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TPS748低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-19 09:52 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS748低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器為各種應(yīng)用提供簡單易用、穩(wěn)健可靠的電源管理解決方案。用戶可編程軟啟動可最大限度地減少輸入電源的壓力,減少了啟動時的電容涌流。軟啟動為單調(diào)設(shè)計,適合用于為多種不同類型的處理器和應(yīng)用特定的集成電路 (ASIC) 供電。使能輸入和電源良好輸出可通過外部穩(wěn)壓器實現(xiàn)輕松排序。憑借全方位的靈活性,可為現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)字信號處理器 (DSP) 等具有特殊啟動要求的應(yīng)用配置可滿足其時序要求的解決方案。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS748低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

精密基準(zhǔn)和誤差放大器可在負(fù)載、線路、溫度和工藝條件下提供2%精度。該器件在使用任何大于或等于2.2μF電容器時都能保持穩(wěn)定,并完全符合TJ = -40°C至+125°C的規(guī)定。Texas Instruments TPS748采用小型3 mm × 3 mm VSON-10封裝,實現(xiàn)高度緊湊的整體解決方案尺寸。該器件還采用5mm×5mm VQFN-20封裝,與TPS744兼容。

特性

  • 0.8V至3.6V VOUT 范圍
  • 0.8V至5.5V超低VIN 范圍
  • VBIAS 范圍2.7V至5.5V
  • 低壓差
  • 60mV,通常在1.5A、VBIAS = 5V時
  • 電源良好(PG)輸出實現(xiàn)電源監(jiān)控或者為其他電源提供排序信號
  • 整個線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度:2%
  • 可編程軟啟動提供線性電壓啟動
  • VBIAS 允許低VIN 運行,瞬態(tài)響應(yīng)良好
  • 使用任何 ≥ 2.2μF的輸出電容時均保持穩(wěn)定
  • 采用小型3mm × 3mm × 1mm VSON-10和5mm × 5mm VQFN-20封裝

功能框圖

1.png

TPS748低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

TPS748是德州儀器(TI)推出的1.5A輸出電流低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),具有可編程軟啟動功能。該器件采用創(chuàng)新的NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有以下核心特性:

  • ?超寬輸入電壓范圍?:0.8V至5.5V
  • ?輸出電壓范圍?:0.8V至3.6V(可調(diào))
  • ?極低壓差?:典型值60mV@1.5A(VBIAS=5V)
  • ?高精度輸出?:新芯片精度達(dá)±1%(全溫范圍)
  • ?集成保護(hù)功能?:短路限流、熱關(guān)斷
  • ?多種封裝選擇?:3mm×3mm VSON-10和5mm×5mm VQFN-20

關(guān)鍵電氣特性

絕對最大額定值

參數(shù)最小值最大值單位
輸入電壓-0.36.0V
工作結(jié)溫-40150°C
存儲溫度-55150°C

典型性能參數(shù)

  • ?靜態(tài)電流?:3.8mA(典型值)
  • ?關(guān)斷電流?:0.85μA(新芯片)
  • ? 紋波抑制比(PSRR) ?:
    • 1kHz時60dB(VIN至VOUT)
    • 300kHz時50dB(VBIAS至VOUT)
  • ?輸出噪聲?:25μVrms×VOUT(100Hz至100kHz)

應(yīng)用設(shè)計指南

. 關(guān)鍵元件選型

?電阻分壓網(wǎng)絡(luò)?:

  • R2推薦值≤4.99kΩ(保證精度)
  • 常見輸出電壓配置:
    • 1.2V:R1=4.12kΩ, R2=4.75kΩ
    • 1.5V:R1=4.12kΩ, R2=4.75kΩ
    • 3.3V:R1=3.57kΩ, R2=1.15kΩ

?電容選擇?:

  • 輸入電容:≥1μF(X5R/X7R)
  • 輸出電容:≥2.2μF(任意類型)
  • 軟啟動電容:1nF(典型1ms啟動時間)

核心功能解析

1. 可編程軟啟動

通過外部電容CSS實現(xiàn):

  • 啟動時間公式:tSS = (VREF×CSS)/ISS
    • 其中VREF=0.8V,ISS=530nA(新芯片)
  • 最大推薦值15nF
  • 典型配置:
    • 1nF → 1.5ms
    • 10nF → 15ms

2. 雙電源架構(gòu)

  • ?VIN?:主電源輸入(0.8-5.5V)
  • ?VBIAS?:偏置電源(2.7-5.5V)
    • 當(dāng)VIN < VOUT+1.62V時必須使用
    • 提供柵極驅(qū)動電壓,改善低壓差性能

3. 保護(hù)功能

  • ?過流保護(hù)?:3.35A(典型值)
  • ?熱關(guān)斷?:165°C觸發(fā),140°C恢復(fù)
  • ?電源良好(PG)監(jiān)測?:
    • 開漏輸出,需外接上拉電阻
    • 閾值:90%VOUT(典型值)

熱設(shè)計指南

1. 功率計算

PD = (VIN - VOUT) × IOUT

2. 熱阻參數(shù)

封裝RθJA(°C/W)RθJC(top)(°C/W)ψJT(°C/W)
VSON-1044.250.30.7
VQFN-2035.633.30.4

3. 布局建議

  • 在器件下方設(shè)置散熱過孔陣列
  • 保持輸入/輸出電容靠近引腳
  • 反饋電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)靠近負(fù)載放置

行業(yè)應(yīng)用方案

1. 網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備

  • 為FPGA I/O供電(1.2V/1.5V)
  • 利用低噪聲特性為PLL供電
  • 典型配置:
    • VIN=1.8V, VBIAS=5V
    • 效率達(dá)83%

2. 工業(yè)傳感器

  • 4-20mA環(huán)路供電轉(zhuǎn)換
  • 支持-40°C至125°C工作溫度
  • 利用PG信號實現(xiàn)電源序列控制

3. 服務(wù)器電源

  • 為ASIC提供多路低壓電源
  • 通過EN引腳實現(xiàn)時序控制
  • 典型配置:
    • VIN=3.3V, VOUT=1.8V
    • COUT=47μF(低ESR)

新舊版本對比

特性老款芯片新款芯片
精度±2%±1%
靜態(tài)電流1μA(典型)0.85μA
軟啟動電流440nA530nA
ESD防護(hù)1kV HBM2kV HBM
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