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英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

儒卓力 ? 來源:儒卓力 ? 2023-10-10 09:43 ? 次閱讀
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在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。

為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技正在擴(kuò)大其CoolMOS S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 的產(chǎn)品陣容。

該系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器(SSR)、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器PLC)、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器和(混動(dòng))電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用。

該產(chǎn)品組合進(jìn)行了重要擴(kuò)充,新增了創(chuàng)新的 QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開關(guān)應(yīng)用中極具優(yōu)勢(shì),同時(shí)還可以降低成本。

得益于新型大功率 QDPAK 封裝,這款器件的導(dǎo)通電阻值僅為 10 mΩ,在市場(chǎng)上同電壓等級(jí)產(chǎn)品中以及采用SMD 封裝的產(chǎn)品中屬于最低值。

CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗,提高了整體效率,并提供了一種簡(jiǎn)單易用且經(jīng)濟(jì)高效的方式來提高系統(tǒng)性能。

CoolMOS S7 電源開關(guān)還借助已改進(jìn)的熱阻來有效管理散熱,通過采用創(chuàng)新、高效的 QDPAK 封裝,減少甚至消除了固態(tài)設(shè)計(jì)中對(duì)散熱器的需求,從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便。

該系列 MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式,均能夠抵御高脈沖電流,并應(yīng)對(duì)突然的浪涌電流。

此外,該系列 MOSFET產(chǎn)品還具有體二極管的穩(wěn)健性,能夠確保在交流線路換向期間可靠運(yùn)行。

由于所需的元器件較少,CoolMOS S7系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET能夠減少零部件的數(shù)量,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成,降低BOM(材料清單)成本和總體擁有成本(TCO)。同時(shí),該系列MOSFET 產(chǎn)品還能縮短反應(yīng)時(shí)間,尤其在斷開電流時(shí),能夠更加平穩(wěn)、高效地運(yùn)行。

用于靜態(tài)開關(guān)的全新 600V 工業(yè)級(jí) CoolMOS S7 和車規(guī)級(jí) CoolMOS S7A 超結(jié)MOSFET ,均提供頂部冷卻(TSC)和底部冷卻(BSC)QDPAK封裝(PG-HDSOP-22)兩種封裝形式可供選擇。








審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件,用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

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