Texas Instruments LM2105EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于主要評(píng)估LM2105的性能。LM2105是一款具有105V啟動(dòng)電壓的高側(cè)、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，具有0.5A峰值電流和0.8A灌電流，用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。該板還可用于評(píng)估采用支持封裝的其他引腳對(duì)引腳兼容部件。LM2105具有低傳播延遲以及驅(qū)動(dòng)器輸出高側(cè)和低側(cè)上升沿與下降沿之間的低傳播延遲匹配，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的可靠計(jì)時(shí)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments LM2105EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

Texas Instruments LM2105EVM可評(píng)估LM2105，將其對(duì)照數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行比較，或通過(guò)外部接口連接到提供源電流和灌電流柵極電阻靈活性的電源設(shè)備。LM2105EVM評(píng)估板采用表面貼裝測(cè)試點(diǎn)，可連接至INL、INH、GVDD和BST輸入。還可提供其他各種測(cè)試點(diǎn)，用于探測(cè)LM2105。輸入偏置經(jīng)過(guò)配置，BST-SH高側(cè)偏置可由GVDD提供，或者可以添加外部額外偏置直接提供BST-SH。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出返回分別在SH和GND上分離，方便評(píng)估LM2105 SH負(fù)電壓能力。

特性

• 評(píng)估LM2105 柵極驅(qū)動(dòng)器的低電壓特性的評(píng)估模塊
• 5V至18V VCC 電源范圍
• 針對(duì)偏置電源旁路電容、柵極驅(qū)動(dòng)電阻選項(xiàng)進(jìn)行優(yōu)化的PCB布局布線
• TTL和CMOS兼容型輸入
• 電容負(fù)載、外部柵極驅(qū)動(dòng)電阻器和用于柵極驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)評(píng)估的二極管
• 支持快速驗(yàn)證大部分?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)的參數(shù)
• 測(cè)試點(diǎn)支持探測(cè)LM2105的所有關(guān)鍵引腳

工作臺(tái)設(shè)置

LM2105EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

LM2105EVM是德州儀器(TI)推出的105V高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊，專為評(píng)估LM2105驅(qū)動(dòng)器性能而設(shè)計(jì)。該模塊具有以下核心特性：

?關(guān)鍵參數(shù)?：

• 輸入電壓范圍：5V至18V(VCC供電)
• 驅(qū)動(dòng)能力：0.5A峰值源電流/0.8A峰值灌電流
• 傳播延遲匹配特性：高邊和低邊驅(qū)動(dòng)輸出的上升/下降沿延遲匹配優(yōu)異
• 集成自舉二極管簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
• 支持TTL和CMOS兼容輸入

二、硬件架構(gòu)解析

1. 接口配置

模塊提供豐富的測(cè)試點(diǎn)配置：

• ?輸入接口?：INH_IN(高邊輸入)、INL_IN(低邊輸入)
• ?電源接口?：VCC(5-18V)、GVDD(芯片供電)
• ?輸出接口?：GH(高邊輸出)、GL(低邊輸出)
• ?關(guān)鍵監(jiān)測(cè)點(diǎn)?：BST(自舉電壓)、SH(高邊返回)

2. 核心電路設(shè)計(jì)

• ?柵極驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)?：支持外部柵極電阻和二極管評(píng)估
• ?自舉電路?：集成內(nèi)部二極管，可選外接二極管配置
• ?旁路電容?：優(yōu)化布局的GVDD旁路電容網(wǎng)絡(luò)
• ?負(fù)載配置?：1nF容性負(fù)載用于基本性能測(cè)試

三、測(cè)試配置指南

1. 設(shè)備要求

• ?電源?：20V/1A以上DC電源(如Agilent E3634A)
• ?信號(hào)源?：雙通道>10MHz函數(shù)發(fā)生器(如Tektronix AFG3252)
• ?示波器?：四通道500MHz以上帶寬(如DPO7054)
• ?萬(wàn)用表?：25V/1A以上精度(如Fluke187)

2. 基準(zhǔn)測(cè)試配置

?典型參數(shù)設(shè)置?：

• 供電電壓：12V(限流50mA)
• 輸入信號(hào)：
  • 通道A：100kHz，5V脈沖，2.5μs脈寬
  • 通道B：100kHz，5V脈沖，2.5μs脈寬，5μs延遲
• 預(yù)期工作電流：3.2mA±1.5mA(1nF負(fù)載時(shí))

四、性能波形分析

1. 傳播延遲特性

• ?高邊通道?：INH到GH的傳播延遲典型值見數(shù)據(jù)手冊(cè)
• ?低邊通道?：INL到GL的傳播延遲匹配高邊性能
• 測(cè)試要點(diǎn)：使用短地線探頭減小測(cè)量誤差

2. 典型波形示例

• 輸入輸出相位關(guān)系清晰可見
• 上升/下降時(shí)間符合MOSFET驅(qū)動(dòng)要求
• 交叉?zhèn)鲗?dǎo)抑制表現(xiàn)優(yōu)異

五、擴(kuò)展應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 外部自舉二極管配置

當(dāng)評(píng)估無(wú)內(nèi)置二極管的兼容驅(qū)動(dòng)器時(shí)：

• 安裝R10(2.2-10Ω 1206電阻)
• 推薦使用快速恢復(fù)二極管(如ES1D系列)
• 注意評(píng)估負(fù)壓耐受能力

2. 柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化

• 通過(guò)R3/R5(4.02Ω)調(diào)整源極電阻
• 通過(guò)R4/R6(0Ω)配置灌電流路徑
• 電容C6/C7(1nF)可替換為實(shí)際MOSFET等效電容

六、PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 布局優(yōu)化

• 四層板堆疊設(shè)計(jì)
• 頂層：關(guān)鍵功率路徑
• 內(nèi)層1：完整地平面
• 內(nèi)層2：電源分配網(wǎng)絡(luò)
• 底層：輔助元件布置

2. 熱管理

• 充分利用散熱焊盤
• 功率路徑使用寬銅箔
• 關(guān)鍵元件周圍布置熱過(guò)孔

七、安全注意事項(xiàng)

1. ?電氣安全?：
   • 嚴(yán)格限定在最大額定值內(nèi)使用
   • 避免同時(shí)接觸多個(gè)測(cè)試點(diǎn)
   • 高壓測(cè)試時(shí)保持安全距離
2. ?ESD防護(hù)?：
   • 存儲(chǔ)時(shí)使用防靜電包裝
   • 操作時(shí)佩戴接地手環(huán)
   • 避免用手直接接觸引腳