日前，寧波市經(jīng)濟(jì)和信息化局正式公布《2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄》。清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司旗下“國產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品”、中電化合物半導(dǎo)體有限公司旗下“6吋車規(guī)級SiC外延片”雙雙入選。據(jù)悉，列入寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄的企業(yè)產(chǎn)品，可優(yōu)先參與政府及國有投資項目建設(shè)，在市場拓展方面贏得先機(jī)。

為貫徹落實市委市政府關(guān)于經(jīng)濟(jì)穩(wěn)進(jìn)提質(zhì)有關(guān)文件精神，進(jìn)一步支持全市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推廣應(yīng)用，助力企業(yè)穩(wěn)生產(chǎn)、促銷售、提品質(zhì)、拓市場，寧波市經(jīng)濟(jì)和信息化局于近日組織開展了《2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄》的編制工作。

經(jīng)過企業(yè)自主申報，市、區(qū)（縣、市）兩級經(jīng)信部門審核，本次共擇優(yōu)確定260家企業(yè)800余種產(chǎn)品列入《2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄》，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院培育企業(yè)——清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司旗下“國產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品”和中電化合物半導(dǎo)體有限公司旗下“6吋車規(guī)級SiC外延片”成功上榜。

寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄的評選，充分體現(xiàn)了創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)化導(dǎo)向，入選企業(yè)在行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先、創(chuàng)新能力強，并且產(chǎn)品具有引導(dǎo)作用。優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄將進(jìn)一步助力企業(yè)提升創(chuàng)新“造血”能力，推動工業(yè)經(jīng)濟(jì)從“總量主導(dǎo)”向“質(zhì)量主導(dǎo)”轉(zhuǎn)變，以此引導(dǎo)企業(yè)實施質(zhì)量發(fā)展戰(zhàn)略和品牌帶動戰(zhàn)略，引領(lǐng)質(zhì)量效益提升，拓展市場，提高“寧波制造”優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的知名度和美譽度。復(fù)旦大學(xué)寧波研究院亦將持續(xù)推動培育企業(yè)重視自主創(chuàng)新、自主研發(fā)，努力以優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品、先進(jìn)技術(shù)搶占市場，進(jìn)一步提升企業(yè)知名度與競爭力，真正實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

關(guān)于清純半導(dǎo)體

作為復(fù)旦大學(xué)寧波研究院在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域布局的龍頭引領(lǐng)性項目，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司致力成為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅功率器件供應(yīng)商，是目前國內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國際一流水平、并且基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)在新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

2022年3月，清純半導(dǎo)體在復(fù)旦大學(xué)寧波研究院牽頭下正式落戶寧波前灣新區(qū)，并于新區(qū)建設(shè)公司總部及研發(fā)中心，從產(chǎn)品和技術(shù)端精準(zhǔn)承接研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所的產(chǎn)業(yè)化任務(wù)，共同打造寧波“碳化硅谷”。

公司擁有由復(fù)旦大學(xué)特聘教授、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所所長張清純領(lǐng)銜的國際一流研發(fā)團(tuán)隊，具有領(lǐng)先的器件設(shè)計能力和制造工藝及穩(wěn)定的產(chǎn)能保障，建設(shè)有完善的各類實驗室，通過了ISO9001體系認(rèn)證。落地寧波以來，公司接連突破國產(chǎn)SiC功率器件設(shè)計及大規(guī)模制造瓶頸，取得多項業(yè)內(nèi)矚目的成就——

1200V SiC MOSFET平臺技術(shù)成熟，多規(guī)格產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，并通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證和960V-H3TRB可靠性驗證（國內(nèi)唯一同時通過兩項測試的產(chǎn)品）；推出了首款國內(nèi)量產(chǎn)的15V驅(qū)動SiC MOSFET系列產(chǎn)品填補國內(nèi)空白，各項性能指標(biāo)均達(dá)到或超過國際同類產(chǎn)品；推出了國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V 14mΩ SiC MOSFET，通過Tier1廠商驗證，性能對標(biāo)國際主流主驅(qū)芯片。

此外，在供應(yīng)鏈方面，清純半導(dǎo)體已與積塔半導(dǎo)體、士蘭微電子等簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議；在市場推廣方面，公司實現(xiàn)了多家新能源頭部客戶的導(dǎo)入及上量，與多家新能源汽車的主驅(qū)芯片驗證進(jìn)展順利；在銷售方面，公司成立至今已實現(xiàn)3倍以上的增長，并實現(xiàn)SiC MOSFET出貨達(dá)150萬顆。

未來，清純半導(dǎo)體將立志于服務(wù)國家“雙碳”戰(zhàn)略，加速實現(xiàn)碳化硅（SiC）芯片的國產(chǎn)替代及技術(shù)領(lǐng)先，努力成長為國際一流的功率半導(dǎo)體高科技企業(yè)，為國家第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)蓬勃力量！

關(guān)于中電化合物

中電化合物半導(dǎo)體有限公司是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司（央企）旗下華大半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)投資的浙江首家致力于開發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)，且于2019年獲得了復(fù)旦大學(xué)寧波研究院大生態(tài)創(chuàng)新基金的天使輪投資支持。

作為復(fù)旦大學(xué)寧波研究院在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域布局的龍頭引領(lǐng)性項目，中電化合物主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛用于電動汽車、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)裝備、家用消費電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。

成立四年多來，中電化合物實現(xiàn)從0到1、從1過億的突破，公司已建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現(xiàn)代化生產(chǎn)車間，面向國內(nèi)外市場供應(yīng)商業(yè)化4-8英寸SiC和GaN材料，產(chǎn)品通過了車規(guī)級的驗證，同時榮獲國家級高新技術(shù)企業(yè)、寧波市“專精特新”企業(yè)、寧波市企業(yè)技術(shù)研發(fā)中心、寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄認(rèn)定，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域快速發(fā)展與前行。

去年10月底，中電化合物順利完成客戶首批次8英寸SiC外延片產(chǎn)品的交付。8英寸相比6英寸面積增加78%，可較大幅度降低碳化硅器件成本，為進(jìn)一步推進(jìn)碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技術(shù)指標(biāo)上，8英寸SiC外延片厚度均勻性可實現(xiàn)≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。8英寸外延產(chǎn)品的順利交付，標(biāo)志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上一個新的臺階，可為行業(yè)提供更為領(lǐng)先的技術(shù)支持，推動碳化硅行業(yè)更加快速發(fā)展

目前，公司已經(jīng)同多家下游廠商開展上下游合作，以便于滿足下游開發(fā)的用于諸如在電機(jī)逆變器、車載充電器、直流轉(zhuǎn)換器等商業(yè)化碳化硅功率器件的關(guān)鍵材料供應(yīng)，預(yù)計2024年公司SiC外延片業(yè)務(wù)將在SiC功率器件市場進(jìn)一步增長，持續(xù)為寧波市數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新提質(zhì)“一號發(fā)展工程”提供有力支撐，為現(xiàn)代化濱海大都市建設(shè)注入強勁動能。