這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設計,原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負載下獲得 5200W RMS 功率輸出。

為了給該電路供電,您將需要 150 伏雙極性(對稱)電源,當然具有非常高的直流電流。
如果你想構建這個放大器電路,你應該小心并嘗試找到一些關于這種電路的參考,因為它使用高直流電壓和高直流電流,當然還有昂貴的揚聲器。我還沒有構建這個電路,嘗試這個電路需要您自擔風險。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
原理圖
+關注
關注
1336文章
6419瀏覽量
243686 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
9200瀏覽量
227204 -
功率放大器
+關注
關注
104文章
4094瀏覽量
138359 -
電路原理圖
+關注
關注
40文章
352瀏覽量
39625 -
揚聲器
+關注
關注
29文章
1349瀏覽量
65270
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
線性功率放大器設計和乙類和丙類功率放大器設計
功率放大器設計中,可以用大信號S參數(shù)來設計乙類和丙類功率放大器,也可以用功率負載特性來設計乙類和丙類功率放大器,后一種方法用得更普遍。圖7-
發(fā)表于 08-17 13:35
短波寬帶功率放大器原理圖
我在網(wǎng)上百度到一種短波寬帶功率放大器,頻率是1.6-29.999我非常想看看這個資料的全部但是網(wǎng)上只有末級功率放大器的原理圖,問大家誰有
發(fā)表于 02-07 09:23
功率放大器的設計方法
一、實驗目的掌握功率放大器的設計方法。了解功率放大器的測試方法。二、實驗內(nèi)容及結果實驗內(nèi)容自主設計一低頻功率放大器,滿足如下要求:(1)輸入正弦信號電壓有效值為5mV,在8Ω電阻負載(一端接地)上
發(fā)表于 11-12 07:27
射頻功率放大器電路圖大全(五款射頻功率放大器電路設計原理圖詳解)
本文主要介紹了射頻功率放大器電路圖大全(五款射頻功率放大器電路設計原理圖詳解)。功率放大器的
發(fā)表于 03-05 14:25
?13.1w次閱讀

MOSFET功率放大器電路原理圖
評論