由直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路框圖可以看出驅(qū)動(dòng)控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，主要由四部分電路構(gòu)成，其中光電隔離電路較簡(jiǎn)單，在此不做詳細(xì)介紹。主要對(duì)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路的其他部分進(jìn)行詳細(xì)介紹。

H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

在直流電機(jī)控制中常用H橋電路作為驅(qū)動(dòng)器的功率驅(qū)動(dòng)電路。由于功率MOSFET是壓控元件，具有輸入阻抗大、開關(guān)速度快、無二次擊穿現(xiàn)象等特點(diǎn)，滿足高速開關(guān)動(dòng)作需求，因此常用功率MOSFET構(gòu)成H橋電路的橋臂。H橋電路中的4個(gè)功率MOSFET分別采用N溝道型和P溝道型，而P溝道功率MOSFET一般不用于下橋臂驅(qū)動(dòng)電機(jī)，這樣就有兩種可行方案：一種是上下橋臂分別用2個(gè)P溝道功率MOSFET和2個(gè)N溝道功率MOSFET；另一種是上下橋臂均用N溝道功率MOSFET。

相對(duì)來說，利用2個(gè)N溝道功率MOSFET和2個(gè)P溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方案，控制電路簡(jiǎn)單、成本低。但由于加工工藝的原因，P溝道功率MOSFET的性能要比N溝道功率MOSFET的差，且驅(qū)動(dòng)電流小，多用于功率較小的驅(qū)動(dòng)電路中。而N溝道功率MOSFET，一方面載流子的遷移率較高、頻率響應(yīng)較好、跨導(dǎo)較大；另一方面能增大導(dǎo)通電流、減小導(dǎo)通電阻、降低成本，減小面積。綜合考慮系統(tǒng)功率、可靠性要求，以及N溝道功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，本設(shè)計(jì)采用4個(gè)相同的N溝道功率MOSFET的H橋電路，具備較好的性能和較高的可靠性，并具有較大的驅(qū)動(dòng)電流。Vm為電機(jī)電源電壓，4個(gè)二極管為續(xù)流二極管，輸出端并聯(lián)一只小電容C6，用于降低感性元件電機(jī)產(chǎn)生的尖峰電壓。