18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

金升陽推出高性能第三代插件式單路驅動電源

金升陽科技 ? 來源:金升陽科技 ? 2025-04-09 17:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。

該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等行業(yè)。

01 產品優(yōu)勢

1 QA-R3S系列驅動電源產品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

②滿足1700V長期絕緣要求(適用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到1700V,應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊

④多項性能指標提升

該系列驅動電源相較于友商類似產品,在整體性能上可做到與行業(yè)水平持平或更優(yōu)。

f02dec9c-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

2 QA_T-R3S系列驅動電源產品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

②滿足2000V/2500V長期絕緣要求,6W產品原副邊間距>14mm

該系列2.4W產品基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到2.5kV,應用范圍覆蓋2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;而6W產品長期絕緣電壓達到2kV,應用范圍覆蓋2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③貼片式封裝方式

該系列均采用SMD封裝方式,相比插件式封裝,可有效節(jié)省空間、更靈活地在電路板上布局,并可提高產品生產的自動化程度和產品的防潮性能。

④高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊

⑤多項性能指標提升

f03ccabe-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

02產品應用

該系列產品應用于醫(yī)療行業(yè)的各種醫(yī)療器械等高隔離場合。

f05f3d9c-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

03 典型應用

可應用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等多種場合。

04 產品特點

1)QA-R3S系列

隔離電壓 5000VAC

滿足加強絕緣

CMTI>200kV/μs

超小隔離電容 3.5pF( typ.)

局部放電 1700V

效率高達 87%

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

超小型 SIP 封裝

2)QA_T-R3S系列

隔離電壓 5000VAC

滿足加強絕緣

CMTI>200kV/μs

超小隔離電容: 2.4W產品2.5pF(typ.);6W產品13pF(typ.)

局部放電 2.4W產品2.5kV;6W產品2kV

效率超過80%,(2.4W產品86%;6W產品81%)

潮敏等級(MSL) 1

AEC-Q100 實驗中

擁有4項高新專利,方案完全自主可控

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12514

    瀏覽量

    235882
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9200

    瀏覽量

    227189
  • 驅動電源
    +關注

    關注

    22

    文章

    425

    瀏覽量

    43793
  • 金升陽
    +關注

    關注

    8

    文章

    266

    瀏覽量

    61978

原文標題:5000V隔離 高性能插件式單路驅動電源

文章出處:【微信號:金升陽科技,微信公眾號:金升陽科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?2.9w次閱讀

    重磅推出雙向電源LMB系列

    重磅推出能量回饋型電源——雙向電源LMB系列,可廣泛應用于化成分容、電池檢測、老化、電池維
    的頭像 發(fā)表于 07-24 17:50 ?776次閱讀
    <b class='flag-5'>金</b><b class='flag-5'>升</b><b class='flag-5'>陽</b>重磅<b class='flag-5'>推出</b>雙向<b class='flag-5'>電源</b>LMB系列

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?683次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準電壓源

    5000V隔離 高性能插件驅動電源——QA-(T)-R3S系列

    一、產品介紹 隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,
    發(fā)表于 06-16 14:30 ?1128次閱讀

    進迭時空第三代高性能核X200研發(fā)進展

    繼X60和X100之后,進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二高性能核X100相比,X200的單位
    的頭像 發(fā)表于 06-06 16:56 ?1018次閱讀
    進迭時空<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>高性能</b>核X200研發(fā)進展

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1451次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出第三代超結MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?455次閱讀
    瑞能半導體<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)

    推出升級版LM-R2S系列機殼開關電源

    在工業(yè)電源領域,始終以技術創(chuàng)新為驅動力,結合市場需求,對電源產品進行持續(xù)性優(yōu)化?;贚M-
    的頭像 發(fā)表于 05-10 10:05 ?902次閱讀
    <b class='flag-5'>金</b><b class='flag-5'>升</b><b class='flag-5'>陽</b><b class='flag-5'>推出</b>升級版LM-R2S系列機殼開關<b class='flag-5'>電源</b>

    《電子發(fā)燒友電子設計周報》聚焦硬科技領域核心價值 第7期:2025.04.7--2025.04.11

    9、MediaTek發(fā)布天璣9400+移動平臺 10、推出高性能第三代
    發(fā)表于 04-11 19:51

    第三代半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1288次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    推出高端T系列相導軌電源

    隨著市場對高性能、高可靠、智能化相導軌需求的日益增加,推出高端T系列
    的頭像 發(fā)表于 02-13 17:17 ?989次閱讀

    第三代半導體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導體產業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內,各國都在加大對第三代半導體的投入,建設了眾多新的晶圓廠和生產線。如中國,多地都有相關大型項目規(guī)劃與建設,像蘇州的國家第三代半導體
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?874次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導體對防震基座需求前景?

    第三代半導體產業(yè)高速發(fā)展

    當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1156次閱讀

    高通第三代驍龍8移動平臺解鎖沉浸游戲體驗

    實現強勁性能,從而帶來持久的沉浸游戲體驗。配合全新升級的Snapdragon Elite Gaming特性,第三代驍龍8讓智能手機成為高性能游戲的理想平臺。
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:54 ?4918次閱讀

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用

    隨著科技的發(fā)展,半導體技術經歷了多次變革,而第三代半導體材料的出現,正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?2608次閱讀