在做電力電子設(shè)計的朋友，經(jīng)常會遇到一個選擇題：IGBT 和 MOSFET，到底該用哪個?

這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動汽車、電源模塊等場景。但它們各自的“性格”不一樣，理解清楚才能用得順手。今天就帶大家來拆解一下。

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MOSFET 是誰?IGBT 又是啥?

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)

本質(zhì)是“電壓驅(qū)動、導(dǎo)通靠電子流動”。優(yōu)點是開關(guān)速度快、驅(qū)動功耗低、導(dǎo)通電阻小。像 PowerMaster 的系列 MOSFET，就專門針對低壓高速場景做了優(yōu)化，在高頻開關(guān)電源里效率表現(xiàn)很亮眼。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

可以理解為“MOSFET 的輸入端 + BJT 的輸出端”。它有 MOSFET 的驅(qū)動優(yōu)勢，又有 BJT 承受大電流的能力。Trinno 的 IGBT 在中高壓電機驅(qū)動和光伏逆變器里應(yīng)用廣泛，耐壓高，可靠性強。

一句話總結(jié)：MOSFET 更像短跑健將，IGBT 更像大力士。

02

核心區(qū)別：導(dǎo)通損耗 vs. 開關(guān)速度

03

應(yīng)用場景怎么選?

低壓高速場合(<600V)比如：開關(guān)電源、DC-DC 模塊、服務(wù)器電源、快充適配器 ——

MOSFET 更合適。這里像 PowerMaster 的低導(dǎo)通電阻 MOSFET，就常被用在高效率 DC-DC 電路里。

(在高頻下依然保持較高效率，適合快充電源、服務(wù)器電源等場景)

中高壓大功率場合(600V 以上)比如：光伏逆變器、電動車電機驅(qū)動、軌道交通、工業(yè)變頻器 ——

IGBT 更常見。Trinno 的 IGBT 模塊在這些大功率系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定，工程師評價普遍是“耐壓可靠，不怕硬仗”。

值得注意的是，SiC(碳化硅)MOSFET 正在崛起，能同時兼顧高壓和高速，逐漸在高端市場挑戰(zhàn) IGBT 的地位。

04

工程師的小建議

如果你做的是幾百瓦級別、低電壓、追求高頻效率，像 PowerMaster 的 MOSFET 產(chǎn)品就很值得關(guān)注。

如果你做的是幾千瓦甚至兆瓦級別、大電流、高壓場景，Trinno 的 IGBT 模塊會讓你省心不少。

當(dāng)然，如果預(yù)算夠，也可以嘗試 SiC MOSFET —— 不過要注意成本。

MOSFET 和 IGBT 并不是“誰好誰壞”的關(guān)系，而是不同應(yīng)用的最佳拍檔：

MOSFET：快、靈活，適合中低壓場景。

IGBT：穩(wěn)、能扛，適合高壓大功率。

選型時可以參考一句老話：用 MOSFET 做快的，用 IGBT 扛大的。

而在具體產(chǎn)品選擇上，PowerMaster 的 MOSFET 和 Trinno 的 IGBT，都是工程師常用的可靠選擇。