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FIB技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用

金鑒實(shí)驗(yàn)室 ? 2024-12-26 14:49 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新與挑戰(zhàn)


在半導(dǎo)體行業(yè),技術(shù)的快速進(jìn)步帶來了集成電路尺寸的縮小和功能的增強(qiáng)。但同時(shí),這也帶來了新的挑戰(zhàn),尤其是在故障定位和分析領(lǐng)域。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),科研人員開發(fā)了一系列尖端分析技術(shù),其中聚焦離子束(FIB)技術(shù)在故障分析中扮演了關(guān)鍵角色。


FIB技術(shù)的工作原理與優(yōu)勢(shì)


聚焦離子束技術(shù)采用液態(tài)金屬鎵作為離子源,通過施加負(fù)電壓場(chǎng)將鎵離子束引出,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確切割和移除。FIB技術(shù)以其卓越的空間分辨率和多功能性(如氧化和沉積)而著稱。具體操作包括:


1. 材料的切割與移除:使用高能離子束精確地切割和移除樣品的表面或內(nèi)部微小區(qū)域。


2. 氧化與沉積:利用化學(xué)氣體對(duì)樣品表面進(jìn)行氧化處理或金屬沉積,以實(shí)現(xiàn)特定的化學(xué)改性。


3. 成像與分析:通過電子顯微鏡實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分的變化。



FIB技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域


1. 截面分析與三維信息獲?。?/strong>FIB技術(shù)能夠進(jìn)行精確的截面分析,獲取高質(zhì)量的三維內(nèi)部信息,這對(duì)于解析復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。在PCB和IC載板行業(yè),F(xiàn)IB技術(shù)常用于盲孔底部分析和異物分析,確保電路板和集成電路的可靠性和穩(wěn)定性。


2. 電路修復(fù):電路設(shè)計(jì)過程中,經(jīng)常需要對(duì)成品進(jìn)行修改和優(yōu)化。FIB技術(shù)能夠通過濺射或沉積功能快速修復(fù)電路,降低研發(fā)成本,加快研發(fā)速度。這種靈活性使FIB技術(shù)成為現(xiàn)代電子制造業(yè)的重要工具。


3. 晶體結(jié)構(gòu)與取向分析:FIB-SEM雙束系統(tǒng)結(jié)合了聚焦離子束和掃描電子顯微鏡的優(yōu)勢(shì),能夠?qū)崟r(shí)觀察樣品表面并進(jìn)行微加工。這使得它能夠用于晶體結(jié)構(gòu)和晶粒取向分析,深入了解材料的微觀特性。例如,分析銅箔的晶格結(jié)構(gòu),研究晶粒尺寸和取向等晶體學(xué)信息。


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4. 透射電子顯微鏡與聚焦離子束聯(lián)用技術(shù)(TEM-FIB):TEM-FIB聯(lián)用技術(shù)結(jié)合了透射電子顯微鏡的高分辨率成像和FIB的微加工能力,主要用于納米尺度樣品的制備和結(jié)構(gòu)分析。通過在TEM下定位感興趣的區(qū)域,然后使用FIB進(jìn)行切割和移除,實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品的精細(xì)加工和結(jié)構(gòu)解析。這種方法特別適用于研究納米材料、半導(dǎo)體器件中的缺陷以及薄膜材料的微觀結(jié)構(gòu)。


鎖相紅外熱成像與FIB技術(shù)的聯(lián)合應(yīng)用

為了提高故障定位的精確度,科研人員開發(fā)了鎖相紅外熱成像與FIB技術(shù)的聯(lián)合應(yīng)用。該技術(shù)通過以下步驟實(shí)現(xiàn)故障根因的定位:


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1. 熱點(diǎn)定位:使用鎖相紅外熱成像技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行高精度熱成像,快速定位熱點(diǎn)區(qū)域。這種方法具有微米級(jí)的空間分辨率,能夠精確定位小尺寸熱點(diǎn)。


2. 剖面切割制樣:在確定熱點(diǎn)位置后,使用FIB從安全區(qū)域開始剖切樣品,向熱點(diǎn)方向推進(jìn)。FIB離子束的推進(jìn)精度可達(dá)納米級(jí),能夠精確找到故障點(diǎn),同時(shí)避免化學(xué)處理對(duì)結(jié)構(gòu)的破壞。


3. 驗(yàn)證故障點(diǎn):通過對(duì)比器件的燒毀形貌和背景信息分析結(jié)果,確定熱點(diǎn)是否為真正的故障點(diǎn)。這種方法不僅提高了定位精度,還避免了傳統(tǒng)方法可能帶來的誤差和破壞。


結(jié)論

FIB技術(shù)在半導(dǎo)體故障分析中扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠精確定位故障點(diǎn),還能提供詳細(xì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息,幫助研究人員深入理解故障機(jī)制,從而改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝,提升產(chǎn)品的可靠性和性能。隨著技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,這些工具將在微電子領(lǐng)域扮演越來越關(guān)鍵的角色。

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