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由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元CMOS介紹

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體與物理 ? 2024-11-22 13:32 ? 次閱讀
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介紹了芯片最基本的單元——MOSFET,和由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元——CMOS。

MOSFET

芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算,所以我們要用最基本的電子元件來(lái)模擬1和0,通電為1,不通電為0。 接下來(lái)我們就介紹一下可以達(dá)成這樣目的的元件。

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我們?cè)?a target="_blank">半導(dǎo)體硅里進(jìn)行兩種摻雜,如上圖上兩個(gè)小u型槽里進(jìn)行N型摻雜,其他的地方進(jìn)行P型摻雜,這樣N型摻雜與P型摻雜的界面會(huì)形成耗盡層。

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上圖中,上下電路為電路一,左右連接N極的為電路二。 由于沒(méi)有打開(kāi)電路一,電路二由于耗盡層的影響兩個(gè)N極不能連通。所以上面的小燈泡是亮不了的。這就是二進(jìn)制里的0的情況。

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但是現(xiàn)在我們打開(kāi)電路一,這時(shí)電子會(huì)往正極偏轉(zhuǎn),就把原本的耗盡層往下移,于是兩個(gè)N極就接通了,這時(shí)電路二就通了。就這樣我們就可以通過(guò)偏轉(zhuǎn)電路的開(kāi)關(guān)來(lái)控制主路的通電和斷電。這也就是二進(jìn)制里的1。

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這就是MOSFET,上圖所示為各個(gè)極的名稱(chēng):源極、柵極、漏極。同時(shí)我們可以把摻雜反過(guò)來(lái)得到PMOS。

CMOS

前面是晶體管的介紹,我們繼續(xù)來(lái)講CMOS的構(gòu)造與非門(mén)也就是邏輯門(mén)的最基礎(chǔ)的部分。

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如上圖把PMOS的源極與NMOS的漏極相連接我們就得到了一個(gè)COMS,我們?cè)賮?lái)看COMS是如何工作的?

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如上圖我們把PMOS的漏極接上高電壓,同時(shí)把NMOS的源極接上低電壓,當(dāng)我們?cè)谒麄兊臇艠OA加正向偏壓,這時(shí)只有NMOS是導(dǎo)通的,所以B電極就與低電壓相通了。

當(dāng)我們輸入的是正向偏壓時(shí),我們就得到了低電壓,我們可以設(shè)定高電壓為1、低電壓為0這樣就是輸入的是1得到的結(jié)果是0。

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反之我們輸入反向偏壓也就是低電壓,B就連通了高電壓,也就是輸入是0輸出是1。于是我們就這樣得到了一個(gè)非門(mén),是最基礎(chǔ)的邏輯門(mén)單元。

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其實(shí)芯片的底層就是一個(gè)個(gè)開(kāi)關(guān)組成的,也就是大量的晶體管,光刻其實(shí)就是在硅片上刻出一個(gè)個(gè)晶體管。

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源極、柵極、漏極組成MOSFET開(kāi)關(guān)

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MOSFET制造圖:源極、柵極、漏極 各種晶體管組成邏輯門(mén):

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邏輯門(mén)組成運(yùn)算器:

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最后組成只有一個(gè)指甲大小的芯片:

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原文標(biāo)題:由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元CMOS

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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