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德州儀器DRV8411A雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器深度解析

科技觀察員 ? 2025-08-27 15:46 ? 次閱讀
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Texas Instruments DRV8411A雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)一個(gè)或兩個(gè)直流有刷電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)、螺線管或其他電感負(fù)載。借助三倍電荷泵,該器件的工作電壓低至1.65V,可適應(yīng)1.8V電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器并允許100%占空比運(yùn)行。輸入和輸出可以并聯(lián),以驅(qū)動(dòng)具有一半RDS(ON) 的大電流有刷DC電機(jī)。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments DRV8411A雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

該器件進(jìn)行電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)。內(nèi)部電流鏡像輸出IPROPI引腳上的電流檢測(cè)信息,無需大功率分流電阻器,從而節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。借助IPROPI輸出,微控制器可以檢測(cè)電機(jī)失速或負(fù)載條件變化。使用VREF 引腳,此系列器件可以在啟動(dòng)和高負(fù)載事件期間調(diào)節(jié)電機(jī)電流,而無需與微控制器進(jìn)行交互。

低功耗休眠模式通過關(guān)斷大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護(hù)功能包括欠壓、過流和過熱保護(hù)。Texas Instruments DRV8411A所屬的器件系列具有引腳對(duì)引腳、可擴(kuò)展RDS(ON) 選項(xiàng),可支持不同負(fù)載,并盡可能減少設(shè)計(jì)改動(dòng)。

特性

  • PWM控制接口
  • 支持1.8V、3.3V和5V邏輯輸入
  • 集成電流調(diào)節(jié)
  • IPROPI電流檢測(cè)輸出,用于失速檢測(cè)
  • 低功耗睡眠模式
    • ≤40nA(VVM =5V、TJ =25°C時(shí))
  • 小型封裝尺寸和占位面積
    • 帶PowerPAD?的16引腳HTSSOP,5.0mm x 4.4mm
    • 帶PowerPAD?的16引腳WQFN,3.0mm × 3.0mm
  • 集成保護(hù)特性
    • VM欠壓閉鎖 (UVLO)
    • 自動(dòng)重試過流保護(hù) (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (TSD)
    • 故障指示引腳(nFAULT)
  • 雙路H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)
    • 一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)
    • 一個(gè)或兩個(gè)有刷直流電機(jī)
    • 螺線管和其他電感負(fù)載
  • 低導(dǎo)通電阻:HS+LS=400mΩ(典型值,25°C時(shí))
  • 寬電源電壓范圍
    • 1.65 V 至 11 V

簡(jiǎn)化示意圖

1.png

德州儀器DRV8411A雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器深度解析

一、產(chǎn)品核心特性概覽

DRV8411A是德州儀器(TI)推出的汽車級(jí)雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和感性負(fù)載設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的PowerPAD封裝技術(shù),具有以下突出特性:

?關(guān)鍵性能參數(shù)?:

  • ?低導(dǎo)通電阻?:HS+LS合計(jì)僅400mΩ(典型值@25°C)
  • ?寬工作電壓?:1.65V至11V供電范圍
  • ?高輸出能力?:4A峰值驅(qū)動(dòng)電流
  • ?集成電流調(diào)節(jié)?:支持200μA/A比例的IPROPI電流反饋
  • ?超低功耗?:睡眠模式電流≤40nA
  • ?保護(hù)機(jī)制?:集成欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(hù)(OCP)和熱關(guān)斷(TSD)

?封裝選項(xiàng)?:

  • 16引腳HTSSOP(5.0×4.4mm)
  • 16引腳WQFN(3.0×3.0mm)

二、創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計(jì)

1. 雙H橋驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

DRV8411A采用雙獨(dú)立H橋設(shè)計(jì),每個(gè)橋臂包含:

  • 高邊MOSFET(RDS(ON)=200mΩ典型值)
  • 低邊MOSFET(RDS(ON)=200mΩ典型值)
  • 集成體二極管(VSD=1V典型值@-0.5A)

?工作模式支持?:

  • ?有刷直流電機(jī)?:支持正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/制動(dòng)/滑行四種模式
  • ?步進(jìn)電機(jī)?:支持全步進(jìn)和半步進(jìn)控制
  • ?并聯(lián)模式?:可并聯(lián)輸出實(shí)現(xiàn)更高電流驅(qū)動(dòng)

2. 電流檢測(cè)系統(tǒng)

創(chuàng)新性地采用內(nèi)部電流鏡技術(shù),通過IPROPI引腳輸出比例電流:

  • ?檢測(cè)精度?:±6%誤差(3.3V≤VVM≤11V)
  • ?帶寬特性?:2μs傳感延遲時(shí)間
  • ?電壓轉(zhuǎn)換?:外接電阻將電流信號(hào)轉(zhuǎn)為電壓信號(hào)

3. 三重保護(hù)機(jī)制

?安全保護(hù)體系?:

  1. ?欠壓鎖定?:1.6V(上升)/1.3V(下降)閾值
  2. ?過流保護(hù)?:4A觸發(fā)閾值,1.6ms自動(dòng)重試
  3. ?熱關(guān)斷?:153°C觸發(fā),18°C滯后

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

1. 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

?關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)?:

  • 電機(jī)電壓:根據(jù)轉(zhuǎn)速需求選擇(典型值3-11V)
  • 電流設(shè)定:通過VREF和RIPROPI配置ITRIP
  • 步進(jìn)模式:全步進(jìn)/半步進(jìn)(快衰減/慢衰減)

2. 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)

?并聯(lián)模式配置要點(diǎn)?:

  • 并聯(lián)AIN1/BIN1和AIN2/BIN2
  • 連接AOUT1/BOUT1和AOUT2/BOUT2
  • 禁用電流調(diào)節(jié)功能(VREF>GND)

?PCB布局建議?:

  • VM去耦電容盡量靠近器件(100nF+10μF組合)
  • 功率走線寬度≥1mm(1oz銅厚)
  • 散熱焊盤需充分連接至地平面

四、熱設(shè)計(jì)與可靠性分析

1. 熱性能參數(shù)

?HTSSOP封裝?:

  • RθJA=45.1°C/W(2層板)
  • ΨJB=19.9°C/W

?WQFN封裝?:

  • RθJA=49.7°C/W(2層板)
  • ΨJB=23.5°C/W

2. 降額曲線分析

在VVM=5V條件下:

  • 2層PCB(4cm2銅面積):最大持續(xù)電流≈1.2A
  • 4層PCB(16cm2銅面積):最大持續(xù)電流≈1.8A

五、行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景

  1. ?消費(fèi)電子?:
    • 電池供電玩具
    • 電子門鎖系統(tǒng)
    • 游戲機(jī)外圍設(shè)備
  2. ?工業(yè)自動(dòng)化?:
  3. ?機(jī)器人系統(tǒng)?:
    • 小型伺服驅(qū)動(dòng)
    • 機(jī)械臂關(guān)節(jié)控制
    • 移動(dòng)機(jī)器人底盤驅(qū)動(dòng)
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