18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-04-14 05:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

根據(jù)搜索結(jié)果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內(nèi)涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合作,X-FAB作為美國境內(nèi)的SiC代工廠,其客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024年財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

替代選項(xiàng):若需國產(chǎn)替代,可關(guān)注華潤(rùn)微,基本股份等國產(chǎn)廠商,其技術(shù)已可以替代大部分美國流片的SiC碳化硅MOSFET。

1. AOS萬國半導(dǎo)體(Alpha and Omega Semiconductor)

合作詳情:AOS總部位于美國硅谷,其碳化硅MOSFET產(chǎn)品線主要委托X-FAB代工生產(chǎn)。此外,AOS計(jì)劃在美國J-Fab工廠建設(shè)自有碳化硅產(chǎn)線,但當(dāng)前代工仍依賴X-FAB。

2. 派恩杰半導(dǎo)體

合作詳情:派恩杰作為第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司,其碳化硅MOSFET產(chǎn)品由X-FAB代工生產(chǎn)。

3. M-MOS Semiconductor(已被X-FAB收購)

歷史合作:在被X-FAB收購前,M-MOS作為無晶圓廠公司,其工業(yè)、消費(fèi)及汽車市場(chǎng)的MOSFET晶圓主要由X-FAB代工。M-MOS還具備硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)能力。

整合情況:2024年1月,X-FAB以2250萬歐元完成對(duì)M-MOS的收購,旨在強(qiáng)化其分立器件業(yè)務(wù)的技術(shù)與市場(chǎng)布局。目前M-MOS的研發(fā)能力已整合至X-FAB體系內(nèi)。

其他潛在客戶

X-FAB作為美國境內(nèi)的SiC代工廠,其客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024年財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟

總結(jié)與建議

明確品牌:當(dāng)前公開信息顯示,AOS萬國半導(dǎo)體、派恩杰半導(dǎo)體及原M-MOS(現(xiàn)屬X-FAB)是通過X-FAB代工的主要碳化硅MOSFET品牌。

替代選項(xiàng):若需國產(chǎn)替代,可關(guān)注華潤(rùn)微,基本股份等國產(chǎn)廠商,其技術(shù)已可以替代大部分美國流片的SiC碳化硅MOSFET。

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

如需進(jìn)一步了解具體品牌的產(chǎn)品參數(shù)或合作細(xì)節(jié),可查閱相關(guān)企業(yè)官網(wǎng)或行業(yè)報(bào)告。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9200

    瀏覽量

    227204
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢(shì)?

    Carbide(UnitedSiC)。安森美預(yù)計(jì)交易將在2025年第一季度完成,同時(shí)這也意味著Qorvo即將退出SiC市場(chǎng)。 近幾年Qorvo碳化硅領(lǐng)域推出不少具有亮點(diǎn)的新品,并且
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?3868次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>收購Qorvo<b class='flag-5'>碳化硅</b>業(yè)務(wù),<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢(shì)?

    麥科信光隔離探頭碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

    安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?871次閱讀

    碳化硅行業(yè)觀察:2025年SiC功率器件廠商大洗牌

    2025年碳化硅SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì),其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績(jī)”成為企業(yè)生存基礎(chǔ)的核心邏輯,與
    的頭像 發(fā)表于 02-26 07:08 ?1005次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?770次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅SiC半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2140次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 16:30 ?873次閱讀

    安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

    之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:31 ?774次閱讀

    安森美碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?777次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?809次閱讀

    碳化硅SiC光電器件中的使用

    。 高熱導(dǎo)率 :SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 :
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?2224次閱讀

    碳化硅SiC電子器件中的應(yīng)用

    隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?2349次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2536次閱讀