今天就沿著車規(guī)級(jí)零部件測試這個(gè)主題，和大家一起分享一下AEC-Q200的環(huán)境試驗(yàn)條件。

AEC-Q200的環(huán)境試驗(yàn)條件

AEC-Q200的環(huán)境試驗(yàn)條件，主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗(yàn)溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負(fù)載)要求也會(huì)有所不同，高溫儲(chǔ)存屬于不施加偏壓與負(fù)載，但高溫下的工作壽命是必要的，溫度循環(huán)和溫度沖擊，它們的測試目的和手法是不同的，溫度循環(huán)下的高低溫的變化需要溫變率的控制，溫沖擊就不需要了，偏高濕度是通常所說的高溫高濕測試，濕度抵抗是濕冷凍測試；

試驗(yàn)條件注意事項(xiàng)：

1000h試驗(yàn)過程需在250h、500h進(jìn)行間隔量測。

高溫儲(chǔ)存(MIL-STD-202-108)

薄膜電容、網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h；

電感、變壓器、電阻：125℃/1000h；

變阻器：150℃/1000h；

鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h。

高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)

網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻：85℃/1000h；

EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL；

鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負(fù)載/額定電壓；

鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h；

薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓；

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：125℃/1000h；

電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓；

可變電阻：125℃/1000h/額定功率；

變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流；

陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容；

石英震蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容；

溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)

薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：

-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles；

鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles；

網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻：

-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

溫度沖擊(MIL-STD-202-107)

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：

-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles；

偏高濕度(MIL-STD-202-103)

鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V；

電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電；

鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓 ；

EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流；

電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%；

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%；

可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%；

網(wǎng)絡(luò)低通濾波器&網(wǎng)絡(luò)電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網(wǎng)絡(luò)電容(額定電壓)、網(wǎng)絡(luò)電阻(10%額定功率)]；

變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流；

石英震蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定；VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容；

薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓；

濕度抵抗(MIL-STD-202-106)

薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通電；

上述各種檢測均來自AEC-Q200實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)，對于以上檢測條件，金鑒實(shí)驗(yàn)室均可提供相應(yīng)的檢測解決方案，希望對大家的檢測有所幫助。有興趣者可下方留言探討。