 10引腳VSON封裝

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 雙電源架構(gòu)設(shè)計

TPS74701-Q1采用創(chuàng)新的雙電源輸入設(shè)計,通過獨立的BIAS引腳(2.7-5.5V)為內(nèi)部控制電路供電,使主輸入(IN)能夠低至0.8V仍保持穩(wěn)定工作。這種架構(gòu)特別適合需要從低電壓電源產(chǎn)生穩(wěn)定輸出的應(yīng)用場景。

2. 可編程軟啟動技術(shù)

器件集成電壓控制型軟啟動電路,通過外部電容(CSS)可編程設(shè)置啟動時間(0.1ms至18ms)。軟啟動公式為:
tSS = (VREF × CSS)/ISS
其中VREF為0.8V,ISS典型值為440nA(舊芯片)或530nA(新芯片)。此功能有效抑制浪涌電流,確保單調(diào)啟動,滿足處理器ASIC的電源時序要求。

3. 先進的電源抑制比(PSRR)

在1kHz頻率下,VBIAS到VOUT的PSRR典型值達76dB(新芯片),VIN到VOUT的PSRR為60dB(舊芯片)/76dB(新芯片),顯著優(yōu)于傳統(tǒng)LDO架構(gòu),特別適合為噪聲敏感的RF電路和精密模擬器件供電。

三、典型應(yīng)用場景

  1. ?車載信息娛樂系統(tǒng)?:
    • 主機單元電源管理
    • 儀表盤顯示供電
    • 導航系統(tǒng)核心電壓調(diào)節(jié)
  2. ? 高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS) ?:
    • 前后攝像頭模塊供電
    • 雷達傳感器電源
    • 視覺處理單元(VPU)核心電壓
  3. ?車聯(lián)網(wǎng)單元?:
    • 遠程信息處理控制單元(TCU)
    • V2X通信模塊電源
    • 車載網(wǎng)關(guān)電源管理
  4. ?控制器系統(tǒng)?:
    • 多核SoC的I/O電壓生成
    • 存儲器件供電
    • 傳感器融合模塊電源

四、設(shè)計要點與實施指南

1. 輸出電壓配置

對于可調(diào)版本,輸出電壓由外部電阻分壓器設(shè)定:
VOUT = 0.8V × (1 + R1/R2)
建議R2 ≤ 4.99kΩ以保證精度。常用配置示例:

  • 1.2V輸出:R1=4.12kΩ,R2=4.75kΩ
  • 1.8V輸出:R1=3.57kΩ,R2=1.69kΩ
  • 3.3V輸出:R1=3.57kΩ,R2=1.15kΩ

2. 關(guān)鍵外圍元件選擇

  • ? 輸入電容(CIN) ?:≥1μF陶瓷電容(X5R/X7R),與IN引腳距離<5mm
  • ? 偏置電容(CBIAS) ?:≥0.1μF(獨立BIAS時),VIN/BIAS共用時≥4.7μF
  • ? 輸出電容(COUT) ?:≥2.2μF,低ESR陶瓷電容,容值越大瞬態(tài)響應(yīng)越好
  • ? 軟啟動電容(CSS) ?:根據(jù)tSS需求選擇,最大建議15nF

3. PCB布局建議

  • 采用星型接地,熱焊盤必須焊接至PCB并連接至大面積銅箔
  • 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳(<3mm)
  • 反饋電阻網(wǎng)絡(luò)靠近負載放置,避免長走線引入噪聲
  • 功率路徑使用寬走線(≥20mil),減少IR壓降

4. 熱設(shè)計考量

功率耗散計算公式:
PD = (VIN - VOUT) × IOUT
最大允許功耗取決于環(huán)境溫度和要求結(jié)溫:
RθJA = (150°C - TA)/PD
對于3mm×3mm VSON封裝,建議使用≥9mm2的銅箔面積散熱。

五、汽車電子設(shè)計中的獨特優(yōu)勢

  1. ?EMC性能優(yōu)化?:低噪聲設(shè)計(20×VOUT μVRMS)滿足CISPR25 Class 5要求
  2. ?故障安全機制?:集成電源良好監(jiān)測(PG)、過溫保護(TSD@165°C)、短路保護
  3. ?時序控制?:通過EN引腳和PG輸出實現(xiàn)多電源精確時序控制
  4. ?長期可靠性?:通過AEC-Q100認證,支持ISO 26262功能安全開發(fā)
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